半導(dǎo)體行業(yè)最具吸引力領(lǐng)域遇上5G風(fēng)口,，將產(chǎn)生劇烈化學(xué)反應(yīng),。本報告深入剖析了5G大發(fā)展給射頻前端芯片領(lǐng)域帶來的技術(shù)革新和市場機遇，詳細梳理了射頻前端芯片各細分領(lǐng)域中國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè),。我們認(rèn)為：5G作為未來幾年最具確定性的市場機會,，將推動通信,、電子等多個行業(yè)完成產(chǎn)業(yè)升級，對全球經(jīng)濟產(chǎn)生深遠影響,。射頻前端芯片市場作為半導(dǎo)體行業(yè)最具吸引力的領(lǐng)域之一，將從此次產(chǎn)業(yè)升級中受益最大,，未來在現(xiàn)有產(chǎn)品線市場高速增長的同時,，在BAW濾波器、GaN PA和毫米波PA等領(lǐng)域?qū)a(chǎn)生全新發(fā)展機遇,，形成全產(chǎn)業(yè)鏈的整體性投資機會,。而對于國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)來說，5G的到來也是打破現(xiàn)有市場格局,，推動全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,，實現(xiàn)彎道超車的難得機遇。

Pre-5G先行,，5G標(biāo)準(zhǔn)化有序推進,。5G的發(fā)展是一個平緩的產(chǎn)業(yè)升級過程，目前工業(yè)界已經(jīng)形成了比較明確的Pre-5G概念,，即“基于標(biāo)準(zhǔn)4G網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)明顯超出LTE-Advanced Pro的性能”,，全球主要通信設(shè)備商、終端廠商,、芯片廠商面向Pre-5G概念的產(chǎn)品研發(fā)進行的如火如荼,。同時，5G標(biāo)準(zhǔn)正按照原定時間表有序推進,，第一版正式技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計將于2018年9月正式發(fā)布,。

5G多項關(guān)鍵技術(shù)直接推動射頻前端芯片市場成長。5G時代會有更多的頻段資源被投入使用,，多模多頻使射頻前端芯片需求增加,，同時Massive MIMO和波束成形、載波聚合,、毫米波等關(guān)鍵技術(shù)將助長這一趨勢,。物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)將借助5G通信網(wǎng)絡(luò)真正實現(xiàn)落地，成為驅(qū)動射頻前端芯片市場發(fā)展的新引擎,。根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Navian的預(yù)測,，僅移動終端中射頻前端芯片的市場規(guī)模將會從2015年的119.4億美元增長至2020年的212億美元,，年復(fù)合增長率達到15.4%。

目前全球射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)擁有較為成熟的產(chǎn)業(yè)鏈,，歐美IDM大廠技術(shù)領(lǐng)先,，規(guī)模優(yōu)勢明顯，臺灣企業(yè)則在晶圓制造,、封裝測試等產(chǎn)業(yè)鏈中下游占據(jù)重要地位,。5G對射頻前端芯片的更高要求催生出BAW濾波器、毫米波PA,、GaN工藝PA 等新的技術(shù)熱點,，形成新的產(chǎn)業(yè)驅(qū)動力。隨著現(xiàn)有產(chǎn)品線市場需求增加,，新產(chǎn)品實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,，預(yù)計未來兩年內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)將迎來一輪整體性的業(yè)績增長。

國內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的大趨勢下,，在射頻前端的各環(huán)節(jié)均取得突破：設(shè)計方面,，唯捷創(chuàng)芯(Vanchip)的3G/4G射頻前端方案已實現(xiàn)穩(wěn)定出貨，營收逐年增長,，銳迪科在與展訊合并為紫光展銳后,，對PA事業(yè)部投入巨大，迅速在多條產(chǎn)品線推出新產(chǎn)品,；代工方面,，三安光電與老牌砷化鎵、氮化鎵化合物半導(dǎo)體晶圓制造代工廠商GCS成立合資公司,，GaAs產(chǎn)線實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn),，GaN產(chǎn)線試產(chǎn)中；封測方面,，長電科技擁有的SiP和Flip-chip封裝工藝是提高射頻前端芯片集成度的核心技術(shù),。

射頻前端芯片是移動通信發(fā)展過程中最受益領(lǐng)域 

手機射頻前端模塊簡介

射頻前端模塊(RFFEM：Radio Frequency Front End Module)是手機通信系統(tǒng)的核心組件，對它的理解要從兩方面考慮：一是必要性,，是連接通信收發(fā)芯片(transceiver)和天線的必經(jīng)通路,；二是重要性，它的性能直接決定了移動終端可以支持的通信模式,，以及接收信號強度,、通話穩(wěn)定性、發(fā)射功率等重要性能指標(biāo),，直接影響終端用戶體驗,。

如圖1所示，射頻前端芯片包括功率放大器(PA：Power Amplifier),，天線開關(guān)(Switch),、濾波器(Filter),、雙工器(Duplexer和Diplexer)和低噪聲放大器(LNA：Low Noise Amplifier)等。

除通信系統(tǒng)以外,，手持設(shè)備中的無線連接系統(tǒng)(Wi-Fi,、GPS、Bluetooth,、FM和NFC等)對射頻前端芯片也有較強的需求,，如圖2所示。

2.從“五模十七頻”說起,，回溯2G到4G手機頻段發(fā)展

在4G普及的過程中,，“五模十三頻”、“五模十七頻”等概念成為高端手機芯片的重要標(biāo)志,，也成為手機廠商重要的宣傳熱點,。這并非是簡單的營銷噱頭，而體現(xiàn)了智能手機兼容不同通信制式的能力,，是手機通信性能的核心競爭力指標(biāo)。

在過去的十年間,，手機通信行業(yè)經(jīng)歷了從2G(GSM/CDMA),、2.5G(Edge)到3G(WCDMA/CDMA2000/TD-SCDMA)，再到4G(FDD-LTE/TD-LTE)兩次重大產(chǎn)業(yè)升級,。伴隨4G時代而來的是手機使用頻段的指數(shù)級增長,，圖3給出了到目前為止3GPP公布的E-UTRA(Evolved Universal Terrestrial Radio Access，演進的陸地?zé)o線接口)全部的頻段分布：

