新型晶體管為915MHz應(yīng)用提供750W CW
邁阿密–2017年6月20日(IMPI年度微波功率研討會)–全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW),,比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十,。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS,,突破了半導(dǎo)體射頻功率放大器的極限,使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品,。
這款晶體管簡單易用,,極大方便了微波發(fā)生器設(shè)計(jì)人員。與真空管時(shí)代的技術(shù)(如磁控管)相比,,MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性,。MRF13750H支持在0至750W的全動態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行精確的功率控制,,并可實(shí)現(xiàn)頻移,有助于精確地使用射頻能量,。而且,,MRF13750H的性能隨時(shí)間推移下降很小,能夠運(yùn)行數(shù)十年,,降低了總擁有成本,。MRF13750H的工作電壓為50V,比磁控管更安全,。另外,,固態(tài)功率放大器尺寸小,有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)冗余和靈活性,。
恩智浦市場射頻功率工業(yè)技術(shù)高級總監(jiān)兼總經(jīng)理Pierre Piel表示:“長期以來,,半導(dǎo)體器件的可靠性和優(yōu)異的控制特性早已得到認(rèn)同,但是工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員難以組合多個(gè)晶體管來匹配磁控管的功率水平?,F(xiàn)在憑借MRF13750H的優(yōu)異性能,,工業(yè)加熱工程師能在非常高功率的系統(tǒng)中使用這種晶體管?!?/p>
射頻能量聯(lián)盟執(zhí)行董事Klaus Werner表示:“鑒于固態(tài)射頻能量作為高效可控的熱源和功率源具有諸多優(yōu)勢,,射頻能量聯(lián)盟(RFEA)認(rèn)為該技術(shù)有著不可估量的市場機(jī)會,,不僅能夠改善現(xiàn)有的射頻能量應(yīng)用,而且有助于開發(fā)新的能量應(yīng)用,。新產(chǎn)品MRF13750H的強(qiáng)大性能無疑將加速行業(yè)向固態(tài)射頻技術(shù)的轉(zhuǎn)型,。”
這款新晶體管專為工業(yè),、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)應(yīng)用而設(shè)計(jì),,范圍從700MHz至1300MHz,特別適合工業(yè)加熱/干燥,、固化和材料焊接及顆粒加速器應(yīng)用,。MRF13750H在915MHz時(shí)可提供750W CW,效率為67%,,封裝為3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封裝,。