《電子技術(shù)應(yīng)用》
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一種在GSM下行全頻帶內(nèi)用于可穿戴設(shè)備的高效射頻能量收集技術(shù)
2017年電子技術(shù)應(yīng)用第12期
梁東偉,,李國(guó)林
清華大學(xué) 電子工程系,北京100084
摘要: 針對(duì)市場(chǎng)上可穿戴,、低功耗設(shè)備的興起,,探討利用環(huán)境中RF能量實(shí)現(xiàn)供電的可能性。針對(duì)GSM下行935~960 MHz下行頻段,,使用分立元件在RO4003C PCB板材上進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證,。匹配電路中的電感采用自制繞線電感,在接收功率為-10 dBm時(shí),,轉(zhuǎn)換效率達(dá)到34.7%,。
中圖分類號(hào): TM132
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.170829
中文引用格式: 梁東偉,李國(guó)林. 一種在GSM下行全頻帶內(nèi)用于可穿戴設(shè)備的高效射頻能量收集技術(shù)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2017,,43(12):137-142.
英文引用格式: Liang Dongwei,Li Guolin. A GSM downlink full-band high efficiency RF harvesting technology for wearable devices[J].Application of Electronic Technique,,2017,,43(12):137-142.
A GSM downlink full-band high efficiency RF harvesting technology for wearable devices
Liang Dongwei,,Li Guolin
Department of Electronic Engineering, Tsinghua University,Beijing 100084,,China
Abstract: This paper concerns the possibility of powering wearable devices with ambient RF energy. For the GSM downlink band of 935~960 MHz,,RF harvesting efficiency is measured on RO4003C PCB. Self-made winding coils are used in the matching circuit. The efficiency of 34.7% is gotten when the received power is -10 dBm.
Key words : ambient energy harvesting;RF energy harvesting,;wearable devices;GSM

0 引言

    可穿戴設(shè)備是穿戴于人體的小型的計(jì)算與傳感系統(tǒng),,用來(lái)周期性地跟蹤,、存儲(chǔ)、處理關(guān)鍵的人類生理,、活動(dòng),、事件等參數(shù)[1]。但現(xiàn)有的電池技術(shù)增加了成本,、體積及重量,,同時(shí)電池需要定期充電,更換,,這些問(wèn)題都制約了可穿戴設(shè)備的用戶體驗(yàn)[2],,人們把目光轉(zhuǎn)向環(huán)境能量收集。用于可穿戴設(shè)備的環(huán)境能量收集方式有多種,,包括熱能,、震動(dòng)等,其中,,RF能量收集有著自身的優(yōu)勢(shì),,因?yàn)樗陨砭褪请娔芰渴占恍枰獰崽荻然蚧顒?dòng)部件等能量轉(zhuǎn)換或傳感器件[3],,當(dāng)然相應(yīng)的天線或線圈不可或缺,。本論文著手于環(huán)境中充斥的電磁波能量,給出了一種小體積的可用于可穿戴設(shè)備的電磁波能量收集電路,,并測(cè)量了其性能,。

    從目前環(huán)境的電磁波能量分布來(lái)看,在微波頻段,,CDMA800(810~870 MHz),GSM900與GSM1800頻段的能量是最穩(wěn)定的[3-5],。根據(jù)Friis自由空間損耗公式,頻率越高,,衰減越大,,因而需要選擇頻率較低的頻段。同時(shí)又考慮到可穿戴設(shè)備的特點(diǎn),,需要盡可能小的天線尺寸,,因而本篇論文的測(cè)試電路最終選擇了GSM900頻段進(jìn)行對(duì)環(huán)境能量收集的可行性驗(yàn)證,。

    根據(jù)GSM900頻段使用情況[6],上行890~915 MHz,,下行935~960 MHz,。在距離GSM900基站25 m到100 m的區(qū)域,室內(nèi)與室外功率密度分布在0.3 mW/m2~3 mW/m2范圍內(nèi)[7-9],。

    根據(jù)公式[10]

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    可得到天線接收功率范圍為8 μW~100 μW,,其中100 μW功率由20 m處功率密度估算值4.6 mW/m2確定,也就是說(shuō),,在基站20 m~100 m范圍內(nèi),,天線可接收到-21 dBm~-10 dBm之間的功率。式中Pr為接收功率(mW),,Pu為功率密度(mW/m2),,(λ2/4π)為天線有效面積,Gr為接收天線增益,,估算中取常見(jiàn)的全向接收天線增益,,10lg(Gr)=3 dBi。