其中,，GSM使用的頻段為Band 2/3/5/8,，W-CDMA使用的頻段為Band 1/2/5，TD-SCDMA使用的頻段為Band 34/38,，TD-LTE使用的頻段為Band 34/38/39/40/41,，F(xiàn)DD-LTE使用的頻段為Band 1/3/4/7/17/20。

通常來說,，4G手機必須兼容2G和3G,，同時，由于全球分配的LTE頻譜眾多而且離散,，為滿足國際漫游的需求,，手機終端需要支持更多的頻段，從而催生了“五模十三頻”,、“五模十七頻”等概念,，具備這種功能的手機真正可以實現(xiàn)“一機在手，走遍全球”,。

3.2G到4G,，射頻前端芯片數(shù)量和價值均明顯增長

手機芯片向多模方向發(fā)展以及支持頻段數(shù)量指數(shù)性增加是手機射頻前端模塊數(shù)量快速增長的主要驅(qū)動因素,。觀察2G到4G射頻前端解決方案的三幅示意圖，可以形成兩點直觀感受：1,，射頻前端芯片數(shù)量不斷增長,；2，射頻前端系統(tǒng)復(fù)雜度不斷提高,。

圖4是2G功能手機(Feature Phone)的典型射頻前端解決方案,，主要的射頻前端芯片有：1個功率放大器模塊(PA)，2個發(fā)射低通濾波器(LPF),，2個接收濾波器(Saw Filter),，1個SP6T開關(guān)。其中,，功率放大器,、LPF Filter和SP6T Switch被集成到一顆PA Module里。

圖5是3G手機(WCDMA)的典型射頻前端解決方案,，主要的射頻前端芯片在2G方案的基礎(chǔ)上,，增加了2組PA Module和4組雙工器(Duplexer)。

圖6是4G LTE手機典型射頻前端解決方案,，支持“五模十二頻”,，可以看到，在4G時代,，射頻前端芯片不僅在數(shù)量上產(chǎn)生指數(shù)級增長,，在設(shè)計復(fù)雜度上更是大大提高。主要的射頻前端芯片有：1個集成頻段選擇開關(guān)的多模功率放大器(MMPA),，4個PA Module,，3個Duplexer/Multiplexer，6個接收/發(fā)射Filter,，1個用于TD-LTE模式的S1P2開關(guān),，分別用于高頻、低頻和分集電路的3個天線開關(guān)模塊,，1個接收分集濾波器,。

表1整理了2G至4G射頻前端解決方案中器件的數(shù)量，可以看到,，4G方案的射頻前端芯片數(shù)量相比2G方案和3G方案有了明顯的增長,。印證了我們對手機射頻前端芯片的數(shù)量隨著支持頻段數(shù)量的增加而指數(shù)級遞增的推論。

從更為直觀的角度觀察,，圖7給出了手機射頻前端模塊從2G到4G演進過程中價格和出貨量的變化數(shù)據(jù),。目前，高端4G智能手機中射頻前端模塊的價格合計已經(jīng)達到16.25美元,，中高端4G產(chǎn)品也有7.25美元,。相比2G手機的0.80美元和3G手機的3.25美元,，射頻前端模塊的單位產(chǎn)值有了幾倍、幾十倍的提高,，并且,，隨著4G通信網(wǎng)絡(luò)滲透率的不斷提高，高端4G手機的出貨量依然在不斷攀升中,。

射頻前端模塊市場分析：3年內(nèi)突破200億美元規(guī)模

1.市場整體規(guī)模和變化趨勢

如圖8所示,，根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Navian的數(shù)據(jù)，全球移動通信終端的出貨數(shù)量在不斷上漲,，到2017年,，已經(jīng)基本完成從功能手機到智能手機的產(chǎn)業(yè)升級，在經(jīng)過2011至2015年的飛速發(fā)展期之后,，智能手機的增長速度趨于放緩,，但隨之而來的換機需求使高端智能手機滲透率持續(xù)攀升，同時,，帶有移動通信功能的電子書閱讀器和平板電腦等應(yīng)用成為新的增長點,，預(yù)計到2019年，全球移動通信終端的總出貨數(shù)量可達28億臺,。

無論是移動通信終端產(chǎn)品數(shù)量的增加,，還是低端產(chǎn)品向高端演進帶來的質(zhì)量提高，均成為射頻前端模塊市場的重要驅(qū)動因素,。根據(jù)Navian的預(yù)測，2015年至2019年,，用于移動通信終端的射頻前端模塊總市場規(guī)模將會從119.4億美元增長至212.1億美元,，復(fù)合年增長率達到15.4%，如圖9所示,。

2.市場占有率分析,，巨頭企業(yè)優(yōu)勢難以撼動

射頻前端芯片市場主要分為兩大類，一類是使用MEMS工藝制造的濾波器,，以聲表面波濾波器(SAW)和體聲波濾波器(BAW)為代表,，一類是使用半導(dǎo)體工藝制造的電路芯片，以功率放大器(PA)和開關(guān)電路(Switch)為代表,。

傳統(tǒng)的SAW濾波器領(lǐng)域市場已趨向飽和,，Muruta、TDK和Taiyo Yuden占據(jù)了全球市場份額的80%以上,，升級替代產(chǎn)品BAW濾波器近來成為市場焦點,，成為MEMS市場的中增長最快的細分產(chǎn)品，根據(jù)市場分析機構(gòu)IHS Supply的調(diào)研結(jié)果,，當(dāng)前BAW的核心技術(shù)主要掌握在Avago(Broadcom)和Qorvo手中,，兩家公司幾乎瓜分了全部市場份額,，如圖10所示。

功率放大器市場主要分為終端市場和以基站為代表的通信基礎(chǔ)設(shè)施市場,，相比目前終端市場約130億美元的總?cè)萘?，基站功率放大器市場?guī)模相對較小，在6億美元至7億美元左右,?！暗媒K端者得天下”的局面短期內(nèi)不會發(fā)生改變。

