《電子技術(shù)應(yīng)用》
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2017年NAND產(chǎn)能成長有限價(jià)格走高

2016-12-23
關(guān)鍵詞: NAND 存儲(chǔ)器

TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)最新研究報(bào)告顯示,,2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年,,而3D-NAND在64層堆疊順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前,,也將持續(xù)缺貨,價(jià)格有望穩(wěn)健走揚(yáng),,使NAND Flash原廠營運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)往上,。

DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆诮衲晷略霎a(chǎn)能及制程轉(zhuǎn)換同時(shí)進(jìn)行的情況下,,業(yè)者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程轉(zhuǎn)進(jìn),,整體3D-NAND產(chǎn)出比重在年底前達(dá)到30%,而自明年起在整體投片產(chǎn)能僅年增6%的成長幅度下,,多數(shù)業(yè)者將開始降低2D-NAND的供貨來達(dá)到提升3D-NAND產(chǎn)能的目標(biāo),,因此,DRAMeXchange預(yù)估,,自2017年第一季起2D-NAND的供給量滑落的速度將加快,,至第三季占整體NAND出貨比重將滑落至50%以下。

然而,,在3D-NAND的進(jìn)展上,,64層堆疊的3D-NAND Flash在良率與eMMC/UFS、用戶級(jí)SSD,、企業(yè)級(jí)SSD等OEM產(chǎn)品的導(dǎo)入上,,挑戰(zhàn)性皆增加,因此明年3D-NAND在64層堆疊的產(chǎn)品成熟前也將維持供應(yīng)吃緊的狀況,,最快要到2017年第三季起才有機(jī)會(huì)成熟量產(chǎn)出貨,。

從需求端來看,由于智慧型手機(jī)成長放緩,、平板電腦出貨持續(xù)衰退,,相關(guān)行動(dòng)式NAND的需求成長動(dòng)能將改由平均搭載量(Content per box)來驅(qū)動(dòng),而在新款iPhone出貨主流為128GB下,,其他智慧型手機(jī)品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產(chǎn)品競(jìng)爭力,。

DRAMeXchange預(yù)估,2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬碟滲透率將超越50%,,且企業(yè)級(jí)SSD的需求也隨著伺服器/資料中心的需求強(qiáng)勁成長而快速上揚(yáng),,再加上固態(tài)硬碟的平均搭載量也持續(xù)增加,使得2017年整體固態(tài)硬碟需求成長率將高達(dá)60%,,所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關(guān),為各項(xiàng)NAND Flash終端需求中表現(xiàn)最強(qiáng)勁的應(yīng)用,。


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