目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中,，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月,，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場,。其中,，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日,，兩者合作的結(jié)晶終于誕生,，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。
據(jù)介紹,，這種芯片比NAND芯片性能更強,，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍,，寫入速度快1000倍,，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實現(xiàn)TB級存儲,，還具備結(jié)構簡單,、易于制造等優(yōu)點。
另外,，按計劃更先進的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世,。
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