功率級在PowerPAK MLP55-32L封裝里集成了電流和溫度監(jiān)測器，適用于電信設備和數(shù)據(jù)中心服務器

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 12 月14 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為了在高性能電信設備和數(shù)據(jù)中心服務器中實時地對處理器和存儲器的功耗進行監(jiān)控,，推出兩個新的60A VRPower智能功率級---SiC645和SiC645A。功率級集成了電流和溫度監(jiān)測器,，可用于多相DC/DC系統(tǒng),。Vishay Siliconix SiC645和SiC645A把功率MOSFET、先進的驅動IC和1個啟動FET組合在熱增強的薄外形5mm x 5mm x 0.66mm PowerPAK MLP55-32L/QFN封裝里,，有效簡化設計,，精度高于類似的標準DrMOS產(chǎn)品，同時占位面積比相近的對標器件小16%,。

　　使用電感器DCR檢測來監(jiān)控功耗,，需要使用類似熱敏電阻這樣的外部元器件來進行溫度補償,。與前面這種方案不同的是，SiC645和SiC645A利用低邊MOSFET的導通電阻RDS(ON)進行檢測,，分別用5mV/A和8mV/C信號準確地報出電流(IMON)和溫度(TMON),。這種檢流方法在很寬的負載范圍內(nèi)都是準確的，而且在內(nèi)部進行溫度補償,，省掉了外部電路,，從而簡化設計。另外,，使用這些功率級就能去掉檢流引線,，同時由于沒有了噪聲和外部濾波，系統(tǒng)響應速度很快,。

　　功率級的精度滿足Intel嚴格的VR13和VR13.x電流監(jiān)測精度要求,，能夠更好地發(fā)揮服務器CPU的加速功能，在不增加成本的情況下為數(shù)據(jù)中心客戶提供更高的性能,，優(yōu)點十分突出,。專用的低邊FET控制pin腳使系統(tǒng)在輕載條件下也具有很好的效率。

　　器件的輸入范圍從4.5V到18V,，適用于為服務器,、網(wǎng)絡和云計算的微處理器和存儲器供電的高頻、高效VRM和VRD,，高性能圖形卡和游戲機里的GPU,，以及通用多相負載點(POL)DC/DC轉換器。SiC645和SiC645A的封裝能夠實現(xiàn)雙面冷卻,，低封裝寄生電阻和電感使開關頻率能夠達到2MHz,。

　　器件符合RoHS，無鹵素,，故障保護功能包括高邊FET短路和過流保護,、過熱保護、欠壓鎖定(UVLO),，有開漏故障報告輸出。SiC645和SiC645A分別支持5V和3.3V PWM三電平輸入,，兼容Intersil的ISL68/69xx和ISL958xx數(shù)字多相控制器,。

　　智能功率級現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為十周,。