存儲(chǔ)器芯片作為各類(lèi)智能終端產(chǎn)品不可缺少的元器件，一直掌握在三星、SK海力士、美光等巨頭手里，是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板之一,。近年來(lái)，在我國(guó)大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的背景下,，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片國(guó)產(chǎn)化已是大勢(shì)所趨,。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NAND Flash,，NOR Flash更是如此,，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇,。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度,，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星,、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星,、海力士,、東芝、閃迪,、美光和英特爾等六家瓜分,。

大力發(fā)展存儲(chǔ)器不僅是市場(chǎng)需求，同時(shí)也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要,。存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化是芯片產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化邁出的重要一步,，是中國(guó)政府在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到國(guó)家政策的扶持,，近期從國(guó)家層面到地方層面的政策及資本投資都是持續(xù)不斷的。

實(shí)現(xiàn)“零”突破

2016年年底,，總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢光谷開(kāi)工,。該項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城，將建設(shè)3座3D NAND Flash FAB廠房,。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn),；2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片／月,，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元,。

據(jù)悉，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì),、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試,、銷(xiāo)售于一體,。項(xiàng)目建成后，以此為龍頭將帶動(dòng)設(shè)計(jì),、封裝,、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，將為中國(guó)打破主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白,，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展提供重要支撐,。

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)接受采訪時(shí)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地動(dòng)工建設(shè),，標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，這是“國(guó)家戰(zhàn)略推動(dòng),、地方大力支持,、企業(yè)市場(chǎng)化運(yùn)作”新模式的成功探索。未來(lái),，這里將建起“航母級(jí)芯片工廠”。

機(jī)遇與挑戰(zhàn)

三大挑戰(zhàn)

存儲(chǔ)器進(jìn)入壁壘高：傳統(tǒng)的DRAM,，NAND Flash,，NOR Flash已經(jīng)是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，而且資金,、技術(shù)門(mén)檻極高,，三、四家龍頭公司霸占了全球90%以上的市場(chǎng),，這樣的市場(chǎng)進(jìn)入壁壘極高,。

存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)步快，追趕壓力大：存儲(chǔ)器技術(shù)按照摩爾定律發(fā)展,，每1~2年技術(shù)進(jìn)步一代,，三星、美光等領(lǐng)頭羊的量產(chǎn)技術(shù)不斷進(jìn)步,，大陸在技術(shù),、人才非常落后的情況下追趕的難度可想而知。

海外技術(shù)封鎖：半導(dǎo)體技術(shù)是信息技術(shù)的核心,，是美日等國(guó)對(duì)中國(guó)大陸技術(shù)封鎖的主要領(lǐng)域,，大陸企業(yè)在需求海外收購(gòu)和技術(shù)合作方面存在困難。紫光集團(tuán)通過(guò)收購(gòu)美光等海外企業(yè)或與海外企業(yè)合作開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的努力迄今未取得很大的進(jìn)展(不排除后續(xù)取得較大突破的可能性),。

三大機(jī)遇

發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)定決心：無(wú)論是從信息安全,，還是芯片國(guó)產(chǎn)化的角度，大力發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為共識(shí),。

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)迎來(lái)變革,，提供彎道超車(chē)機(jī)會(huì)：傳統(tǒng)2D結(jié)構(gòu)的DRAM和Flash技術(shù)在成本、性能等方面存在不足,。3D NAND已經(jīng)量產(chǎn),，3D DRAM、PCM，3D XPoint,，RRAM,，MRAM等各類(lèi)新存儲(chǔ)器技術(shù)日益成熟，有望取代傳統(tǒng)DRAM和Flash 成為主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,。

新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的差距小,，有望打破行業(yè)壟斷局面：最近10多年來(lái)，大陸的高校,、研究所,、企業(yè)等機(jī)構(gòu)在PCRAM、RRAM,、3D NAND等新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域不斷取得進(jìn)步,，與全球頂尖機(jī)構(gòu)的差距較小，有望成為彎道超車(chē)的突破口,。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)還需時(shí)日,，但是當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)政策支持和各地產(chǎn)學(xué)研的不斷努力，在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域周期調(diào)整之際是我們加入的好時(shí)機(jī),，加之現(xiàn)在互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展和云端技術(shù)的不斷成熟,，假以時(shí)日，我國(guó)的存儲(chǔ)器也會(huì)在國(guó)際上有一席之地,。