早在2017年，國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上,，其中的代表便是紫光公司,，擁有國(guó)家政策與資金的扶持之下,，終于做出了重要的突破,。在今年上半年,，憑借英飛凌,、奇夢(mèng)達(dá)的基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上取得了突破,，下半年更會(huì)推出主流的DDR4內(nèi)存芯片。似乎中國(guó)已經(jīng)要趕上國(guó)外主流水準(zhǔn),，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過(guò)時(shí)，新的內(nèi)存即將取代,，這無(wú)疑給國(guó)內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒,。
DDR全球格局
DDR內(nèi)存全稱(chēng)是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）,。最早是由三星提出,，由日本電氣、三菱,、富士通,、東芝、日立,、德州儀器,、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD,、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持,。如今已經(jīng)成為21世紀(jì)主流的內(nèi)存規(guī)范。
目前世界上主要有3位DRAM領(lǐng)域的大佬,，三星,、SK海力士以及鎂光，這三家占據(jù)了市場(chǎng)上95%的份額,，國(guó)內(nèi)的廠商也是希望能夠打破這種局面,，讓自己的產(chǎn)品在世界上占有一席之地。
目前來(lái)說(shuō),，市面上主流的內(nèi)存依然是DDR4,，并且DDR5已經(jīng)蓄勢(shì)待發(fā)，即將進(jìn)入市場(chǎng),，但即使是這樣,，DDR內(nèi)存帶寬的提升速度依然跟不上時(shí)代的腳步，因此有業(yè)界人士提出DDR內(nèi)存即將淘汰的看法。
HBM的崛起
取代者為帶寬更高的HBM內(nèi)存,，2020年就會(huì)上市HBM 3內(nèi)存,，2024年則有望生產(chǎn)出HBM 4內(nèi)存，屆時(shí)帶寬可達(dá)8TB/s,，單插槽容量可達(dá)512GB,。
對(duì)于DDR內(nèi)存，可能大家都還有所了解,，但是對(duì)于HBM內(nèi)存,，也只有那些熱衷于DIY組裝的玩家才會(huì)知曉。目前市面上只有HBM 2內(nèi)存,，核心容量可達(dá)8Gb,，通過(guò)TSV技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)CPU支持64GB HBM2內(nèi)存，每路插槽的帶寬可達(dá)2TB/s,，而到了HBM 4時(shí)代,，每個(gè)CPU支持的容量可達(dá)512GB，帶寬超過(guò)8TB/s,。
相比目前AMD的RPYC處理器,，其支持8通道DDR4內(nèi)存，最高容量能達(dá)到2TB,，但是帶寬只有150GB/s,，與HBM內(nèi)存相比還有所差距。
AMD在2015年發(fā)布的Fury系列顯卡上,，首次商用了第一代HBM技術(shù),，超高的帶寬以及極低的占用面積徹底改變了當(dāng)時(shí)的顯卡設(shè)計(jì)，隨后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技術(shù),。
總體來(lái)說(shuō),，相比于DDR內(nèi)存，HBM內(nèi)存的帶寬優(yōu)勢(shì)更為明顯,，在一些需要高帶寬的場(chǎng)合中,，HBM無(wú)疑是更好的選擇，比如HPC高性能計(jì)算機(jī)行業(yè)就非常需要HBM支持,。
兩種內(nèi)存將長(zhǎng)期共存
但目前而言,，HBM在短時(shí)間內(nèi)還無(wú)法大面積進(jìn)入市場(chǎng)當(dāng)中，其中有兩個(gè)重要原因,，一個(gè)是目前在桌面端主流的內(nèi)存依然還是DDR,，即便由于HBM在帶寬上更具優(yōu)勢(shì)，但是由于DDR內(nèi)存在容量上的極大優(yōu)勢(shì),，在短時(shí)間內(nèi)還無(wú)法取代,；另一個(gè)則是成本問(wèn)題了,，這也是最主要的原因，成本的居高不下,，讓HBM內(nèi)存還無(wú)法快速融入市場(chǎng),。
