文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2017.01.006
中文引用格式: 李照,,張戰(zhàn)國,,高博,等. 晶體管場環(huán)終端技術(shù)的優(yōu)化設(shè)計及應(yīng)用[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2017,,43(1):24-27.
英文引用格式: Li Zhao,Zhang Zhanguo,,Gao Bo,et al. Optimization design and application of transistor field ring termination technology[J].Application of Electronic Technique,,2017,,43(1):24-27.
0 引言
雙極型晶體管是半導(dǎo)體器件中最為通用的一種,特別是一些具有高耐壓,、大電流等性能的雙極型晶體管在電力電子技術(shù)領(lǐng)域獲得越來越廣泛的應(yīng)用,。為了提高晶體管的耐壓,已開發(fā)的高壓終端結(jié)構(gòu)有場板技術(shù),、刻槽技術(shù),、場環(huán)技術(shù)等,這幾種終端技術(shù)都有其各自不同的特點(diǎn),,其中場環(huán)技術(shù)可由常規(guī)工藝實(shí)現(xiàn),,且工藝簡單,提高耐壓效果好,,是一種常用的改善晶體管耐壓的有效方法,。本文主要研究場環(huán)終端技術(shù)的優(yōu)化設(shè)計及其在實(shí)際版圖設(shè)計中的應(yīng)用。
1 浮空場環(huán)的工作原理
在擴(kuò)區(qū)主結(jié)的四周設(shè)置浮空場環(huán)是提高擊穿電壓的一個有效方法,。浮空場環(huán)能夠有效改變主結(jié)附近的電場分布,,使曲面結(jié)的曲率半徑增大,抑制表面電場的集中,,從而提高器件的擊穿電壓,。圖1所示為同一結(jié)構(gòu)在添加浮空場環(huán)前后的耗盡層邊界對比。與未加浮空場環(huán)結(jié)構(gòu)相比,,主結(jié)附近增加了浮空場環(huán)的結(jié)構(gòu)其耗盡層邊界也發(fā)生了變化,,有效增大了結(jié)的曲率半徑,從而達(dá)到提高擊穿電壓的目的,。
2 浮空場環(huán)的設(shè)計優(yōu)化
浮空場環(huán)的設(shè)計重點(diǎn)是確定場環(huán)與主結(jié)的間距,,為了能有效改變主結(jié)附近的電場,浮空場環(huán)必須設(shè)置在主結(jié)的耗盡寬度內(nèi),,如果浮空場環(huán)距離主結(jié)過近,,其電勢會和主結(jié)很接近,因?yàn)楦唠妶龀霈F(xiàn)在浮空場環(huán)處,,并不能有效提高擊穿電壓,;而如果浮空場環(huán)設(shè)置得距離主結(jié)過遠(yuǎn),,其對主結(jié)電場的影響會很小,對擊穿電壓的提高也不明顯,。所以有必要將浮空場環(huán)設(shè)置在最佳的間距來提高擊穿電壓,。
本文主要針對的是一款高壓NPN晶體管的版圖設(shè)計時遇到的問題,該款晶體管采用刻槽工藝來滿足高耐壓要求,,但由于刻槽工藝相比場環(huán)工藝較難實(shí)現(xiàn),,而且需要專業(yè)的刻蝕設(shè)備,成本也較大,。所以選擇用浮空場環(huán)技術(shù)代替刻槽技術(shù)來滿足該款晶體管的高耐壓要求,。
在進(jìn)行浮空場環(huán)設(shè)計時,場環(huán)間距是一個很關(guān)鍵的參數(shù),。在最優(yōu)間距時,,主結(jié)與浮空場環(huán)同時達(dá)到擊穿臨界電場。在實(shí)際設(shè)計場環(huán)間距時主要考慮的因素包括:(1)場環(huán)與主結(jié)的最佳間距,;(2)基區(qū)和場環(huán)的橫向擴(kuò)散,。
2.1 場環(huán)與主結(jié)的最佳間距
根據(jù)經(jīng)驗(yàn),場環(huán)與主結(jié)的最佳間距WS一般在平行平面結(jié)擊穿時耗盡層寬度[1]的0.15~0.35倍范圍內(nèi),。對于本設(shè)計,,BVCBO需大于600 V,實(shí)際設(shè)計時考慮到20%的設(shè)計余量,,BVCBO設(shè)計值為720 V,。由于本設(shè)計CB結(jié)是由N型外延與P型基區(qū)擴(kuò)散區(qū)形成的PN結(jié),而外延相對于基區(qū)摻雜濃度很小,,因此該P(yáng)N結(jié)可近似為單邊突變結(jié)即該結(jié)耗盡區(qū)主要在外延這邊,,所以用單邊突變結(jié)時的耗盡區(qū)寬度計算公式進(jìn)行計算。
