近年來,，節(jié)能化趨勢(shì)日益加速,，隨著日本節(jié)能法的修訂,，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標(biāo)識(shí)APF（Annual Performance Factor）※4,，不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節(jié)能,，要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更節(jié)能的趨勢(shì)日益高漲,。據(jù)稱,，在全球的電力需求中,，近50%被用于驅(qū)動(dòng)電機(jī),，隨著空調(diào)在新興國(guó)家的普及,，全球的電力局勢(shì)逐年嚴(yán)峻。在這種背景下,，ROHM開發(fā)出PrestoMOS,，非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，可大大降低應(yīng)用正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的功耗,，滿足了社會(huì)的節(jié)能需求,。

日前，ROHM宣布推出高速trr型600V 超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”,，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng),。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET，以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評(píng),。

此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化ROHM獨(dú)有的芯片結(jié)構(gòu),，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上，還成功地使Ron※2和Qg※3顯著降低,。由此,，在變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，輕負(fù)載時(shí)的功率損耗與以往的IGBT相比,，降低約56%,，節(jié)能效果非常明顯。

不僅如此,，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì),，還實(shí)現(xiàn)了超強(qiáng)的短路耐受能力，減輕了因電路誤動(dòng)作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來的破壞風(fēng)險(xiǎn),，有助于提高應(yīng)用的可靠性,。

據(jù)了解，R60xxMNx系列產(chǎn)品具備三大特征,。

1． 業(yè)界最快的trr性能,、低Ron、低Qg,，有助于應(yīng)用節(jié)能

一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點(diǎn),，設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)可有效降低功耗?！癛60xxMNx系列”利用ROHM獨(dú)有的Lifetime控制技術(shù),，不僅保持了業(yè)界最快trr性能，而且Ron和Qg更低,，非常有助于變頻電路的節(jié)能,。

2．超強(qiáng)短路耐受能力，確?？煽啃?/strong>

通常,，一旦發(fā)生短路，即具有電路誤動(dòng)作,、流過超出設(shè)計(jì)值的大電流,、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性,。一直以來,，因性能與短路之間的制約關(guān)系，確保超強(qiáng)的短路耐受能力是非常困難的,，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì),，對(duì)熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化,，可確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)所必須的短路耐受能力,，有助于提高應(yīng)用的可靠性,。

3．自導(dǎo)通損耗微小

自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通,，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加,，電壓被柵極感應(yīng)，柵極電壓上升,，MOSFET誤動(dòng)作,。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容,，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi),。

＜產(chǎn)品陣容表＞

☆開發(fā)中

另外，產(chǎn)品陣容包括下述封裝產(chǎn)品,，詳情敬請(qǐng)垂詢,。同時(shí)，TO-263(LPTS)封裝的樣品也準(zhǔn)備了一部分,。