近年來(lái)我國(guó)一直在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),，而存儲(chǔ)器芯片是其中最熱門(mén)的重點(diǎn)關(guān)注領(lǐng)域之一,。作為集成電路的三大品類之一，存儲(chǔ)器芯片廣泛應(yīng)用于內(nèi)存,、消費(fèi)電子、智能終端和固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)等領(lǐng)域,。對(duì)電子產(chǎn)品而言,，存儲(chǔ)器芯片就像糧食一樣不可或缺。
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,，主要分為兩類：易失性和非易失性,。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,，例如DRAM,，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后,，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,，主要是閃存（Nand FLASH和NOR FLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM,、NOR FLASH和Nand FLASH,。其中DRAM市場(chǎng)上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷,，占比達(dá)到90%以上,。
AI存儲(chǔ)器商機(jī)可期 傳三星擬大幅增產(chǎn)DRAM
專為高效能AI（人工智能）處理器與服務(wù)器打造的3D堆疊DRAM，傳三星計(jì)劃增產(chǎn)三十倍,。
3D堆疊DRAM采用硅穿孔（Through Silicon Via）技術(shù),，可將DRAM芯片垂直堆疊，由于進(jìn)出通道加寬,，傳輸速度也大幅加快,。
韓國(guó)媒體ETnews引述產(chǎn)業(yè)消息報(bào)導(dǎo)指出，三星最近向設(shè)備供應(yīng)商訂購(gòu)新型20臺(tái)熱壓接合封裝機(jī)（TCB）,，這是硅穿孔技術(shù)的必要設(shè)備,，且按理來(lái)說(shuō)，新機(jī)具產(chǎn)出是原有機(jī)臺(tái)的八倍,。
新TCB機(jī)臺(tái)今年底可就定位,，預(yù)估屆時(shí)三星硅穿孔制程產(chǎn)能將可增加三十倍之多,。
英特爾與Nvidia現(xiàn)均朝AI積極發(fā)展，也都是三星潛在客戶群,。除此之外,，日前有消息指出蘋(píng)果正在開(kāi)發(fā)AI專屬芯片，將用以處理臉部與語(yǔ)音識(shí)別等工作,，可應(yīng)用于iPhone與iPad等裝置,，三星顯然已嗅到這股AI存儲(chǔ)器的新商機(jī)就在不遠(yuǎn)處。
美光力拼13納米DRAM,、SK海力士沖刺18納米
三星電子制程領(lǐng)先,，率先量產(chǎn)18納米DRAM，把同業(yè)拋在腦后,。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱,，紛紛砸錢(qián)要追上三星。
外媒報(bào)道,，三星是DRAM龍頭,，制程領(lǐng)先對(duì)手1~2年，2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM,，計(jì)劃今年下半年推進(jìn)至15納米,。研究機(jī)構(gòu)估計(jì)，今年底為止,，三星打算把18納米DRAM的生產(chǎn)比重,，提高至30%。業(yè)界人士說(shuō),，三星會(huì)以利潤(rùn)優(yōu)先,，不會(huì)擴(kuò)產(chǎn)搶市，打亂價(jià)格,。
三星一馬當(dāng)先,，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計(jì)劃未來(lái)兩三年砸下20億美元,，研發(fā)13納米DRAM制程,。美光在日本廣島廠增設(shè)無(wú)塵室設(shè)備，并購(gòu)買(mǎi)了多項(xiàng)高價(jià)生產(chǎn)儀器,。進(jìn)入13納米制程之后,，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%,。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM,。
與此同時(shí)，SK海力士也準(zhǔn)備在今年下半年量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM,，接著再投入移動(dòng)設(shè)備用的18納米DRAM,。SK海力士會(huì)優(yōu)先提高21納米制程良率,，之后轉(zhuǎn)進(jìn)20納米、再轉(zhuǎn)向18納米,。SK海力士人員透露,，該公司正在研發(fā)1y DRAM制程，但是還不確定量產(chǎn)時(shí)間,。
在此之前，三星電子的韓國(guó)華城廠(Hwaseong),，即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久,。最新消息顯示，三星決定投資3萬(wàn)億韓元(約26.4億美元)提升DRAM產(chǎn)能,。不過(guò)由于未來(lái)11線不再生產(chǎn)DRAM,，產(chǎn)能一增一減之下，應(yīng)該不至于沖擊DRAM供給,。
韓媒曾報(bào)導(dǎo),，業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(mén)將擴(kuò)充華城廠17線的DRAM產(chǎn)能,，生產(chǎn)10納米等級(jí)的DRAM,。三星已告知設(shè)備廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，并在三月份向部分業(yè)者下單,，估計(jì)投資金額約為2.5萬(wàn)億~3萬(wàn)億韓元,，完工后每月增產(chǎn)3.5萬(wàn)片300公厘的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn),。
三星華城廠為綜合晶圓廠,，17線生產(chǎn)DRAM、11線生產(chǎn)圖像傳感器和DRAM,、16-2線生產(chǎn)3D NAND Flash,、S3線生產(chǎn)10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。如今11線將轉(zhuǎn)為全數(shù)生產(chǎn)圖像傳感器CMOS和CIS,，不再生產(chǎn)DRAM,。三星為了彌補(bǔ)產(chǎn)能損失，決定擴(kuò)大17線的DRAM產(chǎn)能,。相關(guān)人士表示,，此一投資是為了彌補(bǔ)11線產(chǎn)能縮減和制程微縮損失，對(duì)DRAM供需幾乎沒(méi)有影響,。