雙晶體管模塊針對宏基站設計提供無與倫比的性能

　　中國,，北京 - 2017年8月10日 -實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，推出一款全新的非對稱型 Doherty 放大器---QPD2731,，有助于客戶在設計無線基站設備的過程中實現(xiàn)超高功效,。該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度,、效率和增益,，并最終降低運營成本。

　　Strategy Analytics服務總監(jiān)Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高頻技術(shù),，GaN器件可以處理更高的功率,；相比LDMOS等其他功率技術(shù)，GaN的頻率性能更出色,?！?/p>

　　Qorvo高性能解決方案業(yè)務部門總經(jīng)理Roger Hall表示：“如今的電信基礎設施設計就是要實現(xiàn)可降低成本的高功效。我們的客戶告訴我們,，隨著運營商在線提供更多功能,，新型GaN-on-SiC QPD2731晶體管可實現(xiàn)這些目標?！?/p>

　　因為LDMOS和GaN-on-Si與之相比,，熱性能較差，客戶正越來越多地轉(zhuǎn)向使用GaN-SiC,，以大幅改善無線基站的性能,、線性度和效率。QPD2731通過預匹配分立式GaN-on-SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）實現(xiàn)這一轉(zhuǎn)變,。目前提供樣片的這款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范圍內(nèi)提供業(yè)內(nèi)最高性能,。

　　根據(jù)Qorvo之前發(fā)布的內(nèi)容，通過標準的市售第三方DPD系統(tǒng)可實現(xiàn)QPD2731的線性化,。

　　QPD2731功能

　　工作頻率范圍

　　2.5 - 2.7 GHz

　　Doherty 峰值輸出功率

　　55.0dBm (316W)

　　Doherty 漏極效率

　　60.0% (47.5dBm)

　　Doherty 增益

　　16.0 dB

　　4引腳無耳式陶瓷法蘭 NI780 封裝

　　Qorvo提供包含不同功率,、電壓和頻率級別水平的廣泛的氮化鎵（GaN）分立式晶體管產(chǎn)品，采用裸片級和封裝級解決方案,。有關(guān)這些產(chǎn)品的更多信息,，請訪問：http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors/gan-hemts。