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東芝存儲器重啟NAND投資 聯(lián)合對抗三星

2017-10-18
關(guān)鍵詞: 東芝 存儲器 三星 NAND

       隨東芝存儲器(TMC)股權(quán)出售案定案,全球NAND快閃存儲器市場形成三強(qiáng)鼎立態(tài)勢:三星電子(Samsung Electronics),東芝存儲器,、西部數(shù)據(jù)(WD),、與SK海力士(SK Hynix)團(tuán)隊(duì),以及英特爾(Intel)與美光(Micron Technology)聯(lián)盟?,F(xiàn)在東芝要重新挑戰(zhàn)三星,,但與西部數(shù)據(jù)的官司成為最主要的問題。

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  東芝存儲器社長成毛康雄,,在2017年10月13日參加日本四日市的事業(yè)說明會中,,指出2017年內(nèi)已對四日市工廠進(jìn)行3,150億日圓(約28.1億美元)的設(shè)備投資,為確保競爭力,,還可能追加投資,,且未來每年都會有3,000億~4,000億日圓等級的投資。日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報導(dǎo),,四日市政府對新投資表達(dá)歡迎態(tài)度,。

  目前的投資,在興建四日市工廠第6工廠棟,,用以量產(chǎn)最新的96層3D NAND快閃存儲器,,接下來還要購入鄰接的閑置土地,建設(shè)第7工廠棟;雖然東芝存儲器在2018年要在日本巖手縣北上市建設(shè)新工廠,,但四日市還是母工廠,,第7工廠棟是基于長期需求建立,不會半途而廢,。

  至于是否與SK海力士合作投資方面,,由于與西部數(shù)據(jù)的官司,以及避免在各國反壟斷法審查中帶來負(fù)面影響,,東芝存儲器與SK海力士均宣稱不會合作研發(fā)NAND,,但在次世代的MRAM與納米壓印(NanoImprint)技術(shù)可能合作。

  至于與西部數(shù)據(jù)的合作關(guān)系,,成毛康雄表示技術(shù)上靠自己研發(fā)完全沒問題,,但還是希望能與西部數(shù)據(jù)妥協(xié),和西部數(shù)據(jù)旗下的新帝(SanDisk)合作研發(fā)120層~130層的3D NAND快閃存儲器,。

  日刊工業(yè)新聞報導(dǎo)指出,,由于IHS調(diào)查,三星在2017年上半全球NAND快閃存儲器市場的市占率,,已增到38%以上,,穩(wěn)坐冠軍寶座,亞軍的東芝存儲器則掉到16%水準(zhǔn),故包括東芝存儲器在內(nèi)的NAND快閃存儲器廠,,都為對抗三星而開始團(tuán)結(jié),。

  美國的英特爾與美光合作超過10年,東芝存儲器與閃迪合作近17年,,先前市場關(guān)注SK海力士會靠向三星還是東芝存儲器,,現(xiàn)在選擇與東芝存儲器聯(lián)合,明顯是為對抗三星,,即使東芝存儲器與西部數(shù)據(jù)談判期間對立嚴(yán)重,,但考慮利益,現(xiàn)在東芝存儲器仍希望西部數(shù)據(jù)與該廠及SK海力士盡棄前嫌,。

  據(jù)日經(jīng)報導(dǎo),,三星也將在2018年內(nèi)量產(chǎn)96層3D NAND快閃存儲器,自信技術(shù)領(lǐng)先東芝存儲器約1年水準(zhǔn),,加上2016年起NAND快閃存儲器市場供不應(yīng)求,,形成賣方市場,三星在此市場獲得利潤隨市占率成長而上漲,,設(shè)備技術(shù)投資能力仍高于東芝存儲器,,弱者若不合作,只會被三星拋得更遠(yuǎn),。

  隨東芝存儲器出售案的紛爭漸止,,NAND快閃存儲器市場料將從六大廠商變成三強(qiáng)聯(lián)盟,未來的發(fā)展,,值得持續(xù)關(guān)注,。

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