    在上述功率范圍內(nèi),,采用分立元件實(shí)現(xiàn)的能量收集電路,,其效率一般在10%左右[11-13]。得到轉(zhuǎn)換后的可用直流功率范圍在0.8 μW~10 μW之間,。最近出現(xiàn)一些可穿戴設(shè)備上的傳感器功耗在0.1 μW~20 μW之間[9,,14],如文獻(xiàn)[9]中的quartz watch 的功耗為5 μW,,而文獻(xiàn)[14]的可穿戴生物醫(yī)學(xué)信號(hào)捕獲與數(shù)字化部件,,即超低功耗的模擬前端(AFE:anolog front end)與ADC的功耗僅0.343 μW。因而射頻能量收集電路可用來(lái)為這些傳感器提供能量供給,,如是可穿戴設(shè)備在啟動(dòng)信號(hào)處理前的時(shí)段無(wú)需啟動(dòng)電池供能,。

1 GSM頻帶能量收集電路

    電磁能量收集電路的原理框圖如圖1所示,射頻電磁能量經(jīng)天線接收后,,再經(jīng)倍壓整流電路轉(zhuǎn)換為直流電,,最后將直流電能以電荷形態(tài)存儲(chǔ)于電容器件。本文測(cè)試電路設(shè)計(jì)主要針對(duì)GSM頻段,,故而考慮收集整個(gè)GSM頻帶范圍內(nèi)的能量,。在GSM下行935~960 MHz范圍25 MHz帶寬內(nèi),載頻間隔200 kHz,,共124個(gè)頻點(diǎn),。在移動(dòng)通信中,用戶通信會(huì)使用不同的載頻,,因此能量收集電路應(yīng)在整個(gè)頻帶內(nèi)都有良好的接收性能,。這就需要在天線與倍壓整流電路之間有一個(gè)設(shè)計(jì)良好的匹配網(wǎng)絡(luò),。本論文驗(yàn)證電路采用分立元器件進(jìn)行電路的搭建,而分立元件本身由于寄生效應(yīng)可能會(huì)引入較大的損耗,,因此要求匹配元件數(shù)量越少越好,,故而采用最為簡(jiǎn)單的雙電抗元件匹配網(wǎng)絡(luò)。

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1.1 天線

    考慮到實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的不確定性,,天線應(yīng)選用全向天線采集環(huán)境能量,。例如可采用市場(chǎng)上常見(jiàn)的GSM900M天線ZDGSMCDMATS004,其主要技術(shù)指標(biāo)為:頻率范圍890~960 MHz/1 710~1 880 MHz,,增益3 dBi,,輸入阻抗50 Ω,駐波比≤1.5,,最大功率50 W。

1.2 2倍壓整流電路

    天線接收到的是交流信號(hào),,且信號(hào)能量較小,,因此需要采用倍壓整流電路以提高輸出電壓,這里單級(jí)倍壓電路采用Cockcroft-Walton Voltage Multiplier模型[15],。N級(jí)整流倍壓電路模型[21]如圖2所示,。倍壓級(jí)數(shù)的增多意味著能量損耗的增大,因此在輸出電壓可用的前提下應(yīng)盡可能減少倍壓電路的級(jí)數(shù),。

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    圖2模型中,,C11,D11,,D21,,C21構(gòu)成1級(jí)倍壓電路,依次類推,,電路構(gòu)成N級(jí)倍壓電路,。該模型中的C11~C1n,C21~C2n需要具有高頻,、高Q值特性,。Cout=C2n作為最后一級(jí)的輸出存儲(chǔ)電容,可選用通用電容,。

    由于環(huán)境能量屬于微弱能量,,二極管應(yīng)選擇具有零偏特性的肖特基二極管,測(cè)試選擇avago公司的HSMS-285x系列,,其正向?qū)妷篤F(forward voltage)為150 mV,,工作頻率<1.5 GHz[16]

    二極管的spice參數(shù)及其封裝寄生參數(shù)如圖3所示[16],。

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    在匹配狀態(tài)下,,N級(jí)倍壓電路整流輸出電壓公式如下[17]