一般地,,若W為擊穿時的耗盡區(qū)寬度,,耗盡區(qū)寬度的計算公式為:
由于該P(yáng)N結(jié)近似于單邊突變結(jié),該集電區(qū)耗盡區(qū)寬度可用突變結(jié)耗盡層近似,,因而該公式可以簡化為:
根據(jù)圖2的單浮空場環(huán)歸一化最優(yōu)間距,,可以看出歸一化最優(yōu)間距隨著結(jié)歸一化結(jié)曲率半徑的增大而增大。最優(yōu)間距在平行平面結(jié)擊穿時耗盡層寬度的0.15~0.35倍范圍內(nèi),。通過對要設(shè)計晶體管樣品的解剖分析及仿真,,其基區(qū)結(jié)深為30 μm左右,通過計算已知擊穿時耗盡層寬度為67 μm,,可以得到其歸一化曲率半徑為0.44,,則其歸一化最優(yōu)場環(huán)解析值為0.35。所以場環(huán)的最優(yōu)間距WS=67×0.35≈23 μm。
2.2 考慮基區(qū)的橫向擴(kuò)散
由于基區(qū)在注入推結(jié)時,,雜質(zhì)離子在向縱向擴(kuò)散的同時還存在橫向擴(kuò)散,,所以在設(shè)置場環(huán)間距時必須考慮到結(jié)的橫向擴(kuò)散。本設(shè)計基區(qū)結(jié)深Xj=30 μm,,根據(jù)經(jīng)驗(yàn),雜質(zhì)離子橫向擴(kuò)散長度約為其縱向擴(kuò)散長度的80%,,所以基區(qū)的橫向擴(kuò)散長度為0.8Xj,。因場環(huán)與基區(qū)主結(jié)是同時形成的,所以兩邊的橫向擴(kuò)散都需要考慮,,這里需考慮的橫向擴(kuò)散總距離為2×0.8Xj=2×24 μm=48 μm,。
綜上所述,該產(chǎn)品版圖設(shè)計的場環(huán)距基區(qū)的主結(jié)間距是上述幾個值之和,,即:
實(shí)際版圖設(shè)計[3]時取整70 μm作為場環(huán)間距,。由式(3)可知,該產(chǎn)品版圖設(shè)計時場環(huán)的最優(yōu)間距為70 μm時滿足設(shè)計耐壓要求,。
3 仿真驗(yàn)證
為了驗(yàn)證場環(huán)是否能有效提高耐壓,,首先用Silvaco軟件對該產(chǎn)品加浮空場環(huán)前后的BVCBO(集電極-基極擊穿電壓)、BVCEO(集電極-發(fā)射極擊穿電壓)等電特性進(jìn)行了仿真,。隨后,,在相同條件下對采用浮空場環(huán)技術(shù)和刻槽技術(shù)的兩種不同結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行仿真,對比其仿真結(jié)果,。
仿真時,,采用電阻率為23 Ω·cm的N型襯底(摻磷雜質(zhì)濃度為2.1×1014/cm3),基區(qū)采用注入劑量為5E15的硼,,發(fā)射區(qū)采用注入劑量為8E17的磷,。
對于未加浮空場環(huán)的結(jié)構(gòu),其仿真結(jié)果如圖3,、圖4所示,。
圖3顯示了常規(guī)結(jié)構(gòu)的工藝仿真結(jié)果及CB結(jié)擊穿時的電場分布,從圖3(a)可看出其集電極-基極結(jié)擊穿時硅材料內(nèi)部的電場分布情況,,電場線的疏密代表電場的強(qiáng)弱,,電場線越密處電場越強(qiáng);從圖3(b)可看出其縱向結(jié)構(gòu),,基區(qū)結(jié)深30 μm,,發(fā)射區(qū)結(jié)深12 μm。圖4為未加浮空場環(huán)時仿真所得的器件特性,,由圖4仿真結(jié)果可以看出,,基區(qū)周圍未加浮空場環(huán)前,BVCBO不到700 V,,BVCEO約為460 V左右,。
由圖5仿真結(jié)果可以看出,,加浮空場環(huán)后,BVCBO達(dá)到800 V左右,,BVCEO為500 V左右,。圖6為CB結(jié)擊穿時,基區(qū)主結(jié)與浮空場環(huán)的電場分布,,電場線越密,,代表電場強(qiáng)度越強(qiáng),從圖6(a)中可以看出,,當(dāng)CB結(jié)擊穿時,,其電場線最密處出現(xiàn)在基區(qū)主結(jié)與場環(huán)結(jié)的拐點(diǎn)處,代表這兩處電場最強(qiáng),,即擊穿點(diǎn),;從圖6(b)中可以看出,當(dāng)CB結(jié)擊穿時,,基區(qū)主結(jié)與浮空場環(huán)同時達(dá)到擊穿臨界電場,。