如同機(jī)械硬盤(pán)與固態(tài)硬盤(pán)一樣，雖然固態(tài)硬盤(pán)不論在讀寫(xiě)速度還是啟動(dòng)速度等,，都遠(yuǎn)勝于機(jī)械硬盤(pán),，但是容量以及價(jià)格，便制約了其發(fā)展?，F(xiàn)如今,，幾乎大多數(shù)電腦都還有機(jī)械硬盤(pán)的存在，固態(tài)硬盤(pán)在無(wú)法在短時(shí)間取而代之,，換而言之,，DDR內(nèi)存與HBM內(nèi)存之間的關(guān)系也是如此。
并且如今掌握HBM技術(shù)的廠家相對(duì)更少,，比較知名的只有三星與SK海力士,，鎂光由于HMC技術(shù)，因此對(duì)于HBM技術(shù)并不熱衷,，因此在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái),，HBM降低成本的過(guò)程將是非常緩慢的,。
再一個(gè),，全球價(jià)值720億美元的DRAM市場(chǎng)上，僅三星一家就占有了46%的市場(chǎng)份額,，SK海力士大約在29%,，鎂光在收購(gòu)為其代工內(nèi)存芯片的華亞科之后，市場(chǎng)份額也在21%,，兩家韓國(guó)公司控制了全球75%的內(nèi)存市場(chǎng)份額,，這種高壟斷的形式，也讓國(guó)內(nèi)的相關(guān)行業(yè)非常難受,，處處受制,。
但是反過(guò)來(lái)說(shuō)，在這樣高壟斷的情況下,，尤其是自己還掌握這HBM技術(shù)之下,，更不會(huì)主動(dòng)去砸自己的飯碗，更何況DDR內(nèi)存的市場(chǎng)依然廣大,，利潤(rùn)也更高,，除非是鎂光主動(dòng)發(fā)力，要不然三星與海力士肯定是要賺足DDR的利潤(rùn)之后,，才會(huì)考慮推廣HBM,。
艱難起步的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存
而中國(guó)在DRAM領(lǐng)域中卻沒(méi)有絲毫的存在感,，眼看著如此大的市場(chǎng)卻被這些巨頭瓜分，但是自己卻無(wú)能為力,。好在紫光公司已經(jīng)在這個(gè)領(lǐng)域中入門(mén),，下半年將會(huì)繼續(xù)推出DDR4內(nèi)存。但值得注意的是,，雖然紫光已經(jīng)正式推出了自己的內(nèi)存,，但是在價(jià)格上卻與國(guó)外的內(nèi)存相差無(wú)幾。
這里面,，除了紫光量產(chǎn)的DDR3內(nèi)存太少,，無(wú)法左右市場(chǎng)價(jià)格之外，還有一個(gè)原因便是其主要技術(shù)都是來(lái)自于奇夢(mèng)達(dá),，而這家公司的技術(shù)已是十多年前的了,，導(dǎo)致在DRAM制作工藝上落后，良品率極低,，最后不得不在價(jià)格上進(jìn)行妥協(xié),。
并且在晶圓上，大陸企業(yè)相較于國(guó)外也落后許多,，可以這么說(shuō),，在這條道路上，我國(guó)的企業(yè)基本都是從零開(kāi)始,。不同于其它行業(yè),，可以依靠人力以及資金來(lái)解決問(wèn)題，在這些領(lǐng)域中,，唯有技術(shù)才是解決一切的關(guān)鍵,。
而我們恰恰缺少的就是相關(guān)的技術(shù)，并且由于頭部公司在相關(guān)技術(shù)人員的把控上異常嚴(yán)格,，在引進(jìn)相關(guān)技術(shù)人才時(shí),，會(huì)導(dǎo)致許多的法律問(wèn)題。前不久就有報(bào)道稱(chēng)美光公司去年底選擇在美國(guó)加州提起訴訟,，指控臺(tái)灣聯(lián)電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專(zhuān)利權(quán),，竊取商業(yè)機(jī)密，這就是國(guó)內(nèi)公司從臺(tái)灣華亞科等公司搶人才所帶來(lái)的不利后果之一,。
小結(jié)
總的來(lái)說(shuō),，目前國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)依然還有很長(zhǎng)的一段路要走，不但要打破國(guó)外的技術(shù)壟斷,，還要自己進(jìn)行創(chuàng)新,，紫光雖然已經(jīng)能夠進(jìn)行DDR3內(nèi)存的量產(chǎn)，并且DDR4在下半年也有望推出,，但是采用的依然是別人的技術(shù),，這樣也只能沿著別人的老路走,，即使追上去，也智能跟在別人的后面,。
擁有自己的創(chuàng)新技術(shù),，是企業(yè)在該行業(yè)中生存的制勝法寶，雖然在短期內(nèi)HBM技術(shù)暫時(shí)不會(huì)取代DDR技術(shù),，但是長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,，國(guó)內(nèi)的企業(yè)也可以在這方面進(jìn)行探討，這樣才可能實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē),。