文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.171504
中文引用格式: 王穎,,張斌珍,,段俊萍,等. 一種雙田字型太赫茲波導(dǎo)定向耦合器的設(shè)計(jì)方法[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2018,,44(1):88-90,95.
英文引用格式: Wang Ying,,Zhang Binzhen,,Duan Junping,et al. A design of terahertz waveguide directional coupler with double "tian-shape"[J]. Application of Electronic Technique,,2018,,44(1):88-90,95.
0 引言
太赫茲波是指頻率為0.1~10 THz的電磁波[1],,定向耦合器作為一種有著方向性的功率分配器件,它能夠通過(guò)控制輸出信號(hào)的大小來(lái)定向的耦合傳輸信號(hào)[2],。其中波導(dǎo)定向耦合器[3]由于其突出性能(如具有較高的方向性和較低的插入損耗等),,在微波領(lǐng)域中用途十分廣泛,在通信系統(tǒng),、電子對(duì)抗,、雷達(dá)系統(tǒng)和測(cè)試測(cè)量?jī)x器中都有著重要作用。其主要用途有對(duì)功率進(jìn)行分配和合成,、擴(kuò)大功率量程,、監(jiān)視功率和頻譜[4],在系統(tǒng)中耦合器主要性能表現(xiàn)為在最小的干擾下對(duì)主信號(hào)獲得較精確的耦合信號(hào),。其主要指標(biāo)有方向性,、耦合度、插入損耗等,。為了解決太赫茲頻段信號(hào)的采集和測(cè)量存在的難題,,研究出體積小且性能高的太赫茲波導(dǎo)定向耦合器具有重要意義[5]。
本文設(shè)計(jì)的耦合器,,以分支線理論為基礎(chǔ),,在中間部分加一橫向貫穿的支線形成兩個(gè)田字來(lái)提高工作帶寬,對(duì)分支線底部進(jìn)行加粗來(lái)提高加工的可行性,;用HFSS軟件仿真,,結(jié)果較好,有較高的方向性,、強(qiáng)耦合度和較低的插入損耗,;以硅為材料,用MEMS刻蝕工藝對(duì)其進(jìn)行加工,,并且給出了實(shí)物圖,。
1 波導(dǎo)定向耦合器的設(shè)計(jì)
如圖1所示,在兩波導(dǎo)中間有一些等間距排列的孔,,信號(hào)從端口1輸入,,從端口2和端口3輸出,端口4無(wú)輸出(因?yàn)槠錇楦綦x端)[6],。從端口1到端口4的功率分別為P1~P4,,理想狀態(tài)下P4的值為0,,但是在實(shí)際工作中仍會(huì)有小部分信號(hào)從端口4輸出。
為了使耦合信號(hào)滿足一定的分布,,可以通過(guò)調(diào)整耦合孔的位置和大小來(lái)使反向波的振幅達(dá)到最小[7],,即使隔離端的信號(hào)輸出達(dá)到最小,從而實(shí)現(xiàn)有效增加帶寬和提高方向性的目的,。
基于這個(gè)原理,,在分支線中間部位加入一橫向貫穿3支線的窄槽形成一個(gè)田字型,用同樣的方法形成雙田字,,從而有效增加帶寬,。對(duì)靠近波導(dǎo)寬邊的分支線根部進(jìn)行加粗是為了提高應(yīng)力,使得在進(jìn)行刻蝕步驟時(shí)不易斷裂,,提高加工的可行性,。耦合器模型圖如圖2所示。
波導(dǎo)定向耦合器主要指標(biāo)之間存在一定的關(guān)系,,即如果想要耦合度達(dá)到較好的平坦性,,那么帶寬和方向性將會(huì)降低;若要達(dá)到較高的方向性,,那么就要犧牲工作帶寬和耦合度平坦性,。耦合度和耦合度平坦性是耦合器最重要的指標(biāo)之一,用HFSS軟件仿真,,且綜合考慮主要指標(biāo)之間的關(guān)系后確定了最優(yōu)尺寸,,各參數(shù)代表的物理意義和各參數(shù)的值分別如圖3和表1所示。
a和b分別表示靠近波導(dǎo)寬邊的加粗部位的高度和長(zhǎng)度,,c表示兩分支線的距離,,l為兩波導(dǎo)之間的距離。
2 波導(dǎo)定向耦合器的仿真和優(yōu)化
該波導(dǎo)定向耦合器使用商業(yè)軟件HFSS進(jìn)行仿真和優(yōu)化,,在該模型中輸入和輸出采用WR-2.2標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo),,其尺寸為0.56 mm×0.28 mm。
圖4(a)和圖4(b)分別為波導(dǎo)定向耦合器S參數(shù)曲線圖和各端口回波損耗圖,。從圖4(a)中可知,,插入損耗S21接近于0 dB,隔離度S41小于-20 dB,,耦合度S31在工作帶寬內(nèi)為-6.3 dB,,屬于強(qiáng)耦合,耦合度平坦性是耦合器的重要指標(biāo)之一,,它關(guān)系到測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確與否,。曲線波動(dòng)越小,測(cè)量結(jié)果越精確,。S31曲線近乎于一條直線,,說(shuō)明該耦合器具有較好的耦合度平坦性,。從圖4(b)可知,各端口的回波損耗小于-20 dB,。
