總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工,。2020年全面建成后,，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破,。
此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房,、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產,，2020年完成整個項目,，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元,。
據介紹,，國家存儲器基地項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)基金、湖北省地方基金,、湖北省科投共同投資建設,。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產品設計,、技術研發(fā),、晶圓生產與測試、銷售于一體,，建成后,，還將帶動設計、封裝,、制造,、應用等芯片產業(yè)相關環(huán)節(jié)的發(fā)展。
存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業(yè)規(guī)模經濟效益和先進制造工藝,，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品,。
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