SK海力士（SK Hynix）正對噴霧式電磁波干擾（Electromagnetic Interference,；EMI）遮蔽（Shielding）技術(shù)量產(chǎn)可能性進行評估,，有望接手過去委外進行的EMI遮蔽工藝，著手研發(fā)噴霧式的EMI遮蔽技術(shù),，期望達成降低生產(chǎn)成本與提高產(chǎn)量的目標,。而為了重新回到蘋果NAND Flash供應鏈，三星電子（Samsung Electronics）這邊在EMI遮蔽工藝研發(fā)也不甘落后,，但似乎遇到了一些問題,。
想做蘋果供應商，先學會這項技術(shù)
據(jù)韓媒ET News報導,，SK海力士未來技術(shù)研究院首席李弼秀（音譯）,，日前于首爾出席ET News與韓國半導體研究協(xié)會共同主辦的“半導體尖端封裝技術(shù)研討會”，并在其間發(fā)表上述消息,。
半導體芯片過去以屏蔽罩方式阻斷EMI,，近來隨著半導體芯片性能提高，漸走向個別芯片均需EMI遮蔽處理,，如此可預防芯片間電磁干擾引發(fā)的異常動作,，電路板也可設計得更加精密，芯片間距縮小后多出來的空間,，可用于擴充電池容量,，延長產(chǎn)品待機時間，然而增加新工藝將會提高主要芯片生產(chǎn)成本,。
蘋果（Apple）相當早就嘗試,，從2012年9月推出的iPhone 5開始，就要求用于iPhone的NAND Flash封裝，必須要有防電磁波干擾遮蔽技術(shù),。他們試過將iPhone里搭載的個別半導體一一進行封裝后,，試圖增加EMI遮蔽工藝。由于三星電子無法滿足蘋果的規(guī)格要求,，之后蘋果便未采用三星電子生產(chǎn)的NAND Flash存儲器,，如今三星有意重啟對蘋果供應NAND Flash，這項技術(shù)能否實現(xiàn)至關(guān)重要,。
2016年上市的Google Pixel手機,，其無線區(qū)域網(wǎng)路芯片據(jù)說也采用EMI屏蔽處理，李弼秀認為,，將個別半導體芯片進行EMI遮蔽的需求將會持續(xù)增加,。
濺鍍式和噴霧式有什么區(qū)別？
目前搭載于iPhone的NAND Flash封裝是采LGA（Land Grid Array）,。LGA是封裝的底部有針腳的形式,，因裝配到印刷電路板（PCB）時，針腳與電路板的插孔緊密貼合,，因此在EMI遮蔽工藝只需在上半部進行,。所以截至目前為止，EMI遮蔽多采濺鍍（Sputtering）方式,，將超薄金屬遮蔽材料覆蓋表面,。濺鍍機是將材料利用物理方式，在目標表面選擇性蒸鍍1層均勻薄膜,，但濺鍍方式處理速度不快,。
三星電子則認為，如果未來NAND Flash采用BGA（Ball Grid Array）形式封裝,，底部會呈現(xiàn)球狀（Ball）,，若以濺鍍方式進行EMI遮蔽，會產(chǎn)生許多空隙,，不容易完整包覆,。以噴霧式（Spray）工藝進行EMI遮蔽，能順利將BGA的球狀部分完整覆蓋,。由于內(nèi)存多需大量供給,，因此業(yè)者紛紛考慮改采噴霧式EMI遮蔽技術(shù)。
噴涂設備的優(yōu)點是比濺鍍機便宜,。一組濺鍍機的設備若要50億韓元（約438．20萬美元）,，噴涂設備只需7～8億韓元即可購得。不僅如此,，用于噴涂的材料價格也較便宜,，可節(jié)省制程費用,。業(yè)界認為，就體積與重量而言,，BGA也比LGA來得有利,。不過噴霧式EMI遮蔽為臺灣日月光集團持有的核心專利，這也是三星電子,、SK海力士考慮自行研發(fā)噴霧式EMI遮蔽技術(shù)的主因,。
SK海力士與Ntrium、Duksan Hi－Metal共同開發(fā)液體（Ink）型態(tài)EMI遮蔽物質(zhì),，目前正在實驗量產(chǎn)的可能性,；另一方面，三星也從2016年初便開始與韓華化學（Hanwha Chemical）合作,，開發(fā)液體型態(tài)EMI遮蔽物質(zhì),，韓華則以銀與納米碳管（CNT）進行合成。若韓國記憶體業(yè)者有能力直接進行EMI遮蔽工藝,，勢必將影響日月光EMI遮蔽工藝的工作量,。
李弼秀最后表示,，在記憶體領(lǐng)域中,，EMI遮蔽需求雖然提高，但濺鍍方式也會隨著供給改變而有不同,。SK海力士一旦結(jié)束實驗并且投入量產(chǎn),，勢必會盡量滿足市場的需求。
三星這邊似乎遇到了問題
據(jù)韓媒ET News報導,，目前三星電子正與PROTEC,、諾信（Nordon Asymtek）、韓松化學（Hansol Chemical）,、Ntrium等多家點膠機（Dispense）業(yè)者,，共同研發(fā)以噴涂（Spray）方式進行EMI遮蔽制程。其中,，PROTEC與諾信負責研發(fā)設備,；韓松化學與Ntrium負責研發(fā)液態(tài)遮蔽材料。研發(fā)完成后,，三星電子就可在NAND Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜,，并且對蘋果iPhone供貨。三星電子計劃在2017年達成這項目標,。
然而報導指出,，三星與韓華檢視液體型態(tài)EMI遮蔽物質(zhì)工藝產(chǎn)出成果，發(fā)現(xiàn)銀與CNT仍無法均勻混和,，不能做為噴霧使用,，因此做出難以進入商用化的結(jié)論,，導致自主研發(fā)噴霧方式的計劃無法如期進行。
由于韓華的研發(fā)進度受阻,，三星重新將研發(fā)計劃外包給其他業(yè)者,，如三星SDI（Samsung SDI）電子材料事業(yè)部、國外材料業(yè)者等,，希望能趕上2017年下半的蘋果訂單,。但三星評估時程恐有延遲，只好決定將2017年蘋果iPhone的NAND Flash記憶體EMI遮蔽工藝,，委托臺廠先以濺鍍方式進行,。
韓國業(yè)界消息指出，最近三星半導體事業(yè)部已與臺灣封裝業(yè)者達成協(xié)議,，三星將委托臺廠進行NAND Flash芯片的EMI遮蔽作業(yè),。臺廠在取得三星已封裝完成的256GB NAND Flash后，以濺鍍方式進行EMI遮蔽,。
韓國業(yè)界相關(guān)人士表示,，三星開發(fā)液體EMI遮蔽物質(zhì)受阻后，又由于濺鍍機臺價格下跌,，三星內(nèi)部傳出不同意見,，質(zhì)疑是否一定得用噴霧式工藝進行EMI遮蔽。但若三星決定導入濺鍍式EMI遮蔽,，則可能會與委外的封裝業(yè)者發(fā)生專利糾紛,。
目前三星雖然遭遇遮蔽原料問題，但就算成功開發(fā)出可用來噴霧的EMI遮蔽物質(zhì),，噴霧式工藝良率不及干式工藝,，用在大量生產(chǎn)時也會有良率問題。