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    其中,,Prf為天線接收功率;Rdbl為二極管等效阻抗中的電阻部分,;Rant為天線阻抗中的電阻部分,;n為二極管的非線性因子;VT為熱電壓,;Is為二極管的反向飽和電流,;χ為二極管峰值電流與漏電流的比率,Ileakage是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值,;為存儲(chǔ)電容(圖2中的C21,,C22,…C2N=Cout)的漏電流。

    依據(jù)文獻(xiàn)[17],,取Rdbl=3 250 Ω@900 MHz,,Rant=50 Ω,n=1.06,,Is=3 μA,,χ=9.7,Ileakage=1.5 μA,,VT=26 mV@25 ℃,,得到VREC~Prf關(guān)系曲線如圖4所示。

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    由圖中曲線可知,,在-20 dBm~-10 dBm范圍內(nèi),,1~2級(jí)電路可以較好地滿足可穿戴生物醫(yī)學(xué)信號(hào)捕獲與數(shù)字化部件1 V,343 nW[14]及生物醫(yī)學(xué)傳感器接口芯片1 V,,450 nW[22]的工作電壓要求,。由于接收信號(hào)功率較低,級(jí)數(shù)的增多意味著損耗的增大,,我們選擇1級(jí)和2級(jí)電路進(jìn)行測(cè)試,。

1.3 匹配電路

    匹配電路應(yīng)確保天線接收電磁能量有效被倍壓整流電路吸收,因而是測(cè)試電路轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵環(huán)節(jié),,需要選擇精確度較高的器件以對(duì)準(zhǔn)頻率,,同時(shí)為了減少損耗,需要減少匹配器件的數(shù)量,,測(cè)試電路采用L型(雙電抗元件)匹配電路,。匹配電路參數(shù)可以通過(guò)兩種方式獲取,一個(gè)是仿真,,另一個(gè)就是在實(shí)際電路中使用網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)倍壓整流電路進(jìn)行S參數(shù)測(cè)試后做匹配電路設(shè)計(jì),。我們先對(duì)電路進(jìn)行仿真,確定匹配電路器件參數(shù)的范圍,其后對(duì)實(shí)際電路進(jìn)行網(wǎng)分測(cè)試校正,,以確保最終接收效果,。

    根據(jù)圖2、圖3的電路模型,,仿真確定一級(jí)與兩級(jí)倍壓電路的匹配路徑,。在GSM下行935-960 MHz頻段,在中心頻點(diǎn)947.5 MHz上進(jìn)行仿真分析,。

    圖5給出了匹配效果,,對(duì)應(yīng)的L型匹配網(wǎng)絡(luò)如圖6所示,兩個(gè)電抗元件均采用電感,,圖中還給出了匹配電感的參數(shù),。

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    仿真分析設(shè)計(jì)中的電感元件參數(shù)取值如圖6所示,商用電感器件只有整數(shù)取值且寄生效應(yīng)嚴(yán)重,,即使不考慮寄生效應(yīng),,對(duì)于高Q值匹配電路而言,電感數(shù)值微小的變化也會(huì)帶來(lái)匹配中心頻率的嚴(yán)重偏差,。例如,,將圖6中1級(jí)倍壓電路的匹配電路電感L1=49.192 076取整為49 nH,仿真S11參數(shù)前后變化如圖7所示,,其中粗線為L(zhǎng)1取整后的仿真結(jié)果,。

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    仿真顯示,,L1取整前中心頻點(diǎn)為947.5 MHz 同時(shí)S11=-68.993 dB,而取整后中心頻點(diǎn)為949.2 MHz同時(shí)S11=-51.566 dB,。微小的電感變化(0.3%),導(dǎo)致中心頻點(diǎn)偏移了1.7 MHz,,而信號(hào)覆蓋帶寬不過(guò)25 MHz,。在市場(chǎng)上購(gòu)買到的商用電感,在10 nH~100 nH之間只有整數(shù)值的,,且不連續(xù),。例如最接近L1=49.192 076的商用電感取值為47 nH。采用L1=47 nH的匹配電路,,仿真顯示,,中心頻點(diǎn)將偏移到968.0 MHz同時(shí)S11=-31.6 dB。如果考慮寄生效應(yīng),,還會(huì)帶來(lái)其他影響,,如轉(zhuǎn)換效率的降低。為了避免這種情況,,本測(cè)試電路采用的是自制的繞線電感,,用于匹配電路的調(diào)試,可以通過(guò)調(diào)整線圈的長(zhǎng)度,直徑,,間距等達(dá)到最佳匹配狀態(tài),。

