賓夕法尼亞,、MALVERN — 2017年11月27日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出新的25V N溝道TrenchFET? Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低,，僅有0.58mΩ,。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷,，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達(dá)到最低,，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度,。

今天發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK?SO-8封裝，是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一,。與同類器件相比,，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC,，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC,，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多,。

 SiRA20DP的低導(dǎo)通電阻可減小傳導(dǎo)功率損耗,，提高系統(tǒng)效率,，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，特別適合冗余電源架構(gòu)中的OR-ring功能,。器件的FOM較低,，可提高開關(guān)性能，如通信和服務(wù)器電源中DC/DC轉(zhuǎn)換,，電池系統(tǒng)中的電池切換,，以及5V到12V輸入電源的負(fù)載切換。

 這顆MOSFET經(jīng)過了100%的RG和UIS測(cè)試,，符合RoHS,，無鹵素。

 SiRA20DP現(xiàn)可提供樣品,，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十五周。

 VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器,、電容器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算,、汽車,、消費(fèi)、通信,、國防、航空航天,、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com,。