我們根據(jù)全球主要功率放大器供應(yīng)商的營業(yè)收入規(guī)模分別整理出了市場占有率示意圖,，如圖11和圖12所示,。在終端功率放大器市場，形成了Skyworks,、Qorvo和Broadcom(Avago)三家企業(yè)寡頭競爭的局面,，三家企業(yè)合計占據(jù)了90%以上的市場份額，而在基站功率放大器市場,，NXP和Freescale在合并前總共占據(jù)了51.1%的市場份額,，在反壟斷法的限制下，NXP將原有的RF Power部門出售給了北京建廣資產(chǎn)管理公司,，目前NXP和Infineon在這一領(lǐng)域的市場占有率方面優(yōu)勢明顯,。

3.深入財務(wù)數(shù)據(jù)分析，揭秘寡頭企業(yè)核心競爭力

3.1 Qorvo主要財務(wù)數(shù)據(jù)分析

Qorvo(Nasdaq：QRVO)是業(yè)界兩家領(lǐng)先射頻解決方案公司RF Micro Devices和TriQuint Semiconductor合并后的新公司,，此項合并在2015年8月份正式完成,，因此合并財務(wù)報表中的2015年度數(shù)據(jù)僅包含TriQuint三個月的財務(wù)數(shù)據(jù)。Qorvo的主要財務(wù)數(shù)據(jù)如表2所示,。

合并后的Qorvo有兩個重要的產(chǎn)品線：移動設(shè)備產(chǎn)品線,、基站和軍工設(shè)備產(chǎn)品線，這兩個產(chǎn)品線分別針對不同的市場,，而且在先進技術(shù)研發(fā)方面存在互補關(guān)系,，創(chuàng)新性的技術(shù)通常會首先應(yīng)用在軍工產(chǎn)品方面，然后擴展到基站設(shè)備,，最后應(yīng)用到移動終端設(shè)備,，而移動終端設(shè)備的大規(guī)模的量產(chǎn)又會降低新工藝的成本，并且貢獻較大的營業(yè)收入和營業(yè)利潤,，形成良性循環(huán),。

3.2 Skyworks主要財務(wù)數(shù)據(jù)分析

Skyworks Solutions(Nasdaq：SWKS)是一家無線半導(dǎo)體公司，設(shè)計并生產(chǎn)應(yīng)用于移動通信領(lǐng)域的射頻及完整半導(dǎo)體系統(tǒng)解決方案,。該公司向全球范圍內(nèi)的無線手持設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施客戶供應(yīng)前端模塊,、射頻子系統(tǒng)及系統(tǒng)解決方案。

3.3 Broadcom主要財務(wù)數(shù)據(jù)分析

2015年5月，新加坡半導(dǎo)體制造商Avago科技公司宣布同芯片制造商Broadcom公司達成一份協(xié)議,，Avago將支付170億美元現(xiàn)金以及價值200億美元的Avago普通股股份,，以370億美元的價格收購Broadcom。

新公司的名稱為Broadcom Limited(Nasdaq：AVGO),，主要聚焦III-V族復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計和工藝技術(shù),，提供廣泛的模擬、混合信號以及光電零組件產(chǎn)品和系統(tǒng)設(shè)計,、開發(fā),，目前主要的產(chǎn)品線有無線通信、有線基礎(chǔ)設(shè)施,、企業(yè)存儲,、工業(yè)及其他等。Broadcom的主要財務(wù)數(shù)據(jù)如表4所示,。

3.4 三大寡頭企業(yè)財務(wù)數(shù)據(jù)點評

根據(jù)三大IDM寡頭公司的年報,，移動通信產(chǎn)品線營業(yè)收入合計約91億美元，占據(jù)了全球PA市場的幾乎全部份額,，短期內(nèi)三大寡頭公司的優(yōu)勢地位難以撼動,。

經(jīng)過對寡頭公司財務(wù)數(shù)據(jù)的分析可以看到他們?nèi)绾涡纬勺约旱暮诵母偁幜Γ菏紫龋蠊驹谝苿油ㄐ派漕l前端市場的毛利率均高于40%,，最高可以達到50%,，凈利率約30%，說明寡頭公司利用技術(shù)優(yōu)勢和規(guī)模效應(yīng),，形成了較深的護城河,，具有極強的盈利能力。其次,，三大IDM寡頭公司不約而同的將營業(yè)收入的10%到20%投入到研發(fā)中,，積極開發(fā)面向未來的先進工藝技術(shù)，以繼續(xù)保持自己的競爭力優(yōu)勢,。

4.只待捅破窗戶紙，國內(nèi)射頻前端企業(yè)競爭力分析

伴隨著移動通信的跨越式發(fā)展,，中國已經(jīng)形成了全球規(guī)模最大,、最有活力的消費電子市場，在這片沃土不僅孕育出了華為海思,、紫光展銳等優(yōu)秀的手機處理器平臺方案廠商,，也涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀的射頻前端芯片企業(yè)，他們在“依靠成本優(yōu)勢從低端產(chǎn)品切入,，迅速拓展高端產(chǎn)品線”的策略下不斷發(fā)展壯大,，在殘酷的市場尋找自己的競爭優(yōu)勢。銳迪科(RDA)的GaAs功能機PA，漢天下的CMOS功能機PA,，Vanchip的GaAs 3G/4G智能機PA,，都是有著良好市場表現(xiàn)的明星產(chǎn)品。面對寡頭企業(yè)的壟斷局面,，他們不僅成功的存活下來,，而且依靠強大的成本控制能力將世界巨頭們趕出了某些細分領(lǐng)域，比如,，銳迪科和漢天下的2G PA產(chǎn)品在毛利率降至35%時依然可以保證約10%的凈利潤,，迫使Skyworks逐步退出2G PA市場，唯捷創(chuàng)芯的3G/4G PA在中低端智能機領(lǐng)域同樣有類似表現(xiàn),，可見,，競爭策略前半句“依靠成本優(yōu)勢從低端產(chǎn)品切入”的小目標(biāo)已基本實現(xiàn)。

