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從DRAM廠轉(zhuǎn)型晶圓代工,力晶科技業(yè)績靠啥翻身

2018-03-19
關(guān)鍵詞: 力晶科技 DRAM 代工

  力晶科技成功轉(zhuǎn)型晶圓代工廠,,5年來共賺進(jìn)新臺幣485億元,,平均一年賺97億元,。

  力晶過去主要生產(chǎn)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM),在經(jīng)歷2007年與2011年DRAM產(chǎn)業(yè)2次景氣寒冬,,力晶因財務(wù)危機(jī),,面臨股票下柜窘境。

  為求轉(zhuǎn)機(jī),,力晶轉(zhuǎn)型晶圓代工廠,,除為記憶體模組廠金士頓與記憶體設(shè)計廠晶豪科代工生產(chǎn)記憶體,在面板驅(qū)動IC,、管理芯片及影像感測芯片代工領(lǐng)域也有不錯成果,。

  力晶自2013年營運(yùn)轉(zhuǎn)虧為盈以來,已連續(xù)5年獲利,,去年歸屬母公司凈利80.8億元,,每股純益3.54元,,為國內(nèi)獲利第2高的晶圓代工廠;力晶5年來共獲利485億元,,平均一年賺97億元,。

  力晶繼去年恢復(fù)配發(fā)股利后,今年預(yù)計每股配發(fā)1.2元現(xiàn)金股息及0.5元股票股利,。

  隨著與金士頓委托代工合約期滿,,力晶自金士頓買回設(shè)備,帶動今年來業(yè)績穩(wěn)健成長,,前2月營收87.42億元,,年增19.79%,法人預(yù)期,,力晶今年營運(yùn)應(yīng)可更上層樓,。

  從DRAM廠到晶圓廠的轉(zhuǎn)型

  力晶于1994年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū),早期專注于動態(tài)隨機(jī)存取記憶體之生產(chǎn),,逐步擴(kuò)及及晶圓代工及Flash生產(chǎn),,并以大陸終端客戶為主要營收來源。公司自2010年9月14日起,,減資暨更名為「力晶科技股份有限公司」,,代碼簡稱:5346力晶。2012年12月11日因凈值轉(zhuǎn)為負(fù)數(shù),,自柜買中心下柜,,股票停止買賣。

  公司在生產(chǎn)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體制程技術(shù)以三菱電機(jī)既有的技術(shù)為基礎(chǔ),,與日本的DRAM大廠Elpida締結(jié)策略聯(lián)盟,,共同研發(fā)尖端DRAM技術(shù)。公司也和Renesas等國際大廠合作,,開發(fā)生產(chǎn)高容量快閃記憶體(Data Flash),以期成為國內(nèi)最大之全方位記憶體公司,。在邏輯代工制程技術(shù)方面,,自日本三菱公司引進(jìn)0.25微米/0.18微米/0.15微米邏輯代工制程技術(shù),并建立相關(guān)制程的設(shè)計資料庫及IP,,以及開發(fā)Mixed-mode ,、CIS等產(chǎn)品,以協(xié)助客戶順利量產(chǎn)新世代產(chǎn)品,。代工業(yè)務(wù)主要為轉(zhuǎn)投資的8吋廠巨晶電子,。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作伙伴,不斷引進(jìn)日方技術(shù)提升制程能力,,已成為國內(nèi)最大動態(tài)隨機(jī)存取記憶體廠商,。

  力晶2008年第二季將產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)換為70nm制程,,65nm制程于第三季進(jìn)入量產(chǎn)。

  2009年獲金士頓及力成金援1.25億美元,,以等值瑞晶股票作扺押,,以解決財務(wù)缺口壓力。

  2009年主流制程為65 納米制程,,雖持續(xù)進(jìn)行制程微縮,,但在2010年,仍無法負(fù)擔(dān)制程轉(zhuǎn)換的成本,,因此生產(chǎn)成本與競爭對手差距仍大,。

  2009年底凈值約3元。

  2011年4月,,與Elpida達(dá)成的DRAM產(chǎn)銷新協(xié)議,,使公司的專利授權(quán)、技轉(zhuǎn)費(fèi)用降低,,并無償取得Mobile DRAM技術(shù)及銷售權(quán),,結(jié)合自行開發(fā)的NAND快閃記憶體技術(shù),將針對高速成長的行動應(yīng)用(Mobile Applications)新市場,,提供完整的記憶體產(chǎn)品組合,。

  力晶積極轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,以及加重行動型記憶體,、快閃記憶體及代工業(yè)務(wù)營收,,降低標(biāo)準(zhǔn)DRAM。

  截至2011年11月產(chǎn)品比重方面,,晶圓代工占60%,、DRAM占30%、Nand Flash占10%,。晶圓代工領(lǐng)域包括LCD驅(qū)動IC,、CMOS Sensor、類比IC,、電源管理IC,。

  P3廠成為Flash與DRAM共同生產(chǎn)的12吋廠,月產(chǎn)能約11萬片,。自2012年1月1日起,,NAND Flash的投片量將正式超越DRAM,且DRAM投片產(chǎn)能將永遠(yuǎn)性的降低至20%以下,,約當(dāng)2萬片,。

  DRAM制程方面,2012年將全部由40納米轉(zhuǎn)換至30納米,且均生產(chǎn)4G產(chǎn)品,。

  產(chǎn)能配置方面,,至2012年1月晶圓代工每月投片量拉升至6萬片,標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片約2萬片,,Nand Flash約6000千片,。

  2012年資本支出約20億元至30億元。

  2013年四月,,力晶P3廠約月產(chǎn)能2萬片12吋廠設(shè)備及生產(chǎn)線由金士頓標(biāo)下,,并由力晶代工。

  2014年6月,,轉(zhuǎn)投資LCD驅(qū)動IC廠瑞力被Synaptics并購,,力晶出售所有持股后,預(yù)期獲利約36億元,,且與Synaptics達(dá)成協(xié)議維持合作關(guān)系,,Synaptics在整合LCD驅(qū)動IC及觸控IC的單芯片,將交由力晶生產(chǎn),。

  另外,,公司規(guī)劃每股凈值回升至10以上,且還清銀行負(fù)債后,,再重新掛牌上,。


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