日前,，IBM聯(lián)合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標準的FinFET架構(gòu),，采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎,。IBM表示,，借助該項技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里,，塞下將近300億個晶體管,。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835,，也才不過集成了30億個晶體管,。

　　5nm芯片將采用與7nm芯片相同的紫外線光刻技術(shù)。不過與現(xiàn)有技術(shù)相比,，新一代工藝的光波能量將高出許多,，同時還支持在制造過程中持續(xù)調(diào)節(jié)芯片的功耗和性能。

　　IBM表示,，相比目前最先進的10nm芯片,，5nm 原型芯片在額定功率下的性能可提升40%,，或在同等性能下降低高達75%的能耗，而且成本更加低廉,。

　　不過鑒于10nm工藝也才剛剛投入商用不久,，7nm芯片則要等到2019年，5nm工藝仍然需要漫長的等待,。