5.射頻前端芯片企業(yè)競爭新趨勢

5.1全產(chǎn)品線成為一線大廠必備

如前所述,，在移動通信從2G到4G發(fā)展的過程中,，射頻前端芯片數(shù)量飛速增長，結(jié)構(gòu)復(fù)雜度指數(shù)級增加,，傳統(tǒng)的分立器件在PCB板上集成的方式已無法滿足系統(tǒng)需求,，將多個射頻前端芯片在單顆芯片內(nèi)部集成的方法已經(jīng)成為中高端市場的主流，高集成度方案有以下幾大優(yōu)勢：1)簡化設(shè)計,；2)使射頻前端產(chǎn)品小型化,；3)降低能量損耗；4)提高系統(tǒng)性能,；5)降低射頻解決方案成本,，并有利于客戶快速推出新產(chǎn)品。

高集成度方案要求射頻前端芯片廠商擁有PA,、Switch,、Duplexer、Filter全產(chǎn)品線,，同時,，擁有獨立的封裝廠和制造廠也有利于加快高集成度產(chǎn)品的研發(fā)進度，觀察幾家射頻前端芯片寡頭公司Skyworks,、Broadcom,、Qorvo和Muruta，近幾年均通過內(nèi)部研發(fā)或外部并購?fù)瓿闪巳a(chǎn)品線布局,，并且推出了高集成度產(chǎn)品的獨立品牌,，如Qorvo的RF Fusion、RF Flex,，Skyworks的SkyOne等,。

5.2 手機處理器主芯片廠商切入PA業(yè)務(wù)

隨著智能手機滲透率逐漸飽和，手機處理器芯片廠商的增長速度開始放緩，加之越來越多的智能手機廠商加強對自有處理器芯片的研發(fā),，并應(yīng)用至自家的旗艦產(chǎn)品中,，如蘋果的A系列、三星的Exynos,、華為的麒麟,、小米的松果等，傳統(tǒng)的手機處理器芯片廠商在次旗艦,、中低端市場的爭奪更加激烈,，接近飽和的市場難以容納高通、MediaTek,、展訊三家平臺型方案公司,，價格戰(zhàn)不可避免，處理器主芯片的毛利持續(xù)下降,，出于提高平臺方案產(chǎn)品毛利,、加快平臺方案研發(fā)速度、豐富產(chǎn)品線種類等方面考慮,，手機平臺方案公司均在大力發(fā)展自有PA產(chǎn)品線,。

我們認(rèn)為，手機處理器主芯片廠商切入射頻PA領(lǐng)域,，是其在主營業(yè)務(wù)競爭激烈,，毛利率出現(xiàn)下滑局面下的橫向擴張，主要看中射頻前端芯片較強的盈利能力,，在擁有自家的“嫡系部隊”之后,，勢必鼓勵平臺方案客戶使用自家PA產(chǎn)品，長期來看,，這一趨勢會對Qorvo,、Avago、Skyworks,、Vanchip等獨立PA供應(yīng)商產(chǎn)生較為不利的影響,。但是同時也要看到，射頻PA整體的市場仍處于強勁增長中,，蛋糕足夠大,，而且手機終端廠商為增加談判籌碼，經(jīng)常選用多家射頻PA供應(yīng)商,，因此獨立PA供應(yīng)商對市場大可不必產(chǎn)生悲觀情緒。

商用倒計時—5G的腳步聲近了

1.性能全面提升,，5G通信網(wǎng)絡(luò)概述

總結(jié)來說,，5G通信網(wǎng)絡(luò)的技術(shù)特點為：更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、更低的數(shù)據(jù)傳輸延時、更高的數(shù)據(jù)傳輸密度和更好的高速通信能力,。

出于上述技術(shù)特點,，5G通信網(wǎng)絡(luò)在增強型移動寬帶、大規(guī)模機器通信和高可靠低時延通信等方面的應(yīng)用場景將迎來爆發(fā),，比較有代表性的有：智慧城市,、智能家居、3D視頻和超高清顯示,、云端辦公和娛樂,、增強現(xiàn)實、工業(yè)自動化和自動駕駛等,。提出接近十年的物聯(lián)網(wǎng)概念將依托5G移動網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)落地,，萬物互聯(lián)的時代即將到來。

2.5G標(biāo)準(zhǔn)演進路線圖

2.1 5G標(biāo)準(zhǔn)制定情況

目前來說,，推動5G演進的國際標(biāo)準(zhǔn)化組織主要是ITU(國際電信聯(lián)盟)和3GPP(3rd Generation Partner Project),。圖16給出了ITU和3GPP的5G系統(tǒng)推進時間表，5G系統(tǒng)的推進按照研究,、標(biāo)準(zhǔn)化和產(chǎn)品化可以分為四個主要階段：

第一階段：2016年之前,，ITU主要進行針對愿景、趨勢和頻譜的前期研究工作,，而3GPP 將會開展針對過渡性技術(shù)方案的研究和標(biāo)準(zhǔn)化工作,。第二階段：2016至2017年，ITU將會定義5G的技術(shù)需求和評估方法,，而3GPP自Release-14正式開始5G技術(shù)的研究工作,，這部分工作主要集中在SI(Study Item)階段。第三階段：2018年,，ITU開始征集5G候選方案,，3GPP的工作則會從SI向WI(Work Item)進行轉(zhuǎn)換。在3GPP將于2018年9月發(fā)布的Release-15中,，將會給出第一版5G技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),，企業(yè)會以此標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)進入產(chǎn)品化階段，5G商用將正式拉開序幕,。第四階段：2019年到2020年,，ITU將正式開始5G標(biāo)準(zhǔn)化工作，3GPP將于2019年12月發(fā)布Release-16,，公布增強版5G標(biāo)準(zhǔn),，主要針對毫米波頻段。2020年將進入正式商用階段,。

2.2 國內(nèi)運營商5G商用時間表

2.3 2016年全球5G大事記

3.5G射頻空口關(guān)鍵技術(shù)分析

3.1 載波聚合,，有效利用碎片化頻段

載波聚合技術(shù)(Carrier Aggregation,，CA)并非是未來的新科技，事實上,，它已經(jīng)在4G通信網(wǎng)絡(luò)得到了廣泛應(yīng)用,。載波聚合可以將多個LTE載波信號合成在一起，從而擴展通信帶寬,，提高上下行數(shù)據(jù)傳輸速率,，如圖17所示。

