在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星,、SK海力士,、東芝,,以及中國廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),,以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口,。
美光指出,繼目前在新加坡?lián)碛蠪ab 10N,、Fab 10X兩座NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠之后,,將在當(dāng)?shù)嘏d建第3座NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠。新工廠的占地面積約16.5萬平方米,,計(jì)劃2019年年中前后完工,,2019年第4季開始投產(chǎn)。
不過,,美光沒有公布新工廠的具體投產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器類型和產(chǎn)能,。但是,根據(jù)外界的預(yù)估,,其投產(chǎn)的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品類型,,應(yīng)該是現(xiàn)有64層堆疊快閃存儲(chǔ)器的下一代產(chǎn)品。
另外,,美光除了宣布將在新加坡興建第3座NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠之外,,美光還表示,將在新加坡擴(kuò)大當(dāng)前的研發(fā)規(guī)模,,這將使得當(dāng)?shù)貑T工總數(shù),,有望從目前的7,,500人增加到1萬人以上。
除了美光在NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展外,,在DRAM方面,,值得一提的是,不久之前,,美光的臺(tái)中工廠也因?yàn)楣┑O(shè)備出現(xiàn)電路問題,,發(fā)生氮?dú)夤?yīng)故障的情況,影響到部分的產(chǎn)品,。對(duì)此,,美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法說會(huì)也已經(jīng)證實(shí)此事。
Sanjay Mehrotra表示,,氮?dú)夤?yīng)受阻事件恐將導(dǎo)致美光本季DRAM產(chǎn)出減少2%到3%,。而美光已經(jīng)將相關(guān)故障設(shè)備被送往美國進(jìn)行維修,并于日前重新回到工廠,,并且在4月份開始重新投入生產(chǎn)的工作,。