中國,，2017年12月6日 —— 意法半導體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產品在一個13mm x 11mm的封裝內集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,，能夠為工業(yè)電機驅控制器,、燈具鎮(zhèn)流器,、電源、功率轉換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間,。

 不僅比采用分立器件設計的類似全橋電路節(jié)省電路板空間60%,，PWD13F60還能提升最終應用的功率密度。市場上在售的全橋模塊通常是雙FET半橋或六顆FET三相產品,，而PWD13F60則集成四顆功率MOSFET,，是一個能效特別高的替代方案。與這些產品不同,，只用一個PWD13F60即可完成一個單相全橋設計,，這讓內部MOSFET管沒有一個被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋,。

 利用意法半導體的高壓 BCD6s-Offline制造工藝,，PWD13F60集成了功率 MOSFET柵驅動器和上橋臂驅動自舉二極管，這樣設計的好處是簡化電路板設計,，精簡組裝過程,，節(jié)省外部元器件。柵驅動器經(jīng)過優(yōu)化改進,，取得了高開關可靠性和低EMI(電磁干擾),。該系統(tǒng)封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能，有助于進一步降低占位面積,，同時確保系統(tǒng)安全,。

 PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓，配置靈活性和設計簡易性得到最大限度提升,。此外,，新系統(tǒng)封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯信號，連接微控制器(MCU),、數(shù)字處理器(DSP)或霍爾傳感器十分容易,。

 PWD13F60即日上市，采用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝,。

 產品詳情訪問www.st.com/pwd13f60-pr

 編者注:

按照新摩爾定律(MtM)多元化設想,，意法半導體正在推動其BCD (集成雙極-CMOS-DMOS)工藝向高電壓、高功率和高密度三個方向發(fā)展,。BCD6s-Offline是一項0.32μm高壓制造工藝,，另外兩個高壓技術 是 BCD6s-SOI 和 0.16μm BCD8s-SOI，而BCD8sP和 0.11μm BCD9s是高密度制造工藝,。憑借其BCD制造技術組合以及系統(tǒng)封裝(SiP)技術專長（另一項MtM技術,，在同一個封裝內疊放或平鋪多顆裸片）,，意法半導體有能力提升產品性能，縮短新產品研發(fā)周期,，按照智能功率應用的需求提供特定的功能,。高度優(yōu)化、尺寸緊湊的PWD13F60是意法半導體利用其在 MtM技術上的領先優(yōu)勢開發(fā)出來的最新產品,。

 關于意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領先的半導體公司,，提供與日常生活息息相關的智能的、高能效的產品及解決方案,。意法半導體的產品無處不在,，致力于與客戶共同努力實現(xiàn)智能駕駛、智能工廠,、智能城市和智能家居,，以及下一代移動和物聯(lián)網(wǎng)產品。享受科技,、享受生活,，意法半導體主張科技引領智能生活（life.augmented）的理念。意法半導體2016年凈收入69.7億美元,，在全球擁有10萬余客戶,。詳情請瀏覽意法半導體公司網(wǎng)站：www.st.com