如前所述,，5G時代最高峰值數(shù)據(jù)傳輸速率將達到20Gbps,，載波聚合必定成為實現(xiàn)這個目標(biāo)的核心技術(shù)，而5G增加的多個頻段又可以提供更多載波資源,，使更多載波的聚合具備了基礎(chǔ),。另一方面，進入5G時代后,，6GHz以下的頻譜資源變的更加擁擠和碎片化,，載波聚合技術(shù)可以將多個分散頻率合成在一起，提高通信帶寬的特性將大有用武之地,。

3.2 毫米波,，高帶寬帶來高數(shù)據(jù)傳輸速率

毫米波是指波長在毫米數(shù)量級的電磁波，其頻率大約在30GHz~300GHz之間,。根據(jù)通信原理,，無線通信的最大信道帶寬大約是載波頻率的5%左右，因此載波頻率越高,，可實現(xiàn)的信號帶寬也越大,，而帶寬則進一步直接決定了數(shù)據(jù)的最高傳輸速率。

在毫米波頻段中,，28GHz頻段和60GHz頻段是最有希望使用在5G的兩個頻段,。28GHz頻段的可用頻譜帶寬可達1GHz，而60GHz頻段每個信道的可用信號帶寬則到了2.16GHz(整個9GHz的可用頻譜分成了四個信道),。相比而言,，4G-LTE頻段最高頻率的載波在2GHz上下，而可用頻譜帶寬只有100MHz,。因此,，如果使用毫米波頻段，頻譜帶寬會有10倍至20倍的提升,，最高數(shù)據(jù)傳輸速率相比4G提高20倍將成為現(xiàn)實,。

3.3 Massive MIMO和波束成形，實現(xiàn)空分多址

MIMO(Multiple-Input Multiple-Output)是指在發(fā)射端和接收端分別使用多個發(fā)射天線和接收天線,，使信號通過發(fā)射端與接收端的多個天線傳送和接收,，從而改善通信質(zhì)量的技術(shù),。

Massive MIMO的核心技術(shù)優(yōu)勢在于通過調(diào)整大規(guī)模天線陣列中每個陣元的加權(quán)系數(shù)產(chǎn)生具有指向性的波束(波束成形)，從而帶來明顯的信號方向性增益,，即便不同的用戶之間使用相同的載波頻率，也可以消除相互干擾,，從而實現(xiàn)空分多址(SDMA,，Space Division Multi Access)，提高頻率效率,。

3.4 微基站,，靈活部署實現(xiàn)深度覆蓋

毫米波的應(yīng)用使基站天線尺寸降低至毫米量級，使得傳統(tǒng)基站有了小型化的可能,，同時,，其在空氣中傳輸時的衰減特性也對室內(nèi)基站密度提出了更高的要求，進入5G通信時代,，在室內(nèi)空間大規(guī)模建設(shè)微型基站成為重要的發(fā)展趨勢,。微基站具有體積小巧、靈活部署的特點,，可以很好的解決局部熱點對信號和容量的需求,，實現(xiàn)深度覆蓋，增加網(wǎng)絡(luò)容量,，提升用戶感知,。

5G技術(shù)推動射頻前端芯片的發(fā)展

1.Sub-6GHz先行，更多頻譜資源將投入使用

5G標(biāo)準(zhǔn)目前在緊鑼密鼓的制定中,，按照我們在上文中整理的演進路線圖,，第一版標(biāo)準(zhǔn)將成形于2018年9月3GPP發(fā)布的Release-15。雖然5G的頻譜資源劃分尚未標(biāo)準(zhǔn)化,，但從近期各大通信運營商,、設(shè)備商的研究工作來看，國際通信巨頭之間在發(fā)展路線上的分歧已經(jīng)得到彌合,，形成了較為清晰的研究方向,。

中國無線電管理局已于2016年1月批準(zhǔn)在3.4-3.6GHz頻段進行5G試驗，并且正在努力爭取將3.3-3.4GHz,、4.4-4.5GHz和4.8-4.99GHz幾組頻段劃分至公眾移動通信進行應(yīng)用,。

2016年11月，歐盟委員會無線頻譜政策組正式發(fā)布了歐洲5G頻率戰(zhàn)略,，將3.4-3.8GHz頻段劃分為2020年前進行5G網(wǎng)絡(luò)部署的主要頻段,，并確定將700MHz頻段用于5G廣覆蓋。

回顧上文中整理的E-UTRA頻段規(guī)劃,，無論是700MHz頻段還是3.4-3.8GHz頻段,，均為3GPP在長期演進計劃(LTE)標(biāo)準(zhǔn)中已確定的頻譜資源,，這意味著在世界主要國家已基本達成共識，在5G發(fā)展初期,，將Sub-6GHz的頻譜資源作為研究的前沿陣地,，在現(xiàn)有4G空口的基礎(chǔ)上進行技術(shù)創(chuàng)新，滿足5G應(yīng)用場景的需求,。

對于移動通信終端設(shè)備中的射頻前端芯片,，Sub-6GHz頻譜資源的進一步開放意味著需要支持頻段的進一步擴展，PA,、Filter,、Duplexer/Diplexer和Switch的數(shù)量相比4G均會進一步增加，之前我們提到4G旗艦手機全部射頻前端芯片的價格約是3G手機的5倍,，這一數(shù)字在5G時代將會進一步增加,。

2.載波聚合數(shù)量成倍增長給射頻前端芯片設(shè)計帶來了新的挑戰(zhàn)

如上文所述，載波聚合(Carrier Aggregation, CA)技術(shù)是提高數(shù)據(jù)傳輸速率的重要途徑,，為達到ITU為5G標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的最高20Gbps下行速率標(biāo)準(zhǔn),，載波聚合數(shù)量在5G標(biāo)準(zhǔn)中必將成倍增長。在當(dāng)前的4G(LTE-A)標(biāo)準(zhǔn)中,，最高支持5個20MHz載波聚合,，實現(xiàn)100MHz帶寬，而進入5G時代后,，載波聚合數(shù)量可能會達到32甚至64,。

