奈梅亨,，2024年11月20日：Nexperia今日宣布推出一系列高性能柵極驅動器IC,，可用于驅動同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET,。這些驅動器包含車規(guī)級和工業(yè)級版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動態(tài)性能,，可大幅提高應用效率和魯棒性,。其中，NGD4300-Q100達到車規(guī)級標準,，非常適合電動助力轉向和電源轉換器應用,；NGD4300則設計用于消費類設備、服務器和電信設備中的DC-DC轉換器以及各種工業(yè)應用中的微型逆變器,。

　　這些IC中的高邊驅動器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作,，其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小PCB尺寸,，簡化整體系統(tǒng)設計。此系列器件可提供高達4 A（峰值）的拉電流和5 A的灌電流,，即使在重負載下也能確保上升和下降時間較短,。其延遲特性還顯著優(yōu)于類似競品，輸入輸出延遲低至13納秒,，通道間延遲誤差僅1納秒,，有助于進一步提高開關占空比，從而縮短死區(qū)時間,。這些柵極驅動器的上升時間為4納秒,，下降時間為3.5納秒（典型值），可促進提高效率,，支持高頻和快速系統(tǒng)控制,。除此之外還能兼容輸入控制信號，可接受TTL和CMOS兩種邏輯電平,。

　　Nexperia IC解決方案業(yè)務部門總經理Irene Deng表示：“這些器件是我們新推出的高性能半橋柵極驅動器產品組合中的第一批產品,。此次發(fā)布凸顯了Nexperia如何利用工藝創(chuàng)新來滿足市場對穩(wěn)健柵極驅動器日益增長的需求，新系列器件更是在提高消費類,、工業(yè)和汽車應用電源轉換器效率的同時,，增強了電機控制穩(wěn)定性?！?/p>

　　這些IC采用了絕緣體硅片（SOI）工藝,，將HS引腳的負電壓耐受能力擴展到-5 V，大幅降低系統(tǒng)寄生元件和意外尖峰造成芯片損壞的風險,，從而確保在電源轉換和電機驅動應用中實現(xiàn)出色的魯棒性,。NGD4300和NGD4300-Q100提供DFN-8、SO-8和HSO-8三種封裝選擇,，方便工程師根據(jù)應用需求在器件尺寸和熱性能之間靈活取舍,。

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