存儲報價水漲船高,，itle="三星" target="_blank">三星電子(Samsung Electronics)半導體部門和SK海力士(SK Hynix)上半年大賺一票。最新數(shù)據(jù)顯示,，韓國五月份半導體出口創(chuàng)歷史新高,。

根據(jù)韓國工商業(yè)能源部(MOCIE)公布數(shù)據(jù),，五月份半導體出口額來到76億美元，較去年同期跳增56%,，主要歸功于DRAM與系統(tǒng)半導體出口強勁,。

從半導體設(shè)備出貨數(shù)據(jù)判斷，韓國或許已超越臺灣成為全球最大半導體制造地,。國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)顯示,，韓國今年第一季半導體設(shè)備采購額來到35.3億美元，較去年同期暴增110%,，同時間中國臺灣成長84%至34.8億美元,。

中國大陸第一季半導體體設(shè)備采購額來到20.1億美元，全球排名第三,，但與去年第四季做比較,，季增率達74%，位居是全球之首,。北美,、日本同期間分別成長3%與19%，歐洲則是下滑1%,。

整體來看,，全球首季半導體設(shè)備出貨來到歷史新高的131億美元，較前季成長14%,、較去年同期成長58%,。但韓媒警告，當前的繁榮景象恐怕只是暫時性的,，來自中國的隱憂,，恐讓韓國半導體業(yè)大受打擊。

南韓媒體Business Korea日前報導,，UBS Securities今(2017)年2月就曾出言示警,，聲稱中國IT業(yè)者大舉建立庫存，是半導體報價去年大漲的主因,，下半年DRAM,、NAND型快閃存儲恐將嚴重過剩。

仔細分析中國國家統(tǒng)計局的資料就可發(fā)現(xiàn),，在2015年1-8月期間,，中國的半導體庫存從人民幣2,775億元一路上沖至歷史高3,330億元,，隨后在2016年1月下滑至2,784億美元，直到2017年4月才反彈至3,305億元,。然而,，最近中國的半導體庫存年增率只有個位數(shù)、甚至負成長,，遠不如2015年的20-50%成長率,。也就是說，目前中國IT企業(yè)并未大舉建立庫存,。業(yè)界消息顯示,，部分陸企今年第一季開始減產(chǎn)、零組件訂單的縮減幅度也比往年還要高,。

不只如此,，DRAM、NAND型快閃存儲下半年的供應量勢將跳增,，供需日益失衡,。三星位于平澤市的新廠預定7月投產(chǎn)，SK海力士在利川的M14廠房則已開始擴充產(chǎn)能,。美光(Micron Technology)也在拉高DRAM,、NAND型快閃存儲的產(chǎn)量，英特爾(Intel Corp.)則計劃在下半年生產(chǎn)NAND型快閃存儲,。另外,，紫光集團等中國半導體業(yè)者，也預定會在明年增添供給量,。

先前就有報導直指,，三星電子率先量產(chǎn)18納米DRAM，把同業(yè)拋在腦后,。競爭對手美光和SK海力士則不甘示弱,，紛紛砸錢要追上三星。

Nikkei Asian Review,、BusinessKorea報導,，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對手1~2年,，2016年下半首先量產(chǎn)18納米DRAM,，計畫今年下半推進至15納米。IHS Markit估計,，今年底為止,，三星打算把18納米DRAM的生產(chǎn)比重，提高至30%。業(yè)界人士說,，三星會以利潤優(yōu)先,，不會擴產(chǎn)搶市，打亂價格,。

三星一馬當先,，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計畫未來兩三年砸下20億美元,，研發(fā)13納米DRAM制程,。美光在日本廣島廠增設(shè)無塵室設(shè)備，并購買了多項高價生產(chǎn)儀器,。進入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片,，生產(chǎn)力將提高20%,。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM。

與此同時,，SK海力士也準備在今年下半量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM,，接著再投入行動裝置用的18納米DRAM。SK海力士會優(yōu)先提高21納米制程良率,，之后轉(zhuǎn)進20納米,、再轉(zhuǎn)向18納米。SK海力士人員透露,，該公司正在研發(fā)1y DRAM制程,，但是還不確定量產(chǎn)時間。