載波聚合數(shù)量的成倍增長為射頻前端芯片的設(shè)計帶來了新的挑戰(zhàn)，其中最大的挑戰(zhàn)是串?dāng)_問題,。以中國境內(nèi)FDD-LTE系統(tǒng)廣泛應(yīng)用的Band 1和Band 3雙載波聚合方案為例,，如圖24所示，當(dāng)使用載波聚合方案時,，Band 1 Tx/Rx和Band 1 Tx/Rx同時工作,，由于Band 1和Band 3頻率接近，因此除了需要防止同一頻段內(nèi)部發(fā)射和接收通路之間的相互干擾之外,，還需要防止不同頻段之間信號的互相干擾,，為了解決這個問題，需要將傳統(tǒng)的Filter和Duplexer技術(shù)升級為Multiplexer(多工器)技術(shù),，將全部載波聚合頻率的發(fā)射和接收濾波器集成到同一器件中,，以便進行協(xié)同設(shè)計和匹配，以滿足性能要求,。

隨著載波聚合數(shù)量的增加,，Multiplexer的復(fù)雜度會急劇上升，如圖25所示,，當(dāng)使用三載波聚合時,，已經(jīng)需要將6個濾波器集成到一個Multiplexer內(nèi)部,，無論是從集成角度還是從性能優(yōu)化角度，對供應(yīng)商的技術(shù)能力都是極大的考驗,。

3.推動高頻濾波器向BAW方向技術(shù)升級

聲表面波(Surface Acoustic Wave,，SAW)濾波器是目前在移動通信系統(tǒng)中最廣泛使用的射頻器件，其基本結(jié)構(gòu)如圖26所示,，通過壓電材料上制作的兩個叉指換能器(Interdigital Transducer,，IDT)，完成電信號-聲波-電信號的轉(zhuǎn)換,，并實現(xiàn)選頻功能，聲波信號沿襯底水平方向進行傳播,。

限制SAW濾波器發(fā)展的瓶頸主要有兩個：一是在高頻應(yīng)用時性能明顯下降,，當(dāng)頻率高于1GHz時，濾波器的質(zhì)量因子(Q值)降低,，使插入損耗增加,，頻率選擇性變差，當(dāng)頻率高于2.5GHz時,，已無法用于對性能要求較高的通信系統(tǒng),；二是頻率隨溫度變化較大，通常高達-45ppm/℃,。為解決這一問題,，可以選擇通過在IDT器件表面增加溫度特性更加穩(wěn)定的圖層進行補償(Temperature Compensation，TC),，TC-SAW濾波器的溫度系數(shù)可以達到-15至-25 ppm/℃,，但由于光罩層數(shù)的增加，成本也要相應(yīng)提高,。

工業(yè)界普遍認(rèn)為,，在低于1.5GHz的應(yīng)用場景中，SAW濾波器的性能通?？梢詽M足系統(tǒng)要求,，同時由于成本更加低廉，依然會得到廣泛應(yīng)用,。而在高于1.5GHz的應(yīng)用場景中,，BAW濾波器的優(yōu)勢將會十分明顯。圖27給出了BAW濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖,，和SAW濾波器不同的是,，在BAW濾波器中，聲波是沿垂直于襯底方向傳播的,，金屬極板分別被放置在壓電材料的上下兩側(cè),，諧振頻率主要由壓電材料的厚度決定,，這種結(jié)構(gòu)使BAW濾波器在高頻應(yīng)用時仍擁有較高的Q值，最高工作頻率可以達到6GHz,。

4.基站射頻前端芯片市場,，三大技術(shù)營造氮化鎵PA風(fēng)口

明日之星GaN是典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體工藝，以在國防領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,，如軍用雷達等,，它具有以下得天獨厚的優(yōu)勢：首先，相比硅基工藝1.1eV的禁帶范圍,，GaN則達到了3.4eV,，因此具有更強的耐壓能力；其次,，GaN具有更高的電子飽和速度,，這意味著可以達到更高的能量密度；第三,，GaN可以工作在更高的頻率下,；最后，GaN具有良好的散熱能力,。表9總結(jié)了兩種工藝在主要性能指標(biāo)上的對比,。

在第三章中我們重點分析了5G的關(guān)鍵技術(shù)，這些技術(shù)的影響力在移動通信基站市場體現(xiàn)的淋漓盡致,，毫米波,、Massive MIMO和波束成形、微基站(Small Cell)這三大技術(shù)將形成合力,，共同營造一個巨大的風(fēng)口,，而GaN技術(shù)則正是這個風(fēng)口上的“豬”。

總結(jié)來看,，5G時代的三大核心技術(shù)對基站射頻功率器件提出的要求有：高頻率,、高效率、高帶寬,、高線性度,、小尺寸、良好的散熱能力,、可在多種電壓域下進行工作,，這與GaN工藝的特點完美契合。圖31給出了5G移動通信基站的技術(shù)演進路線圖,，可以看到,，微基站、分布式天線系統(tǒng)(Distributed Antenna System，DAS),、Massive MIMO和波束成形將最早落地,，預(yù)計對射頻前端市場的影響在2018年就會有明顯體現(xiàn)，而毫米波從研發(fā)到應(yīng)用具有更長的時間周期,，屬于長期利好,。

射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)鏈分析

1.全球終端功率放大器產(chǎn)業(yè)鏈概貌

如前所述，射頻前端芯片市場主要分為兩大類：一類是使用半導(dǎo)體工藝(GaAs,、GaN,、CMOS等)制造的電路芯片，以功率放大器(PA)和開關(guān)電路(Switch)為代表,；一類是使用MEMS工藝制造的濾波器,，以聲表面波濾波器(SAW)和體聲波濾波器(BAW)為代表。

長期以來,，終端功率放大器市場一直占據(jù)著整個射頻前端芯片市場最大的市場份額,，也是最重要的增長驅(qū)動力量，而GaAs工藝憑借其在工作頻率,、效率、線性度等方面的優(yōu)勢,，成為終端功率放大器領(lǐng)域的主流工藝,，在全球范圍內(nèi)建立起了完整成熟的產(chǎn)業(yè)鏈，如圖34所示,。

在很長一段時間內(nèi),，參與移動終端功率放大器芯片產(chǎn)業(yè)鏈的大陸本土企業(yè)僅有芯片設(shè)計公司，產(chǎn)業(yè)鏈的中下游被歐美,、臺灣公司所把控,，隨著國家集成電路大基金的設(shè)立，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移,，大陸企業(yè)通過新設(shè)公司,、并購、設(shè)立合資公司等多種手段逐漸參與,、融入到全球產(chǎn)業(yè)鏈中,，相信在不遠的將來大陸公司將成為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一股重要力量。

