據(jù)海外媒體報(bào)道,，傳三星電子于2017~2018年,，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮,。

Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,，三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄,。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。

三星目前只使用西安廠腹地約34萬(wàn)坪中的20%,，且現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)量已達(dá)理論最大值。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為,，三星西安廠啟動(dòng)3年后的現(xiàn)在,，以投入晶圓為基準(zhǔn)計(jì)算，其3D NAND Flash晶圓月產(chǎn)能為12萬(wàn)片,。

專家推測(cè),，西安廠與韓國(guó)華城廠L12、L16并列三星NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),，平澤廠將于2017年第1季正式稼動(dòng),，加上西安廠第二期稼動(dòng)后，三星勢(shì)必需調(diào)整其產(chǎn)能分配,。

半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士認(rèn)為,，三星3D NAND Flash未來(lái)生產(chǎn)很可能以大陸西安廠及韓國(guó)平澤廠為主，并將其目前最大NAND Flash工廠L12部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)系統(tǒng)LSI或DRAM等產(chǎn)品,，逐漸降低NAND Flash產(chǎn)量,。

DRAMeXchange分析三星產(chǎn)能移轉(zhuǎn)狀況，指出L12于2016年第4季晶圓月均產(chǎn)能達(dá)19萬(wàn)片高峰后,，2017年第1季預(yù)估為17萬(wàn)片,，第3季以后將減至12萬(wàn)片;三星NAND Flash生產(chǎn)基地將階段性轉(zhuǎn)移至平澤廠及西安廠。

專家指出,，存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年起進(jìn)入前所未有的超級(jí)周期(Super Cycle)是促使三星增加設(shè)備投資的主因,。存儲(chǔ)器市場(chǎng)一般以3~4年為周期，交替出現(xiàn)熱況與萎縮,，超級(jí)周期指出現(xiàn)長(zhǎng)期熱絡(luò)的狀況,。

韓國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)者表示,，過(guò)去存儲(chǔ)器應(yīng)用主要限于電腦、智能手機(jī)等裝置,，可直接掌握市場(chǎng)需求變化,，隨近來(lái)包括服務(wù)器、汽車,、大數(shù)據(jù),、物聯(lián)網(wǎng)與人工智能(AI)等領(lǐng)域市場(chǎng)擴(kuò)大，對(duì)NAND Flash需求也進(jìn)一步提升,。

IC Insights預(yù)估,，2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)853億美元，較2016年773億美元成長(zhǎng)10.3%,，至2021年可望擴(kuò)大至1099億美元的規(guī)模,，年均成長(zhǎng)率將達(dá)7.3%。