SK海力士（SK Hynix）正對(duì)噴霧式電磁波干擾（Electromagnetic Interference,；EMI）遮蔽（Shielding）技術(shù)量產(chǎn)可能性進(jìn)行評(píng)估,，有望接手過(guò)去委外進(jìn)行的EMI遮蔽工藝，著手研發(fā)噴霧式的EMI遮蔽技術(shù)，期望達(dá)成降低生產(chǎn)成本與提高產(chǎn)量的目標(biāo)。而為了重新回到蘋(píng)果NAND Flash供應(yīng)鏈，三星電子（Samsung Electronics）這邊在EMI遮蔽工藝研發(fā)也不甘落后，但似乎遇到了一些問(wèn)題。
想做蘋(píng)果供應(yīng)商,，先學(xué)會(huì)這項(xiàng)技術(shù)
據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，SK海力士未來(lái)技術(shù)研究院首席李弼秀（音譯）,，日前于首爾出席ET News與韓國(guó)半導(dǎo)體研究協(xié)會(huì)共同主辦的“半導(dǎo)體尖端封裝技術(shù)研討會(huì)”,，并在其間發(fā)表上述消息。
半導(dǎo)體芯片過(guò)去以屏蔽罩方式阻斷EMI,，近來(lái)隨著半導(dǎo)體芯片性能提高,，漸走向個(gè)別芯片均需EMI遮蔽處理，如此可預(yù)防芯片間電磁干擾引發(fā)的異常動(dòng)作,，電路板也可設(shè)計(jì)得更加精密,，芯片間距縮小后多出來(lái)的空間，可用于擴(kuò)充電池容量,，延長(zhǎng)產(chǎn)品待機(jī)時(shí)間,，然而增加新工藝將會(huì)提高主要芯片生產(chǎn)成本。
蘋(píng)果（Apple）相當(dāng)早就嘗試,，從2012年9月推出的iPhone 5開(kāi)始,，就要求用于iPhone的NAND Flash封裝，必須要有防電磁波干擾遮蔽技術(shù),。他們?cè)囘^(guò)將iPhone里搭載的個(gè)別半導(dǎo)體一一進(jìn)行封裝后,，試圖增加EMI遮蔽工藝。由于三星電子無(wú)法滿足蘋(píng)果的規(guī)格要求,，之后蘋(píng)果便未采用三星電子生產(chǎn)的NAND Flash存儲(chǔ)器,，如今三星有意重啟對(duì)蘋(píng)果供應(yīng)NAND Flash，這項(xiàng)技術(shù)能否實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要,。
2016年上市的Google Pixel手機(jī),，其無(wú)線區(qū)域網(wǎng)路芯片據(jù)說(shuō)也采用EMI屏蔽處理,，李弼秀認(rèn)為，將個(gè)別半導(dǎo)體芯片進(jìn)行EMI遮蔽的需求將會(huì)持續(xù)增加,。
濺鍍式和噴霧式有什么區(qū)別,？
目前搭載于iPhone的NAND Flash封裝是采LGA（Land Grid Array）。LGA是封裝的底部有針腳的形式,，因裝配到印刷電路板（PCB）時(shí),，針腳與電路板的插孔緊密貼合，因此在EMI遮蔽工藝只需在上半部進(jìn)行,。所以截至目前為止,，EMI遮蔽多采濺鍍（Sputtering）方式，將超薄金屬遮蔽材料覆蓋表面,。濺鍍機(jī)是將材料利用物理方式,，在目標(biāo)表面選擇性蒸鍍1層均勻薄膜,，但濺鍍方式處理速度不快,。
三星電子則認(rèn)為，如果未來(lái)NAND Flash采用BGA（Ball Grid Array）形式封裝,，底部會(huì)呈現(xiàn)球狀（Ball）,，若以濺鍍方式進(jìn)行EMI遮蔽，會(huì)產(chǎn)生許多空隙,，不容易完整包覆,。以噴霧式（Spray）工藝進(jìn)行EMI遮蔽，能順利將BGA的球狀部分完整覆蓋,。由于內(nèi)存多需大量供給,，因此業(yè)者紛紛考慮改采噴霧式EMI遮蔽技術(shù)。