2.全球終端功率放大器產(chǎn)業(yè)鏈分析——晶圓制造企業(yè)

長期以來,，用于終端的功率放大器芯片以GaAs工藝為主,，十年前，主要的GaAs晶圓制造廠集中在美國,，如Skyworks等,，而隨著半導(dǎo)體制造業(yè)向亞洲轉(zhuǎn)移，臺灣成為最大的收益者。

根據(jù)市場調(diào)查公司Strategy Analysis的數(shù)據(jù),，2015年初時全球最大的GaAs晶圓制造廠為臺灣穩(wěn)懋(Win semiconductors),，市占率高達58.7%，當(dāng)時尚未同RFMD合并的TriQuint排名第二,，接下來依次是臺灣宏捷科(AWSC)和臺灣上市公司GCS(環(huán)宇),，如圖36所示。

國內(nèi)方面,，三安光電以外延式增長的方式切入GaAs,、GaN晶圓制造市場，并得到了國家集成電路大基金和地方基金的支持,。雖然收購臺灣上市公司GCS(環(huán)宇)的交易沒有取得成功,，但雙方已于2016年11月宣布成立合資公司，深度合作仍然可以展開,。三安光電的目標(biāo)是建設(shè)30萬片/年6寸的GaAs產(chǎn)線和6萬片/年6寸的GaN產(chǎn)線,。目前公司化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)參與的客戶設(shè)計案263個，有19個芯片通過性能驗證,，部分客戶開始出貨,。

3.全球終端功率放大器產(chǎn)業(yè)鏈分析——芯片封裝企業(yè)

隨著射頻前端解決方案的復(fù)雜度越來越高，封裝技術(shù)的重要性越發(fā)被工業(yè)界認(rèn)可,。以手機射頻前端為例,，隨著整體架構(gòu)復(fù)雜度不斷上升，為滿足小型化的要求,，需要將功率放大器,、濾波器和Switch開關(guān)電路集成為一顆芯片，然而,，功率放大器通常使用GaAs HBT工藝制造,，濾波器使用RF MEMS工藝，Switch使用GaAs pHEMT或SOI工藝,，多種工藝技術(shù)的應(yīng)用使得他們的集成嚴(yán)重依賴先進封裝技術(shù),，這也是IDM廠商在建設(shè)自有封裝廠上持續(xù)投入的主要原因。

圖38和39給出了目前被工業(yè)界廣泛應(yīng)用的兩種先進封裝技術(shù)：SiP和Flip-chip,。相比需要焊線連接的SiP技術(shù),，倒裝Flip-chip在縮減封裝尺寸上更有優(yōu)勢，并且可以和晶圓級封裝技術(shù)相結(jié)合,，提供具有更強競爭力的產(chǎn)品,，如圖40所示。

除IDM廠商之外,，目前全球主要射頻前端芯片封裝廠商主要集中在臺灣和中國大陸,，臺灣主要是菱生精密工業(yè)股份有限公司(2015年度營業(yè)收入約55.1億新臺幣)和同欣電子工業(yè)股份有限公司(2015年度營業(yè)收入約77.7億新臺幣),，中國大陸則主要是長電科技和華天科技，其中長電科技在收購星科金朋后取得多項先進封裝技術(shù),，伴隨大陸本土上游芯片設(shè)計公司和下游終端廠商的蓬勃發(fā)展,，擁有較大的成長空間。

4.全球終端功率放大器產(chǎn)業(yè)鏈分析——芯片測試企業(yè)

隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,，越來越多的封裝企業(yè)將業(yè)務(wù)向產(chǎn)業(yè)鏈下游延伸,，大力發(fā)展芯片測試業(yè)務(wù)，如日月光半導(dǎo)體(ASE)等,。

但是,，終端功率放大器芯片的測試有其自身的特殊性，影響產(chǎn)品性能的因素眾多,，且不易排查,，需要專用的測試設(shè)備和測試程序，對測試工程師的從業(yè)經(jīng)驗也有較高要求,，因此設(shè)計廠商通常選用更為專業(yè)的射頻芯片測試企業(yè),，以降低測試成本，穩(wěn)定產(chǎn)品良率,，縮短產(chǎn)品上市時間(Time to Market),。

目前全球領(lǐng)先的專業(yè)射頻芯片測試企業(yè)為臺灣的全智科技股份有限公司(Giga solution)，可以為客戶提供晶圓級測試,、封裝級量產(chǎn)測試和定制化解決方案,，2015年度營業(yè)收入約15.3億新臺幣。

國內(nèi)方面,，大港股份于2015年12月以10.8億人民幣收購艾科半導(dǎo)體100%股份，艾科半導(dǎo)體是獨立的第三方集成電路測試服務(wù)提供商,，擁有模擬,、邏輯、混合信號,、高頻射頻,、SoC等各種類型芯片的測試能力。尤其值得注意的是,，艾科半導(dǎo)體擁有獨立研發(fā)的射頻測試輔助設(shè)備,，是為數(shù)不多的未在國外購置射頻設(shè)備而具有射頻測試服務(wù)能力的公司，如圖42所示,。國內(nèi)的主要射頻廠家如紫光展銳,、Vanchip等均和艾科半導(dǎo)體有密切合作，此外的大客戶還包括武漢新芯,、中芯國際,。

5.全球終端功率放大器產(chǎn)業(yè)鏈分析——外延片企業(yè)

目前全球主要的外延片供應(yīng)商主要位于英國、日本、美國和臺灣,。市場調(diào)查機構(gòu)Stategy Analysis的數(shù)據(jù)顯示,，近年來全球化合物外延片市場的近80%份額被IQE和VPEC(全新)占據(jù)，其中IQE市場份額約60%,，VPEC(全新)市場份額約20%,。全球主要化合物半導(dǎo)體外延片供應(yīng)商信息如表13所示：

