《電子技術(shù)應(yīng)用》
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臺(tái)積電 ARM等聯(lián)手打造全球首款7nm芯片

2017-09-19
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 ARM 晶體管 芯片

屆時(shí)他們制造一類似CCIX的測試芯片,。

最新消息顯示,,半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電計(jì)劃聯(lián)合ARM、Xilinx,、Cadence共同打造全球首個(gè)基于7nm工藝的芯片,,屆時(shí)他們將采用7nm FinFET工藝,,制造一類似CCIX(緩存一致性互聯(lián)加速器)測試芯片,等到明年第一季度會(huì)完成流片,,2018年下半年開始出貨,。

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據(jù)了解,這種CCIX芯片可以快速在各元件端順利存取和處理資料,,不受限于資料存放的位置以及復(fù)雜的程式開發(fā)環(huán)境,。能夠?qū)崿F(xiàn)全程在記憶體內(nèi)運(yùn)行的資料庫做處理、影像分析,、網(wǎng)路處理等應(yīng)用,。

同時(shí),這款測試芯片基于ARM v8.2計(jì)算核心,,擁有DynamIQ,、CMN-600互連總線,可支持異構(gòu)多核心CPU,。

說到7nm工藝,,三星也準(zhǔn)備在明年正式開始出貨7nm LPP,而臺(tái)積電這次合作推出的基于7nm工藝測試芯片,,既是為了讓自己和三星競爭不處于下風(fēng),,也是他們發(fā)展的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。

7nm工藝可滿足從高性能到低功耗的各種應(yīng)用領(lǐng)域,,第一個(gè)版本CLN 7FF保證能夠把功耗降低60%,、核心面積縮小70%。等到2019年的時(shí)候,,他們則將退出更高級(jí)的CLN 7FF+版本,,融入EUV極紫外光刻,,進(jìn)一步提升晶體管集成度、能效和良品率,。

而測試芯片的推出,,對(duì)于各方也是利事,可以試驗(yàn)臺(tái)積電的新工藝,,也便于驗(yàn)證多核心ARM CPU和片外FPGA加速器協(xié)作的能力,。


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