對(duì)各個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),,耦合孔的高度即兩波導(dǎo)寬邊的距離l對(duì)耦合度影響較大,其他參數(shù)對(duì)結(jié)果也有一定影響,。給l設(shè)置一定的變化范圍,從0.15 mm~0.4 mm之間變化,,間隔為0.05 mm,,圖5給出了耦合度S31隨耦合孔的高度l變化的關(guān)系曲線。隨著l的增加,,耦合度曲線先逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)逐漸趨于平穩(wěn),,隨后曲線向反方向傾斜且在高頻段出現(xiàn)了毛刺,即S31圍繞著某一點(diǎn)逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),,該點(diǎn)大概在中心頻率附近,。綜合考慮耦合度和方向性等指標(biāo)之間的關(guān)系,最后選取l=0.30 mm,。
圖6為耦合器電場(chǎng)分布圖,,色譜上部分表示高電場(chǎng),下部分表示低電場(chǎng),,電場(chǎng)分布主要集中在低電場(chǎng)部分,。從圖6中可知,從端口1輸入的大部分信號(hào)通過(guò)直通波導(dǎo)從端口2輸出,,僅有一小部分信號(hào)從耦合端口3輸出,,端口4被隔離,無(wú)信號(hào)輸出,。
3 波導(dǎo)定向耦合器的工藝及實(shí)現(xiàn)方案
由于太赫茲頻段較高,,波導(dǎo)定向耦合器尺寸微小,為微米級(jí)別,,對(duì)加工精度有著較高的要求,,一般的機(jī)械加工難以滿足其要求,在高頻段設(shè)備尺寸的改變對(duì)電磁波傳輸性能有著較大的影響[8],。
圖7為太赫茲波導(dǎo)定向耦合器的加工工藝流程,。圖7(a)以硅片為基底,勻膠,;圖7(b)光刻出圖形并顯影,;圖7(c)對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕,形成通孔,;圖7(d)除去掩膜層,,濺射50 nm的金屬鈦,,然后濺射金屬金、電鍍,,由趨膚深度公式[9]可知金的厚度要達(dá)到3 μm,,其中鈦的作用是作為粘附層,增加金和硅片的粘附力,;圖7(e)在一定的溫度和壓力條件下進(jìn)行金-金鍵合,。圖8為鍵合工藝簡(jiǎn)圖,用另外兩片薄硅片濺射上一定厚度的金屬金在一定條件下進(jìn)行鍵合,,使其形成封閉腔室且使結(jié)構(gòu)內(nèi)部金屬化,。
在深硅刻蝕的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),硅的側(cè)壁陡直度[10]達(dá)不到90°,,側(cè)壁越傾斜,,對(duì)后續(xù)硅片的金屬化影響越嚴(yán)重,則對(duì)耦合器性能影響也越大,,但在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)側(cè)壁陡直度可以達(dá)到89.5°,,影響較小。圖9為耦合器實(shí)物圖,。
4 結(jié)論
本文主要討論了工作頻率在313~383 GHz太赫茲波導(dǎo)定向耦合器的設(shè)計(jì)與制作,,介紹了多孔耦合原理,使用標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)口(WR-2.2)在分支線耦合原理基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了雙田字型結(jié)構(gòu),,相比于分支線結(jié)構(gòu)和單田字型結(jié)構(gòu),,雙田字型結(jié)構(gòu)有效增加了帶寬和提高了方向性。通過(guò)優(yōu)化耦合孔的各個(gè)尺寸來(lái)完成其寬頻帶的設(shè)計(jì),,該耦合器帶寬為70 GHz,,具有高方向性和強(qiáng)耦合度,且耦合度曲線有較好的平坦性,。介紹了基于MEMS工藝的制作流程,,通過(guò)深硅刻蝕工藝來(lái)完成主要部分的加工,可以很好地控制好耦合孔的厚度,,使耦合孔厚度效應(yīng)不顯著,,并且可以保證耦合孔尺寸的精度,保證耦合器的各項(xiàng)性能,。在保證加工高精度要求的前提下,,同時(shí)也滿足了定向耦合器的小型化,使結(jié)構(gòu)緊湊,,這在固有的機(jī)械領(lǐng)域是很難實(shí)現(xiàn)的,。該設(shè)計(jì)為高性能太赫茲波段耦合器的設(shè)計(jì)及加工工藝提供了一定參考,為大批量生產(chǎn)耦合器提供了一定的借鑒,。
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