6.全球射頻開關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈分析

對于開關(guān)最主要的要求是保證信號的線性度，隔離發(fā)射和接收通路,，以及盡可能的減小插損,。傳統(tǒng)的射頻開關(guān)通常使用擁有高電子遷移率的GaAs pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工藝，它具有更好的通道傳導(dǎo)性和更高的功率密度,，使用此工藝制造的射頻開關(guān)同使用GaAs HBT工藝制造的功率放大器具有相同的產(chǎn)業(yè)鏈,。

近年來，隨著SOI(Silicon-On-Insulator,，絕緣襯底上的硅)技術(shù)的發(fā)展,，雖然在主要性能上依然不如GaAs pHEMT工藝，但已經(jīng)可以滿足系統(tǒng)要求,，同時由于其低成本和易于同邏輯控制電路進行集成的重要優(yōu)勢,，在射頻開關(guān)的設(shè)計中占據(jù)越來越重要的地位，二者的主要性能指標(biāo)比較如表14所示,。

目前,，全球已經(jīng)形成了較為完整的SOI產(chǎn)業(yè)鏈，其中代工廠主要有Global Foundry,、ST(意法半導(dǎo)體),、三星、UMC(聯(lián)華電子)等,，半導(dǎo)體材料供應(yīng)商主要有MEMC,、ShinEtsu(信越)和Soitec等。

相比之下,，中國大陸的SOI產(chǎn)業(yè)鏈則處于起步階段,，代工方面，SMIC,、華虹宏力,、華潤上華(CSMC)均可提供SOI工藝，但在工藝成熟度上仍和世界先進水平有明顯差距,，材料方面,，僅有上海新傲科技和沈陽硅基科技有限公司可提供SOI晶圓，其中新傲科技與Soitec通過技術(shù)授權(quán)進行合作,，每年可提供100萬片8英寸SOI晶圓,，目前,，新傲科技自有的8英寸產(chǎn)能達到年產(chǎn)10萬片，并正在建設(shè)兩條12英寸產(chǎn)線,，計劃2017年達到年產(chǎn)18萬片,，如圖44所示。

7.全球射頻濾波器產(chǎn)業(yè)鏈分析

濾波器在射頻前端芯片中的應(yīng)用范圍十分廣泛,，除Filter外,，雙工器(Duplexer)和多工器(Multiplexer)內(nèi)部的核心器件也是SAW/BAW Filter，隨著移動通信模式和頻段的增加,，數(shù)量增長最快的射頻前端器件不是功率放大器,，而是濾波器。

濾波器使用RF-MEMS工藝制造,，具有極高的技術(shù)門檻,，在保證高度一致性和高質(zhì)量的條件下實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)難度極大，目前SAW/BAW濾波器的核心技術(shù)基本都掌握在日本,、美國企業(yè)手中,，SAW濾波器主要的企業(yè)有Murata和TDK，更先進的BAW濾波器技術(shù)則主要被Qorvo和Broadcom壟斷,。

國內(nèi)方面,，濾波器產(chǎn)品的國產(chǎn)替代化同樣取得一定進展，利用2016年手機元器件整體缺貨的機會,，無錫好達電子的SAW濾波器產(chǎn)品成功進入中興,、金立、魅族等手機供應(yīng)鏈,。另一方面,，國內(nèi)功率放大器設(shè)計廠商如紫光展銳等，也認(rèn)識到了濾波器技術(shù)在未來射頻前端芯片中的重要性,，成立MEMS研發(fā)團隊,，力爭在濾波器、雙工器等領(lǐng)域取得突破,。

上市公司方面,，麥捷科技2016年1月公告擬定向增發(fā)募集資金不超過10億元,，其中投向基于 LTCC 基板的終端射頻聲表濾波器(SAW)封裝工藝開發(fā)與生產(chǎn)項目4.5億元,，預(yù)計項目建成后，年產(chǎn)濾波器 9.4億只,。建設(shè)期2年,，達產(chǎn)后預(yù)計年均實現(xiàn)銷售收入 3.87億元，年均實現(xiàn)凈利潤 5806萬元,。這一方案已于2016年12月得到批準(zhǔn),，目前項目進展順利,。

總結(jié)

射頻前端芯片市場主要分為兩個方向：一是移動終端市場，盡管智能手機滲透率接近飽和,，增長率逐漸放緩,，但5G的發(fā)展推動單個移動終端內(nèi)部射頻前端芯片的數(shù)量和價值持續(xù)提高，加之物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)借助5G落地,，成為驅(qū)動射頻前端芯片市場發(fā)展的另一引擎,。預(yù)計至2019年，市場總規(guī)模將超過200億美元,，年復(fù)合增長率超過15%,；二是以基站為代表的通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)市場，相比終端市場,，此領(lǐng)域市場規(guī)模較小,，2015年約6億美元，但5G核心技術(shù)Massive MIMO,、微基站,、毫米波將會首先在這一市場得到應(yīng)用，預(yù)計先于終端市場進入產(chǎn)業(yè)化階段,，率先收益,。

重點關(guān)注的技術(shù)創(chuàng)新主要有兩方面：設(shè)計領(lǐng)域重點關(guān)注BAW濾波器和毫米波功率放大器。5G標(biāo)準(zhǔn)將會推動更多高頻率頻譜資源的應(yīng)用,，并使用更多數(shù)量的載波聚合,。因此具備更好高頻性能和帶外抑制性能的BAW濾波器替代傳統(tǒng)SAW濾波器將成為大勢所趨。毫米波的應(yīng)用則會使通信頻譜帶寬有10倍至20倍的提升,，是實現(xiàn)5G最高數(shù)據(jù)傳輸速率達到20Gbps的重要技術(shù)手段,。

工藝領(lǐng)域重點關(guān)注GaN(氮化鎵)。GaN具有更強的耐壓能力,、更高的能量密度,、更好的散熱特性、可以工作在更高的頻率,，在3.5GHz至6GHz以及毫米波頻段,，均具備明顯優(yōu)勢。在基站射頻前端市場上,，GaN工藝取代LDMOS已成定局,，隨著低電壓GaN工藝的技術(shù)突破，在終端上的全面應(yīng)用同樣指日可待,。此外,，GaN工藝在軍事雷達、汽車電子方面都有廣泛的應(yīng)用,，戰(zhàn)略意義巨大,。