三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度,。業(yè)界預估,，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上,。

韓媒 etnews 18 日報導,，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產 18 納米 DRAM,，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM,，預定今年底完成開發(fā)、明年量產,。與此同時,，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標最快 2020 年量產,。相關人士透露,，微縮難度高，2020 年量產時間可能延后,。

三星從 20 納米制程（28→25→20）,，轉進 10 納米制程（18→17），縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩,。三星尚未成立 15 納米制程以下的研發(fā)團隊,，因為由此開始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯,，需要開發(fā)新的材質,。

三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員 Jung Eun－seung 說，為了繼續(xù)縮小線寬,，必須開發(fā)與當前不同的新材質,，并提高制程穩(wěn)定性，以便進入量產,。業(yè)界人士估計,，15 納米或許是制程微縮的極限，未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距,，并擔憂中國業(yè)者急起直追,，趕上三星。