    實(shí)際電路匹配后電路S11參數(shù)測(cè)試如圖8所示,可見(jiàn),,在GSM下行935-960 MHz整個(gè)頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)了良好的匹配,。

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2 電路特性分析

    實(shí)際測(cè)試電路如圖9所示,PCB板材使用RO4003C,。

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    為了獲得穩(wěn)定可靠的測(cè)試效果,,測(cè)試信號(hào)源使用CW(continuous-wave)50-Ω,頻率采用GSM900(下行935~960 MHz)的中心頻點(diǎn):947.5 MHz,。

    轉(zhuǎn)換效率計(jì)算公式如下:

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    為觀察在GSM下行935-960 MHz整個(gè)頻帶內(nèi)轉(zhuǎn)換效果,,針對(duì)1級(jí)倍壓電路和2級(jí)倍壓電路,在其中心頻點(diǎn)947.5 MHz,、邊沿頻率935 MHz與960 MHz分別測(cè)試了輸出電壓,,并根據(jù)式(3)獲得了對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)換效率,如表1~表4所示,。

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    從表1和表2可以看出,,1級(jí)倍壓電路最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到33.91%,但此時(shí)輸出直流電壓在1 V以下,,無(wú)法滿足1 V電源電壓的應(yīng)用[14,,22]需求。

    表3和表4可以看出,,2級(jí)倍壓電路對(duì)負(fù)載及功率的適用范圍較1級(jí)倍壓電路有了較大的提高,。

    表5是針對(duì)采用分立元件和集成電路的典型論文在相同的輸入功率情況下的轉(zhuǎn)換效果對(duì)比。

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    表1~5列出本論文在常見(jiàn)負(fù)載下二級(jí)倍壓電路的輸出電壓和效率,,同時(shí)列出出現(xiàn)最高轉(zhuǎn)換效率的條件,,并和同類論文進(jìn)行對(duì)比??梢钥闯?,在相同輸入功率,相近負(fù)載的情況本論文實(shí)現(xiàn)了較高的效率,。其中文獻(xiàn)[19]沒(méi)有做匹配,,射頻信號(hào)經(jīng)天線接收直接進(jìn)入倍壓電路,故轉(zhuǎn)換效率較低,;文獻(xiàn)[20]使用了CMOS集成電路,,由于硅基底導(dǎo)致匹配電感品質(zhì)因數(shù)低,更為重要的是它采用了17級(jí)倍壓電路,,導(dǎo)致其轉(zhuǎn)換效率較低,;文獻(xiàn)[11]使用了商用電感,、電容器件實(shí)現(xiàn)匹配電路,估計(jì)其采用的商用器件取值不連續(xù)等原因而很難達(dá)到最佳匹配,,同時(shí)文獻(xiàn)[11]采用的FR4板材,,其介質(zhì)損耗角正切一般在0.015左右,遠(yuǎn)大于本文采用的RO4003C板材的0.0021介質(zhì)損耗角正切,,同時(shí)它采用了7級(jí)倍壓電路,,從而其效率也低于本論文測(cè)試電路。

3 結(jié)論

    本文介紹了在GSM頻段RF環(huán)境能量接收實(shí)用的可能性,,轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)組成,,匹配電路的選擇,并在RO4003C板材上進(jìn)行了電路制作測(cè)試,。本論文采用了自制繞線電感,,經(jīng)精心調(diào)試,獲得了遠(yuǎn)高于其他已發(fā)表論文電路的轉(zhuǎn)換效率,。為了保證電路對(duì)GSM下行全頻帶的適應(yīng)性,,分別對(duì)下邊沿頻率935 MHz及上邊沿頻率960 MHz進(jìn)行了測(cè)試,證明了在相同功率和負(fù)載下,,在GSM下行頻帶內(nèi)頻率的變化對(duì)本論文提供測(cè)試電路的轉(zhuǎn)換效率影響很小,。

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梁東偉,,李國(guó)林

(清華大學(xué) 電子工程系,,北京100084)

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