在近日于美國舉行的年度國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，三星(Samsung)與臺積電(TSMC)針對7奈米制程技術(shù),，分別提供了截然不同的觀點,；兩家公司都是介紹SRAM技術(shù)進展，而該技術(shù)通常都是新一代節(jié)點的關(guān)鍵推手,。

臺積電的論文描述了一款測試晶片,，能做為商用元件而且號稱擁有「健康的」良率；三星的論文則是敘述利用極紫外光(EUV)微影修復(fù)顯然是研發(fā)元件的經(jīng)驗,，并透露7奈米制程可能還需要等待幾年的時間,。兩家公司都想要成為提供先進制程晶圓代工服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，不過他們對于7奈米制程的策略卻大不相同,。

臺積電顯然是拿到了大部分的蘋果(Apple) iPhone處理器SoC生意,，這需要每年在制程技術(shù)上有一些進展；因此臺積電已經(jīng)開始為iPhone 7量產(chǎn)10奈米晶片,，并得在明年為iPhone 8量產(chǎn)7奈米晶片,。而沒了蘋果生意的三星，則可以在某種程度上的「名詞游戲」中喘口氣,；因此該公司會稍微延后7奈米的量產(chǎn)時程,，但以某種形式展現(xiàn)領(lǐng)導(dǎo)地位──就是EUV。

與英特爾(Intel)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域各顯身手、激烈競爭的兩家公司都有了一些令人贊賞的進展,，不過相關(guān)技術(shù)細節(jié)非常稀少,；臺積電在ISSCC敘述了一款256Mbit的7奈米制程SRAM測試晶片，儲存單元區(qū)域達到0.027mm見方,，如該公司記憶體部門總監(jiān)Jonathan Chang在簡報中所言：「是今年試產(chǎn)出的最小SRAM,。」

臺積電的商用SRAM將于今年進行試產(chǎn)
（來源：ISSCC）

而產(chǎn)生的SRAM宏單元(macro)會是臺積電的16奈米制程版本之0.34倍,，采用了7層金屬層,，整體裸晶尺寸則是42mm見方；Chang的簡報中,，關(guān)鍵內(nèi)容是這顆SRAM幾乎已經(jīng)「全熟」,，他表示：「我們現(xiàn)在已經(jīng)能以非常非常健康的良率生產(chǎn)…與我們的設(shè)計目標(biāo)相符?！?/p>

三星的EUV進展

三星的進展則更偏向研究,，開發(fā)的部分比較少；該公司打造了8 Mbit測試SRAM,，只能看到未來商用7奈米制程的一小部分,。

三星提供了其7奈米SRAM (上)會比10奈米SRAM (下)小30%的概念影像
（來源：ISSCC）

該晶片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星開發(fā)了一種創(chuàng)新的維修(repair)制程,，在現(xiàn)有的步進機以及EUV設(shè)備上都測試過,，而并不令人驚訝的，EUV的效果比較好,；一般來說維修并不是制程,，因此這項成果對于三星正在進行的7奈米制程EUV微影技術(shù)開發(fā)情況，能透露的不多,。

產(chǎn)業(yè)專家們大多認(rèn)為,，EUV將能在2020年左右準(zhǔn)備好應(yīng)用于某些關(guān)鍵層的制造；三星在去年底表示,，將在7奈米制程采用EUV微影,，但并沒有透露其應(yīng)用的局限程度。

三星是否會在所謂的7奈米制程落后臺積電一年,、兩年甚至三年,？結(jié)果仍有待觀察。

三星可以在任何時候決定并根據(jù)現(xiàn)實情況定義其EUV使用策略,，而或許該公司屆時也會在行銷語言上說他們家的7奈米制程更先進,，因為用了EUV。