先進(jìn)2.5D/3D IC封裝技術(shù)可望在產(chǎn)業(yè)界看好人工智能(AI)時(shí)代來臨的背景下登高一呼,。2017年以后,，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于AI,、大數(shù)據(jù)(Big Data)、云端,、深度學(xué)習(xí)(Deep learning),、資料中心等高度重視，國際軟硬件大廠Google,、Facebook,、英特爾(Intel)、NVIDIA,、超微(AMD)等皆展開布局,。

而隨著特殊應(yīng)用IC(ASIC)設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升，對(duì)于運(yùn)算能力需求大幅提高,，臺(tái)積電高階封裝技術(shù)CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)制程適用于上述高效運(yùn)算平臺(tái)市場,。事實(shí)上，臺(tái)灣地區(qū)封測雙雄日月光,、矽品都在2.5D/3D IC有所著墨,，也并非嶄新的概念，不過仍聚焦于少量高階GPU業(yè)者如超微,、NVIDIA等,。不過，今年AI浪潮登高一呼,，熟悉半導(dǎo)體業(yè)者表示,，事實(shí)上，AI,、大數(shù)據(jù),、云端、深度學(xué)習(xí)等都是物聯(lián)網(wǎng)的終極延伸,，如Google,、Facebook等業(yè)者，使用者都是以好幾百萬人計(jì)，而這些應(yīng)用都需要高效運(yùn)算與更高的傳輸帶寬能力,，有助后段高階封裝技術(shù)普及,。

臺(tái)積電已經(jīng)以16納米FF+、12納米FFN客制化制程,，輔以CoWoS封裝異質(zhì)集成HBM2高帶寬存儲(chǔ)器與各種運(yùn)算元件于同個(gè)芯片,，后續(xù)發(fā)展部分，7納米世代高效運(yùn)算也會(huì)持續(xù)搭配CoWoS封裝,。

業(yè)界對(duì)于今年臺(tái)積電12納米制程主力客戶NVIDIA今年甫推出的重磅產(chǎn)品Tesla V100進(jìn)攻資料中心領(lǐng)域高度期待,，NVIDIA近期力拱的Volta架構(gòu)GPU,，被視為是搶攻AI市場的利器,，市場也預(yù)期，隨著NVIDIA的強(qiáng)攻,，超微以及IDM大廠英特爾等一線龍頭廠商,，勢必將持續(xù)展開在次世代AI領(lǐng)域的對(duì)決。

而隨著AI概念起飛,，封測相關(guān)業(yè)者認(rèn)為,，2.5D/3D IC高階封裝技術(shù)有機(jī)會(huì)在臺(tái)積電與一線大廠的合作帶動(dòng)市場下，更有機(jī)會(huì)獲得商機(jī),。熟悉半導(dǎo)體業(yè)者表示,，簡言之，封裝技術(shù)從框條式(Strip Form),、單一式(Singulated)基板,，轉(zhuǎn)變?yōu)榇竺娣e封裝模式(Large Format Packaging)，包括晶圓級(jí)(Silicon Based Substrate)和面板級(jí)(Panel Form)基板,，2.5D/3D IC封裝更進(jìn)一步使得產(chǎn)品可以達(dá)到輕薄短小效果,。而2.5D/3D IC封裝技術(shù)基本上包括扇出(Fan-out)晶圓級(jí)封裝及矽穿孔(TSV)技術(shù)。

目前扇出型封裝技術(shù)部分,，臺(tái)積電的集成扇出型封裝(InFO)制程已經(jīng)被蘋果(Apple)等采用,，因不須矽中介層，成本也相對(duì)較CoWoS低廉,，但又能夠有良好的表現(xiàn),，適用于追求性價(jià)比的移動(dòng)通信領(lǐng)域，封測大廠日月光也以扇出型封裝技術(shù)納入3大客戶,，展望后市,，扇出型封裝可望在移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域站穩(wěn)腳步。而AI,、自駕車,、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域的所需高效能運(yùn)算GPU處理器等，則將會(huì)更適用后段CoWoS封裝技術(shù)，業(yè)界看好在臺(tái)積電帶頭下,，2.5D/3D IC高階封裝普及程度將會(huì)提升,。