《電子技術(shù)應(yīng)用》
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mosfet的靜態(tài)特性和主要參數(shù)

2017-10-11

       Power MOSFET靜態(tài)特性主要指輸出特性和轉(zhuǎn)移特性,,與靜態(tài)特性對(duì)應(yīng)的主要參數(shù)有漏極擊穿電壓、漏極額定電壓,、漏極額定電流和柵極開啟電壓等,。

1,、 靜態(tài)特性

(1) 輸出特性

  輸出特性即是漏極的伏安特性。特性曲線,,如圖2(b)所示,。由圖所見,輸出特性分為截止,、飽和與非飽和3個(gè)區(qū)域,。這里飽和、非飽和的概念與GTR不同,。飽和是指漏極電流ID不隨漏源電壓UDS的增加而增加,,也就是基本保持不變;非飽和是指地UCS一定時(shí),,ID隨UDS增加呈線性關(guān)系變化,。

圖片2.png


(2) 轉(zhuǎn)移特性

  轉(zhuǎn)移特性表示漏極電流ID與柵源之間電壓UGS的轉(zhuǎn)移特性關(guān)系曲線,如圖2(a)所示,。轉(zhuǎn)移特性可表示出器件的放大能力,,并且是與GTR中的電流增益β相似。由于Power MOSFET是壓控器件,,因此用跨導(dǎo)這一參數(shù)來表示,。跨導(dǎo)定義為

       圖片3.png                   (1)

  圖中UT為開啟電壓,,只有當(dāng)UGS=UT時(shí)才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,產(chǎn)生漏極電流ID,。

2,、  主要參數(shù)

(1)漏極擊穿電壓BUD

  BUD是不使器件擊穿的極限參數(shù),它大于漏極電壓額定值,。BUD隨結(jié)溫的升高而升高,,這點(diǎn)正好與GTR和GTO相反,。

(2)漏極額定電壓UD

  UD是器件的標(biāo)稱額定值。

(3)漏極電流ID和IDM

  ID是漏極直流電流的額定參數(shù),;IDM是漏極脈沖電流幅值,。

(4)柵極開啟電壓UT

  UT又稱閥值電壓,是開通Power MOSFET的柵-源電壓,,它為轉(zhuǎn)移特性的特性曲線與橫軸的交點(diǎn),。施加的柵源電壓不能太大,否則將擊穿器件,。

(5)跨導(dǎo)gm

  gm是表征Power MOSFET 柵極控制能力的參數(shù),。

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