今年由于高通驍龍835移動平臺的遲到,，安卓旗艦陣營較往年顯得星光暗淡,。從安兔兔發(fā)布的3月手機(jī)性能排行TOP 10來看,，占領(lǐng)冠亞軍的位置仍舊是iPhone 7 Plus和iPhone 7,，第三至第十名分別是一加3T,、樂視樂Pro 3,、酷派cool S1,、錘子M1,、錘子M1L,、聯(lián)想ZUK Edge,、一加3、小米5s,。
強(qiáng)烈呼喚驍龍835“芯”機(jī)
一加3T自發(fā)布以來一直是安卓陣營的跑分王,，在一眾高通驍龍821機(jī)型中，始終牢牢占據(jù)著性能榜首的位置,，但已進(jìn)入到2017年的消費者怎會甘心市面上缺少搭載旗艦移動平臺——驍龍835的手機(jī)（三星S8雖已發(fā)布,，但國行版有可能延遲到5月底才開賣）,。
采用10nm先進(jìn)設(shè)計，驍龍835移動平臺支持非凡的移動體驗,。其尺寸與上一代旗艦相比減小35%,，功耗降低25%，能夠提供出色的超長電池續(xù)航,、逼真的VR和AR體驗,、頂尖攝像頭功能和千兆級下載速度。
尺寸小巧,，功能強(qiáng)大的驍龍835
高通驍龍835新特性：
Quick Charge 4.0快充
驍龍835搭載了更高規(guī)格的快充技術(shù),，兼容USB Type-C，較上一代QC 3.0快20%,，充電的安全性進(jìn)一步加強(qiáng),，充電5分鐘，可以通話5小時,。
10nm工藝,、功耗降低25%
驍龍835采用了目前最先進(jìn)的10nm工藝，整個芯片封裝尺寸減小35%,，功耗相比驍龍821降低了25%,，有利于減少發(fā)熱與提升續(xù)航。
性能提升
驍龍835采用了高通自主的Kryo 280架構(gòu),，采用4大核+4小核的設(shè)計,，大小核最高主頻分別為2.45 GHz和1.9 GHz。并集成了Adreno 540 GPU,，支持4K顯示分辨率,；支持4K屏、UFS 2.1閃存標(biāo)準(zhǔn),，LPDDR4x四通道內(nèi)存,、VR、雙攝支持等,，性能提升明顯,。
其它
驍龍835還支持更高規(guī)格的X16 LTE調(diào)制解調(diào)器，并且支持最新的藍(lán)牙5技術(shù),。
與驍龍810/820/821對比
首先我們要了解下驍龍835的詳細(xì)規(guī)格,，具體可以參考下面的規(guī)格表：
高通驍龍835與前幾代驍龍?zhí)幚砥饕?guī)格對比
從規(guī)格對比的直觀感受來說，與現(xiàn)在的驍龍820/821處理器相比,，驍龍835移動平臺升級了Kyro 280架構(gòu),，并且從4核變成了8核，大核頻率提升不大,，小核頻率甚至降低了,，而GPU核心則從Adreno 530變成Adreno 540，從官方公布的數(shù)據(jù)來看,，GPU性能提升不過25%,，CPU性能提升27%，這些指標(biāo)相對10nm工藝及8核架構(gòu)的大升級來說只是中規(guī)中矩,，并不算驚喜,，甚至可以說略有保守。
其他單元方面,，DSP從前代的Hexagon 680升級到了Hexagog 682,，不過之前官方稱之為Hexagon 690，部分宣傳資料上還在用后一個名字,，改回Hexagon 682說明硬件架構(gòu)變化不大,，但相比驍龍820，它多了Google TensorFlow及NPE神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)支持,。
ISP傳感器從Spectra升級到了Spectra 180,，雙攝、單攝能力略有提升,，不過重點改善的雙攝,、光學(xué)放大、混合對焦,、硬件加速人臉識別等等功能,。
安全方面，驍龍835多了Heaven安全技術(shù),，首次實現(xiàn)了全套生物識別套件支持,。
音頻部分其實挺有驚喜的，高通以往的處理器在音頻處理遭人詬病,，華為海思在麒麟處理器上開始集成HiFi功能單元,，高通這次在驍龍835上增加了Aqstic音頻解碼及功放，aptX音頻回放還支持了Classic,、HD兩種模式,。
網(wǎng)絡(luò)部分，高通驍龍835將配合X16 LTE基帶,，網(wǎng)絡(luò)速度最高可達(dá)1Gbps,，驍龍820是最高600Mbps（均值下載速率），另外驍龍835還首發(fā)支持藍(lán)牙5.0,。不過大家也要注意,，技術(shù)上支持不代表上市手機(jī)就有這個，且不說1Gbps網(wǎng)絡(luò)在國內(nèi)還是鏡中花水中月,，就算有實際需求了,，網(wǎng)絡(luò)及射頻部分是額外收費的,，手機(jī)廠商也不一定愿意去做這個功能。
最后就是工藝問題了,，驍龍810使用的是臺積電的20nm工藝,，由于當(dāng)時8核A57+A53在20nm工藝下壓不住功耗，高通從驍龍820時轉(zhuǎn)向三星14nm FinFET工藝,，而且是用的第二代14nm LPP高性能工藝,。到了驍龍835這一代，高通用的是三星10nm工藝,，不過目前量產(chǎn)的還是10nm LPE低功耗工藝,。