《電子技術(shù)應(yīng)用》
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秒測(cè)40000個(gè)晶體管,,廣立微推出全球首創(chuàng)的超高密度晶體管陣列快速測(cè)試技術(shù)

2018-04-10

 近日,杭州廣立微電子有限公司(Semitronix)超高密度晶體管陣列(Dense Array)技術(shù)在全球知名半導(dǎo)體IDM公司得到驗(yàn)證及應(yīng)用,,并得到該客戶的高度認(rèn)可,,其項(xiàng)目負(fù)責(zé)人評(píng)價(jià)該解決方案為世界首創(chuàng)先進(jìn)的技術(shù),對(duì)先進(jìn)FinFET工藝研發(fā)具有戰(zhàn)略性的意義,。




近日,,杭州廣立微電子有限公司(Semitronix)超高密度晶體管陣列(Dense Array)技術(shù)在全球知名半導(dǎo)體IDM公司得到驗(yàn)證及應(yīng)用,并得到該客戶的高度認(rèn)可,,其項(xiàng)目負(fù)責(zé)人評(píng)價(jià)該解決方案為世界首創(chuàng)先進(jìn)的技術(shù),,對(duì)先進(jìn)FinFET工藝研發(fā)具有戰(zhàn)略性的意義。


據(jù)悉,,廣立微通過(guò)自主開發(fā)的硬件和設(shè)計(jì)的優(yōu)化配合構(gòu)建出快速晶體管電性測(cè)試系統(tǒng),,以滿足芯片級(jí)晶體管軟缺陷的檢驗(yàn)需求,PAD無(wú)需特別定制,,采用25pin探針,。

 

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Dense Array Test Chip Layout


作為全球首創(chuàng)超高密度測(cè)試芯片設(shè)計(jì)與芯片快速測(cè)試技術(shù),Dense Array特別適用于半導(dǎo)體尖端工藝節(jié)點(diǎn)(如16/14/10/7納米 FinFET)的研發(fā)與生產(chǎn),。

 

廣立微研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)近兩年的艱辛努力,,Dense Array技術(shù)經(jīng)歷了縝密的研究及反復(fù)驗(yàn)證,不僅可以在單個(gè)測(cè)試芯片中容納百萬(wàn)級(jí)待測(cè)器件,,而且可以每秒內(nèi)測(cè)試數(shù)萬(wàn)個(gè)待測(cè)器件,,能夠?yàn)榘雽?dǎo)體先進(jìn)工藝的研發(fā)與生產(chǎn)提供整套的高效晶圓級(jí)芯片測(cè)試和成品率提升解決方案。

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 Schematic of Dense Array Test Chip and Test System

 

眾所周知,,半導(dǎo)體集成電路工藝尺寸的縮小和摩爾定律的繼續(xù)向前延伸,,使芯片集成度在60年的時(shí)間內(nèi)已經(jīng)增加了一千萬(wàn)倍,但是芯片的性能,、功耗與成本作為其核心競(jìng)爭(zhēng)力需要不斷推陳出新的先進(jìn)技術(shù)支撐而保持,,因此先進(jìn)工藝中的硅設(shè)計(jì)(Silicon Success)面臨著成本與周期的巨大挑戰(zhàn),。

 

在面積利用率層面,需要不占用或者盡量少占用產(chǎn)品芯片面積,,同時(shí)能夠在如此苛刻的面積下容納更多的晶體管,;在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程的推動(dòng)下,即使?jié)M足了上述超高芯片面積利用率的要求,,隨之而來(lái)的測(cè)試問(wèn)題卻成為制約晶圓代工廠研發(fā)進(jìn)程和生產(chǎn)效率的關(guān)鍵因素,。因此,如何解決超高密度芯片的快速測(cè)試問(wèn)題也已經(jīng)成為業(yè)界迫切需要解決的難題,?

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 Test Data (dark spots are outliers)


Dense Array技術(shù)的成功研發(fā),,不僅在技術(shù)上解決了制約半導(dǎo)體先進(jìn)工藝開發(fā)的面積和測(cè)試速度問(wèn)題,同時(shí)也真正實(shí)現(xiàn)了測(cè)試速度與精度兼得,、效率與質(zhì)量共存,。Dense Array技術(shù)能夠提供系統(tǒng)化的解決方案,滿足先進(jìn)工藝研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè)的需求,,縮短工藝線成熟周期,、節(jié)約制造成本,使產(chǎn)品順利上市搶占市場(chǎng),、提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。

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I-V Curve Comparison


對(duì)于廣立微而言,Dense Array技術(shù)實(shí)現(xiàn)廣立微在芯片良品率與性能提升方向上的重大突破,,是廣立微的技術(shù)與解決方案的一次質(zhì)的飛躍,,為廣立微打造了更完善的軟硬件生態(tài)系統(tǒng),助力半導(dǎo)體工藝的研發(fā)與管控,。

 

技術(shù)指標(biāo):

 

廣立微的Dense Array技術(shù)針對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)工藝對(duì)面積利用率以及快速測(cè)試的行業(yè)痛點(diǎn)研發(fā)出了世界首創(chuàng)的解決方案,。該技術(shù)不僅包含超高密度的測(cè)試芯片設(shè)計(jì)技術(shù),而且對(duì)高密度產(chǎn)品芯片和測(cè)試芯片的快速測(cè)試提出了優(yōu)異的測(cè)試方法與系統(tǒng),。

 

其具體技術(shù)指標(biāo)如下:

測(cè)試芯片中待測(cè)器件(DUT)數(shù)量超百萬(wàn),,并能夠?qū)Π偃f(wàn)級(jí)DUT進(jìn)行快速測(cè)試;

DUT平均密度為10~25um2,,10mm2的測(cè)試芯片中可容納106級(jí)的DUT數(shù)量,;

支持標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、SRAM,、Pcell類型的DUT,;

百萬(wàn)個(gè)DUT單點(diǎn)測(cè)試僅需30s,測(cè)試速度最快可達(dá)40000 DUT/s,;

測(cè)試精度可達(dá)到10nA,;

測(cè)試項(xiàng)包含Idsat、Vtsat,、I-V curve數(shù)據(jù),;

支持連續(xù)測(cè)試與選擇測(cè)試兩種測(cè)試模式,;

僅需兩層金屬即可測(cè)試;

能夠發(fā)現(xiàn)所有open/short 缺陷以及Idsat,、Vtsat,、Ioff異常點(diǎn)。



關(guān)于廣立微:

 

杭州廣立微電子有限公司(Semitronix)是一家專為半導(dǎo)體業(yè)界提供性能分析和良率提升方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,,其成品率解決方案已成功應(yīng)用于180nm~7nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn),。Semitronix提供基于測(cè)試芯片的軟、硬件系統(tǒng)產(chǎn)品以及整體解決方案,,一方面為晶圓代工廠的新工藝制程研發(fā)提供整合性的技術(shù)服務(wù),,包括從早期設(shè)計(jì),、中后期量產(chǎn)時(shí)的可尋址測(cè)試結(jié)構(gòu),,直到 yield ramp階段基于產(chǎn)品版圖的測(cè)試芯片;另一方面為設(shè)計(jì)公司提供定制化的測(cè)試芯片工具和服務(wù),,幫助提高IC設(shè)計(jì)的可制造性,、性能、成品率并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,。


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