集邦咨詢存儲(chǔ)研究（DRAMeXchange）最新研究報(bào)告顯示,，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6％,，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D－NAND,，2017年2D－NAND缺貨情況將持續(xù)一整年,，而3D－NAND在64層堆棧順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前,，也將持續(xù)缺貨,，價(jià)格有望穩(wěn)健走揚(yáng),，使NAND Flash原廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)往上,。

位元產(chǎn)出年成長(zhǎng)來(lái)自3D－NAND,，第三季2D－NAND產(chǎn)出滑落至50％以下

DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆诮衲晷略霎a(chǎn)能及制程轉(zhuǎn)換同時(shí)進(jìn)行的情況下,，業(yè)者自2016年第二季起加速3D－NAND的制程轉(zhuǎn)進(jìn),，整體3D－NAND產(chǎn)出比重在年底前達(dá)到30％，而自明年起在整體投片產(chǎn)能僅年增6％的成長(zhǎng)幅度下,，多數(shù)業(yè)者將開始降低2D－NAND的供貨來(lái)達(dá)到提升3D－NAND產(chǎn)能的目標(biāo),，因此，DRAMeXchange預(yù)估,，自2017年第一季起2D－NAND的供給量滑落的速度將加快,，至第三季占整體NAND出貨比重將滑落至50％以下,。

然而，在3D－NAND的進(jìn)展上,，64層堆棧的3D－NAND Flash在良率與eMMC／UFS,、消費(fèi)級(jí)SSD、企業(yè)級(jí)SSD等OEM產(chǎn)品的導(dǎo)入上,，挑戰(zhàn)性皆增加,，因此明年3D－NAND在64層堆棧的產(chǎn)品成熟前也將維持供應(yīng)吃緊的狀況，最快要到2017年第三季起才有機(jī)會(huì)成熟量產(chǎn)出貨,。

固態(tài)硬盤需求成長(zhǎng)爆發(fā),，F(xiàn)lash消耗量占整體NAND Flash需求量達(dá)40％

從需求端來(lái)看，由于智能手機(jī)成長(zhǎng)放緩,、平板電腦出貨持續(xù)衰退,，相關(guān)行動(dòng)式 NAND的需求成長(zhǎng)動(dòng)能將改由平均搭載量（Content per box）來(lái)驅(qū)動(dòng)，而在新款iPhone出貨主流為128GB下,，其他智能手機(jī)品牌也加速提升eMMC／UFS的容量來(lái)提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,。

DRAMeXchange預(yù)估，2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬盤滲透率將超越50％,，且企業(yè)級(jí)SSD的需求也隨著服務(wù)器／數(shù)據(jù)中心的需求強(qiáng)勁成長(zhǎng)而快速上揚(yáng),，再加上固態(tài)硬盤的平均搭載量也持續(xù)增加，使得2017年整體固態(tài)硬盤需求成長(zhǎng)率將高達(dá)60％,，所消耗的Flash比重也將正式站上40％大關(guān),，為各項(xiàng)NAND Flash終端需求中表現(xiàn)最強(qiáng)勁的應(yīng)用。