在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口,，導致價格繼續(xù)維持高位的情況下,，包括國際大廠三星、SK海力士,、東芝,，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn),，以補足市場供不應求的缺口,。

美光指出，繼目前在新加坡?lián)碛蠪ab 10N,、Fab 10X兩座NAND Flash快閃存儲器工廠之后,，將在當?shù)嘏d建第3座NAND Flash快閃存儲器工廠。新工廠的占地面積約16．5萬平方米,，計劃2019年年中前后完工,，2019年第4季開始投產(chǎn),。

不過，美光沒有公布新工廠的具體投產(chǎn)NAND Flash快閃存儲器類型和產(chǎn)能,。但是,，根據(jù)外界的預估，其投產(chǎn)的NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)品類型,，應該是現(xiàn)有64層堆疊快閃存儲器的下一代產(chǎn)品,。

另外，美光除了宣布將在新加坡興建第3座NAND Flash快閃存儲器工廠之外,，美光還表示,，將在新加坡擴大當前的研發(fā)規(guī)模，這將使得當?shù)貑T工總數(shù),，有望從目前的7,，500人增加到1萬人以上。

除了美光在NAND Flash快閃存儲器的發(fā)展外,，在DRAM方面,，值得一提的是，不久之前,，美光的臺中工廠也因為供氮設(shè)備出現(xiàn)電路問題,，發(fā)生氮氣供應故障的情況，影響到部分的產(chǎn)品,。對此,，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法說會也已經(jīng)證實此事。

Sanjay Mehrotra表示,，氮氣供應受阻事件恐將導致美光本季DRAM產(chǎn)出減少2％到3％,。而美光已經(jīng)將相關(guān)故障設(shè)備被送往美國進行維修，并于日前重新回到工廠,，并且在4月份開始重新投入生產(chǎn)的工作,。