據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年,，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元（約43．5億美元），以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮,。

Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄,。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用,。

三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的20％,，且現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)量已達(dá)理論最大值。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為,，三星西安廠啟動3年后的現(xiàn)在,，以投入晶圓為基準(zhǔn)計算，其3D NAND Flash晶圓月產(chǎn)能為12萬片,。

專家推測,，西安廠與韓國華城廠L12、L16并列三星NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點,，平澤廠將于2017年第1季正式稼動,，加上西安廠第二期稼動后，三星勢必需調(diào)整其產(chǎn)能分配,。

半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士認(rèn)為,，三星3D NAND Flash未來生產(chǎn)很可能以大陸西安廠及韓國平澤廠為主，并將其目前最大NAND Flash工廠L12部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)系統(tǒng)LSI或DRAM等產(chǎn)品,，逐漸降低NAND Flash產(chǎn)量,。

DRAMeXchange分析三星產(chǎn)能移轉(zhuǎn)狀況，指出L12于2016年第4季晶圓月均產(chǎn)能達(dá)19萬片高峰后,，2017年第1季預(yù)估為17萬片,，第3季以后將減至12萬片,；三星NAND Flash生產(chǎn)基地將階段性轉(zhuǎn)移至平澤廠及西安廠。

專家指出,，存儲器市場2017年起進(jìn)入前所未有的超級周期（Super Cycle）是促使三星增加設(shè)備投資的主因,。存儲器市場一般以3～4年為周期，交替出現(xiàn)熱況與萎縮,，超級周期指出現(xiàn)長期熱絡(luò)的狀況,。

韓國存儲器業(yè)者表示，過去存儲器應(yīng)用主要限于電腦,、智能手機(jī)等裝置,，可直接掌握市場需求變化，隨近來包括服務(wù)器,、汽車,、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)與人工智能（AI）等領(lǐng)域市場擴(kuò)大,，對NAND Flash需求也進(jìn)一步提升,。

IC Insights預(yù)估，2017年存儲器市場規(guī)模將達(dá)853億美元,，較2016年773億美元成長10．3％,，至2021年可望擴(kuò)大至1099億美元的規(guī)模，年均成長率將達(dá)7．3％,。