噴涂設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是比濺鍍機(jī)便宜,。一組濺鍍機(jī)的設(shè)備若要50億韓元（約438．20萬(wàn)美元）,，噴涂設(shè)備只需7～8億韓元即可購(gòu)得。不僅如此,，用于噴涂的材料價(jià)格也較便宜,，可節(jié)省制程費(fèi)用。業(yè)界認(rèn)為,，就體積與重量而言,，BGA也比LGA來(lái)得有利。不過(guò)噴霧式EMI遮蔽為臺(tái)灣日月光集團(tuán)持有的核心專利,，這也是三星電子,、SK海力士考慮自行研發(fā)噴霧式EMI遮蔽技術(shù)的主因。
SK海力士與Ntrium,、Duksan Hi－Metal共同開(kāi)發(fā)液體（Ink）型態(tài)EMI遮蔽物質(zhì),，目前正在實(shí)驗(yàn)量產(chǎn)的可能性,；另一方面，三星也從2016年初便開(kāi)始與韓華化學(xué)（Hanwha Chemical）合作,，開(kāi)發(fā)液體型態(tài)EMI遮蔽物質(zhì),，韓華則以銀與納米碳管（CNT）進(jìn)行合成。若韓國(guó)記憶體業(yè)者有能力直接進(jìn)行EMI遮蔽工藝,，勢(shì)必將影響日月光EMI遮蔽工藝的工作量,。
李弼秀最后表示，在記憶體領(lǐng)域中,，EMI遮蔽需求雖然提高,，但濺鍍方式也會(huì)隨著供給改變而有不同。SK海力士一旦結(jié)束實(shí)驗(yàn)并且投入量產(chǎn),，勢(shì)必會(huì)盡量滿足市場(chǎng)的需求,。
三星這邊似乎遇到了問(wèn)題
據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，目前三星電子正與PROTEC,、諾信（Nordon Asymtek）,、韓松化學(xué)（Hansol Chemical）、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)（Dispense）業(yè)者,，共同研發(fā)以噴涂（Spray）方式進(jìn)行EMI遮蔽制程,。其中，PROTEC與諾信負(fù)責(zé)研發(fā)設(shè)備,；韓松化學(xué)與Ntrium負(fù)責(zé)研發(fā)液態(tài)遮蔽材料,。研發(fā)完成后，三星電子就可在NAND Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜,，并且對(duì)蘋(píng)果iPhone供貨,。三星電子計(jì)劃在2017年達(dá)成這項(xiàng)目標(biāo)。
然而報(bào)導(dǎo)指出,，三星與韓華檢視液體型態(tài)EMI遮蔽物質(zhì)工藝產(chǎn)出成果,，發(fā)現(xiàn)銀與CNT仍無(wú)法均勻混和，不能做為噴霧使用,，因此做出難以進(jìn)入商用化的結(jié)論,，導(dǎo)致自主研發(fā)噴霧方式的計(jì)劃無(wú)法如期進(jìn)行。
由于韓華的研發(fā)進(jìn)度受阻,，三星重新將研發(fā)計(jì)劃外包給其他業(yè)者,，如三星SDI（Samsung SDI）電子材料事業(yè)部、國(guó)外材料業(yè)者等,，希望能趕上2017年下半的蘋(píng)果訂單,。但三星評(píng)估時(shí)程恐有延遲，只好決定將2017年蘋(píng)果iPhone的NAND Flash記憶體EMI遮蔽工藝,，委托臺(tái)廠先以濺鍍方式進(jìn)行,。
韓國(guó)業(yè)界消息指出,，最近三星半導(dǎo)體事業(yè)部已與臺(tái)灣封裝業(yè)者達(dá)成協(xié)議，三星將委托臺(tái)廠進(jìn)行NAND Flash芯片的EMI遮蔽作業(yè),。臺(tái)廠在取得三星已封裝完成的256GB NAND Flash后,，以濺鍍方式進(jìn)行EMI遮蔽。
韓國(guó)業(yè)界相關(guān)人士表示,，三星開(kāi)發(fā)液體EMI遮蔽物質(zhì)受阻后,，又由于濺鍍機(jī)臺(tái)價(jià)格下跌，三星內(nèi)部傳出不同意見(jiàn),，質(zhì)疑是否一定得用噴霧式工藝進(jìn)行EMI遮蔽,。但若三星決定導(dǎo)入濺鍍式EMI遮蔽，則可能會(huì)與委外的封裝業(yè)者發(fā)生專利糾紛,。
目前三星雖然遭遇遮蔽原料問(wèn)題,，但就算成功開(kāi)發(fā)出可用來(lái)噴霧的EMI遮蔽物質(zhì)，噴霧式工藝良率不及干式工藝,，用在大量生產(chǎn)時(shí)也會(huì)有良率問(wèn)題,。