7月7日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工大廠近期在晶圓代工市場積極進軍高壓制程技術(shù)平臺，并傳出將與英特爾在12nm制程上的合作延伸至6nm的同時，還傳出已拿下高通先進封裝大單的消息。

報道稱，聯(lián)電2024年斥資新臺幣156億元投入研發(fā)，專注開發(fā)5G通信、AI、物聯(lián)網(wǎng)及車用電子等領(lǐng)域所需的制程技術(shù)，并鉆研特殊制程，在12nm和14nm特殊制程及3D IC先進封裝研發(fā)也有進展。

目前聯(lián)電正積極推進高壓制程技術(shù)，包括14nm鰭式場效晶體管（FinFET）嵌入式高壓制程技術(shù)平臺（14eHV），并且取得了新進展。

聯(lián)電董事長洪嘉聰指出，12nm FinFET制程技術(shù)平臺（12FFC）相較于14nm技術(shù)（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發(fā)揮FinFET的優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體產(chǎn)品。與14FFC相比，12nm技術(shù)在優(yōu)化的FinFET設(shè)備下，可實現(xiàn)10%的性能提升，通過降低電壓減少20%功耗，采用六走線軌道設(shè)計，使面積減少超過10%，并節(jié)省三層光罩，進一步增強聯(lián)電成本競爭力。

值得注意的是，近期市場傳聞指出，聯(lián)電正探索與英特爾之間的合作由原來的12nm延伸至6nm先進制程的可能，這也意味著聯(lián)電將進一步拓展先進制程市場，擺脫成熟制程市場競爭日益激烈，業(yè)績疲軟的困境。

此外，在先進封裝方面，傳聞聯(lián)電也成功拿到了高通的大單。因為聯(lián)電自行開發(fā)的高階中介層（Interposer）已經(jīng)獲得高通驗證，邁入量產(chǎn)出貨倒數(shù)計時階段。業(yè)界也看好，聯(lián)電通過攜手高通等一線芯片大廠搶食AI/HPC（高性能計算）先進封裝市場商機。

早在2024年底，聯(lián)電就攜手高通展開HPC進封裝合作，鎖定AI PC、車用，以及AI服務(wù)器市場。

供應(yīng)鏈透露，聯(lián)電第一批中介層1500電容已通過高通的電性測試，目前開始試產(chǎn)，預(yù)計2026年首季有機會量產(chǎn)出貨，高通并購置爐管機臺放在聯(lián)電廠房，凸顯雙方合作緊密。業(yè)界分析，此次聯(lián)電通過高通認證的產(chǎn)品采用1500nF/mm^2電容，主要搭配高通的IC和內(nèi)存所需要的電容值。

消息稱，高通不僅已經(jīng)向聯(lián)電下單，甚至購置爐管機臺放進聯(lián)電廠房，顯示合作深度高、信任感強。

業(yè)界人士指出，聯(lián)電布局先進封裝，先前在制程端僅供應(yīng)中介層，應(yīng)用在RFSOI制程，對營收貢獻有限。隨著高通采用聯(lián)電先進封裝制程打造高速運算芯片，近期雙方合作又進一步發(fā)展，對聯(lián)電來說將能降低在成熟制程的低價競爭，闖出一條不同之路。

先進封裝技術(shù)方面，例如2.5D和3D封裝這些封裝方式需要將多個芯片堆疊或并排放置，這時候中介層電容就顯得特別重要。

據(jù)悉，先進封裝最關(guān)鍵制程就是需要光刻機制造的中介層，加上需要超高精密程度的硅穿孔，讓2.5D或3D先進封裝堆疊的芯片信號可相互聯(lián)系，聯(lián)電具備生產(chǎn)中介層的機臺設(shè)備之外，十年前就已將TSV制程應(yīng)用超威GPU芯片訂單上，等于聯(lián)電完全具備先進封裝制程量產(chǎn)技術(shù)的先決條件，是獲得高通青睞的主要原因。

對此傳聞，聯(lián)電不評論特定客戶，但強調(diào)先進封裝是該公司積極發(fā)展的重點，將攜手智原、硅統(tǒng)等轉(zhuǎn)投資事業(yè)，以及華邦等存儲伙伴，攜手打造先進封裝生態(tài)系。