《電子技術(shù)應(yīng)用》
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傳SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器明年量產(chǎn)

2016-12-28
關(guān)鍵詞: NAND SK 芯片 Flash

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn),,韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),,位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn),。

若按計(jì)劃進(jìn)行,海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72 層3D NAND 的記憶體廠,。為因應(yīng)市場(chǎng)需求增溫,,海力士上周已宣布將在南韓與中國(guó)兩地,投資3.15 兆韓圜來增加DRAM 與NAND 記憶體產(chǎn)能,。

隨著微縮制程遭遇瓶頸,,業(yè)者紛紛改以3D 垂直方式堆疊記憶體做突破,但制程技術(shù)各不相同,。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013 年量產(chǎn)48 層3D NAND 記憶體,,至于64 層3D NAND 芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange 統(tǒng)計(jì),,三星第三季NAND 記憶體營(yíng)收來到37.44 億美元,,市占率較前季進(jìn)步0.3 個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。東芝以19.6% 位居第二,,Western Digital,、海力士與美光分居三、四,、五名,,市占率依序?yàn)?7.1%,、10.4% 與9.8%,。

3D堆疊/制程微縮競(jìng)爭(zhēng)白熱化NAND供應(yīng)商技術(shù)差距縮小

NAND Flash記憶體供應(yīng)商為滿足客戶不斷增加的儲(chǔ)存空間需求,,正分別從制程微縮與3D堆疊兩個(gè)方向來提升NAND Flash的儲(chǔ)存密度,且彼此間推出新世代產(chǎn)品的時(shí)間落差預(yù)料將明顯縮小,??梢灶A(yù)料的是,未來固態(tài)硬碟(SSD)等NAND Flash應(yīng)用的單位儲(chǔ)存成本將進(jìn)一步下滑,,開拓出更大的應(yīng)用市場(chǎng),。

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資料顯示,三星(Samsung),、東芝/閃迪(Toshiba/SanDisk),、美光/IM Flash與SK海力士(SK Hynix)等主要NAND Flash記憶體供應(yīng)商,在2016年皆已進(jìn)入3D NAND時(shí)代,。其中,,進(jìn)展最快的三星已率先于2015年下半進(jìn)入48層MLC時(shí)代,預(yù)計(jì)在2017年初提升到64層MLC,、2018年中進(jìn)入96層MLC,;東芝/新帝則持續(xù)追趕三星,先在2016年追上三星目前的進(jìn)度,,并預(yù)期在2017年中推出64層MLC,。

進(jìn)展相對(duì)較慢的美光/IM Flash及SK海力士,則已于2016年進(jìn)入32層MLC時(shí)代,,并將在2016年底,、2017年初推出48層MLC、2018年中推出64層MLC,。但值得注意的是,,美光/IM Flash還有一條采用3D X-Point新架構(gòu)的產(chǎn)品線將在2016年中開始量產(chǎn)上市,未來將對(duì)NAND Flash市場(chǎng)產(chǎn)生何種影響,,有待后續(xù)觀察,。

而在制程節(jié)點(diǎn)方面,目前四大NAND Flash芯片供應(yīng)商均已進(jìn)入1y納米世代,,彼此之間差異不大,。在進(jìn)入1z納米制程的時(shí)間點(diǎn)方面,除了東芝/新帝將在2016年下半率先導(dǎo)入12納米制程,,成為業(yè)界第一家進(jìn)入1z納米制程世代的供應(yīng)商之外,,其他三家業(yè)者之間都預(yù)計(jì)在2016年底~2017年初進(jìn)入12納米,時(shí)間落差只在一季之內(nèi),。

由于3D結(jié)構(gòu)可顯著提升NAND Flash芯片的儲(chǔ)存密度,,因此各家業(yè)者均戮力發(fā)展3D NAND Flash,。研究認(rèn)為,2016年各家業(yè)者的3D NAND Flash產(chǎn)出比重,,將從2015年的6%提升到20%,。

隨著64層MLC與1z納米制程陸續(xù)到位,2017年單一NAND Flash顆粒的主流容量要達(dá)到128Gb以上,,預(yù)料將不成問題,,屆時(shí)SSD、eMMC等NAND Flash儲(chǔ)存應(yīng)用的容量規(guī)格也可望跟著升級(jí),,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力更上層樓,。


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