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Diodes 公司 50V MOSFET 閘極驅(qū)動ICs

可滿足電池供電 BLDC 馬達的驅(qū)動需求
2017-05-11

  2017 年 5 月 2 日美國德克薩斯州普萊諾– Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅(qū)動 ICs,,專門設計用于驅(qū)動半橋組態(tài)下的兩部外接 N 溝道 MOSFET,。50V 的額定值可滿足各種馬達驅(qū)動需求,,特別是無刷直流 (BLDC) 馬達,這類馬達越來越常用在電池供電的應用上,,像是無人機,、風扇,、電子煙,,以及包括電鉆,、手持吸塵器和攪拌器等無線電動工具。

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  DGD0506 和 DGD0507 驅(qū)動器采用邏輯準位輸入 (2.5V 起),,可直接由 3.3V MCU 控制,,輸出步進最高到 VCC 供電 (8V 至 14V),確保 MOSFET 獲得完整強化,,降低傳導損耗,。這些驅(qū)動器具備 1.8A 源極電流和 2.5A 汲極電流,可將擁有極低導通電阻 RDS(ON) 的 MOSFET (包括 Diodes 的 DMT4002LPS) 切換時間縮到最短,,提升整體系統(tǒng)效率,。

  DGD0506 和 DGD0507 閘極驅(qū)動器整合自舉式二極管,可減少使用組件數(shù)量,,并采用小巧的 3mm x 3mm DFN3030 封裝,極適合空間與重量均受限的應用,。DGD0506 半橋僅需單一輸入,,可將 MCU GPIO 腳位數(shù)減到最少,并可設定盲時為 70ns 至 420ns,,提供設計上的彈性,。如需更短的盲時,DGD0507 具備獨立的高側與低側輸入,可用于更高的切換頻率,,傳輸延遲最大 35ns,,能在 5ns 內(nèi)完成匹配。再加上其具備的防跨導電路邏輯,,確保高側與低側輸出不會同時導通,,藉此保護 MOSFET。欠壓鎖定 (UVLO) 電路也能保護 MOSFET,,避免發(fā)生供電中斷,。

  DGD0506 和 DGD0507 采用 DFN3030 封裝,能為業(yè)界常用的類型提供腳位相符的替代方案,。這兩部裝置的定價都非常有競爭力,。


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