國內(nèi)光電龍頭公司三安光電正從四大方面加速布局第三代半導體產(chǎn)業(yè),，巨頭的行動似乎表明這個細分領域已進入爆發(fā)前夜。最近兩天，在昆山舉辦的“2017中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會高峰論壇”上,，5G與化合物半導體發(fā)展前景議題備受關(guān)注,。

有業(yè)內(nèi)人士對記者分析稱,，隨著5G時代到來,，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發(fā)展機遇,。三安光電,、國民技術(shù)(300077,股吧)、揚杰科技(300373,股吧),、海特高新(002023,股吧)等多家上市公司均已積極布局,。英飛凌（Infineon）方面預計，未來GaN將占據(jù)75%的基站射頻功率器件市場,。

第三代半導體脫穎而出

5G時代,，一部手機可能就需要16顆PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站,、大規(guī)模天線（Massive MIMO）,、濾波器等，這給第三代半導體帶來發(fā)展機遇,。

國家已經(jīng)在大力扶持第三代半導體產(chǎn)業(yè),。去年國務院出臺了《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》,，明確提出以第三代半導體材料等為核心，搶占先進電子材料技術(shù)的制高點,。

有市場研究報告顯示,，2016年全球射頻前端市場規(guī)模為125億美元，預計到2022年將達到259億美元,，年復合增長率為12.9%,；其中，就濾波器來說,，預計到2022年全球市場規(guī)模將達到160億美元。

多家A股公司已布局

“在第三代半導體方面,，三安光電將利用安芯基金,，在RF射頻、光通信,、濾波器,、電力電子等方面進行布局，目標是建設面向下一代無線通信GaN器件平臺,?！痹诒緦酶叻逭搲希补怆奟F市場總監(jiān)陳文欣明確指出了公司具體布局方向,。

作為光電龍頭,，三安光電早就大手筆布局第三代半導體。2015年6月,，三安光電引入國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱大基金）,，意在推動以III—V 族化合物半導體為重點的集成電路業(yè)務進一步做大做強。此后,，公司聯(lián)合福建省,、大基金等共同設立了規(guī)模500億的“福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)”（簡稱安芯基金，首期規(guī)模75.1億元）,。

在今年半年報里,，三安光電披露，子公司廈門市三安集成電路有限公司（承擔第三代半導體業(yè)務）已向47家公司提交樣品,，其中11顆芯片進入微量產(chǎn),，此外還布局了光通訊芯片、濾波器等領域,。據(jù)悉,，三安光電目前在第三代半導體業(yè)務上首先聚焦移動終端，產(chǎn)品已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn),，每月訂單近百片wafer（晶圓）,，預計2018年至2019年將對公司業(yè)績產(chǎn)生貢獻,。

除三安光電外，揚杰科技,、海特高新,、國民技術(shù)等多家上市公司均已涉足第三代半導體業(yè)務。

揚杰科技在近期接受機構(gòu)調(diào)研時表示,，其碳化硅芯片技術(shù)已達到國內(nèi)領先水平,。早在2015年7月，揚杰科技即錨定第三代半導體,，定增募資不超過10億元,，用于SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設等項目,。公司在半年報中表示,，持續(xù)推進第三代寬禁帶半導體項目的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，針對650V/1200V碳化硅JBS產(chǎn)品,，開發(fā)并改進可與硅線相互兼容的生產(chǎn)工藝,，以增強產(chǎn)能結(jié)構(gòu)實時調(diào)整的能動性。

國民技術(shù)則剛剛開始搶灘這個新興領域,。公司8月15日披露,，其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導體生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項目投資協(xié)議書》，由前者組織資金,，以第二,、三代化合物半導體外延片材料為核心基礎，在邛崍市打造化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈,，項目總投資將不少于80億元,，預計三年初具規(guī)模。