加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 5 月 22 日 – 亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4294,，該器件適用于需要高達(dá) 71W 傳送功率的應(yīng)用。IEEE 802.3bt 這種新的以太網(wǎng)供電 (PoE) 標(biāo)準(zhǔn)提高了功率預(yù)算,，以支持新的應(yīng)用和功能,，同時支持 10Gb 以太網(wǎng) (10GBASE-T)，并保持與較舊的 IEEE 802.3af 和 802.3at PoE 設(shè)備的向后兼容性,。當(dāng)與 LT4321 PoE 理想二極管橋接控制器結(jié)合使用時,，符合 IEEE 802.3bt 草案 2.3 要求的 LT4294 PD 控制器從 RJ-45 連接器向熱插拔輸出提供高達(dá) 99% 的可用功率，同時支持新推出的功能,，包括額外的 PD 類 (5,、6、7 和 8),、PD 型 (Type 3 和 Type 4) 以及 5 事件分級,。

　　LT4294 是一款單特征 802.3bt PD 控制器，可與任何高效率開關(guān)穩(wěn)壓器結(jié)合使用,。單特征 PD 無需第二個 PD 控制器,，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。無論使用了隔離式還是非隔離式開關(guān),，開關(guān)的靈活性都可支持使用現(xiàn)成有售和專有電源解決方案,。與集成了功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同，LT4294 控制一個外部 MOSFET,，以大幅度地減少 PD 產(chǎn)生的總熱量,，并最大限度提高電源效率，這在 802.3bt 的較高功率水平時尤其重要,。外部 MOSFET 架構(gòu)允許用戶選擇 MOSFET 的尺寸以適合應(yīng)用需求,。基于 LT4294 的標(biāo)準(zhǔn)解決方案通常選擇低 RDS(ON) 30m? MOSFET,。

　　LT4294 可提供工業(yè)和汽車溫度級版本,，分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 的工作溫度范圍,。LT4294 的千片批購價為每片 1.95 美元，已生產(chǎn)供貨,。LT4294 具集成式開關(guān),，對 LT4295 802.3bt PD 接口控制器起到了補充作用，這兩款器件都提供了從凌力爾特現(xiàn)有 PoE+ / LTPoE++? PD 控制器 (包括 LT4276 和 LT4275 控制器) 升級的途徑,。如需更多信息,，請登錄 www.linear.com.cn/product/LT4294。

　　照片說明：LTPoE++ 以太網(wǎng)供電 PD 接口控制器

　　性能概要： LT4294

　　·IEEE 802.3af/at/bt (草案 2.3) 受電 (PD) 控制器

　　·外部熱插拔 N 溝道 MOSFET 實現(xiàn)最低功耗和最高系統(tǒng)效率

　　·支持高達(dá) 71W 的 PD

　　·5 事件分級檢測

　　·卓越的浪涌保護 (100V 絕對最大值)

　　·很寬的結(jié)溫范圍 (–40°C 至 125°C)

　　·支持低至 9V 的可配置輔助電源

　　·采用 10 引線 MSOP 和 3mm x 3mm DFN 封裝

　　本文給出的報價僅供預(yù)算之用,。各地報價可能因當(dāng)?shù)仃P(guān)稅,、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別,。