對比上述仿真結(jié)果,可看出在相同仿真條件下,,加浮空場環(huán)的結(jié)構(gòu)與未加浮空場環(huán)的結(jié)構(gòu)相比,,其結(jié)擊穿電壓BVCBO提高了100 V左右,BVCEO提高了40 V左右,,擊穿電壓特性在加浮空場環(huán)后有明顯提高,。因此,場環(huán)終端技術(shù)確實(shí)能夠有效提高器件的耐壓特性,。
隨后通過對比解剖國外同類產(chǎn)品,,發(fā)現(xiàn)其芯片結(jié)構(gòu)采用了刻槽工藝[4]來提高耐壓。仿真時,,在其他仿真條件不變的前提下,,將浮空場環(huán)技術(shù)替換為刻槽技術(shù),槽深按實(shí)際解剖所得80 μm設(shè)計,,并對其耐壓特性進(jìn)行了仿真,,其工藝結(jié)構(gòu)及器件特性仿真結(jié)果如圖7、圖8所示,。
圖7所示為采用刻槽工藝時器件的縱向結(jié)構(gòu)及CB結(jié)擊穿時的電場分布,,電場線越密,代表電場強(qiáng)度越強(qiáng),,從圖中可以看出電場最強(qiáng)處出現(xiàn)在槽邊緣部位即擊穿點(diǎn)部位,。由圖8仿真結(jié)果可知,當(dāng)采用刻槽工藝時,BVCBO和BVCEO也分別能達(dá)到 800 V左右和500 V左右,。上述3種不同結(jié)構(gòu)器件仿真結(jié)果對比如表1所示,。
由上述結(jié)果可知,采用浮空場環(huán)技術(shù)與采用刻槽技術(shù)的器件特性仿真結(jié)果基本一致,,這兩種結(jié)構(gòu)相比常規(guī)結(jié)構(gòu)都能明顯提高器件的耐壓,。但是考慮到刻槽工藝需要專業(yè)的設(shè)備,而且工藝要求更高,,所以在實(shí)際芯片生產(chǎn)中可以采用更容易實(shí)現(xiàn)且成本較低的浮空場環(huán)工藝來替代刻槽工藝,,以達(dá)到芯片電特性要求。
在對該產(chǎn)品的實(shí)際版圖設(shè)計時進(jìn)行了拼版設(shè)計,,分別采用了兩種不同的技術(shù)來提高耐壓,一種是按實(shí)際解剖的結(jié)果采用刻槽工藝技術(shù),,另一種是采用浮空場環(huán)技術(shù)來提高耐壓,。采用拼版設(shè)計既可以節(jié)約研發(fā)成本,用一批實(shí)驗(yàn)流片實(shí)現(xiàn)兩種工藝技術(shù)的實(shí)驗(yàn)對比,,又可以縮短研發(fā)時間,。通過實(shí)際流片測試,其器件電特性都基本滿足設(shè)計要求,。
4 總結(jié)
通過上述的理論分析與仿真結(jié)果及實(shí)際流片結(jié)果,,可見浮空場環(huán)技術(shù)確實(shí)有效提高了器件的擊穿電壓。而且與刻槽技術(shù)相比,,場環(huán)技術(shù)更容易實(shí)現(xiàn),,不需要增加額外工藝步驟,也不需增加專業(yè)設(shè)備,,工藝可行性更高,,成本更低。通過理論計算及實(shí)驗(yàn)仿真可實(shí)現(xiàn)場環(huán)的設(shè)計優(yōu)化,,且其在工藝上容易實(shí)現(xiàn),,兼容性好。通過本次版圖設(shè)計,,體會到在以后的分立器件設(shè)計中,,不一定非要照搬樣品的結(jié)構(gòu)設(shè)計,而是應(yīng)該根據(jù)生產(chǎn)線的實(shí)際情況選擇成本最低,、更容易實(shí)現(xiàn)且工藝兼容性更好并能實(shí)現(xiàn)相同效果的設(shè)計,。
參考文獻(xiàn)
[1] 劉恩科,朱秉升.半導(dǎo)體物理學(xué)[M].北京:電子工業(yè)出版社,,2015.
[2] BALIGA B J.功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)[M].韓鄭生,,陸江,宋李梅,譯.北京:電子工業(yè)出版社,,2013.
[3] HASTINGS A.模擬電路版圖藝術(shù)[M].王志功,,譯.北京:電子工業(yè)出版社,2012.
[4] MAY G S,,施敏.半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)[M].代永平,,譯.北京:人民郵電出版社,2007.
作者信息:
李 照,,張戰(zhàn)國,,高 博,常正陽,,黃山圃
(航天科技集團(tuán)九院七七一研究所,,陜西 西安710000)