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首批“中國造”32層三維NAND閃存芯片年內量產(chǎn)

2018-04-12

  由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝,。

  這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段,,中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產(chǎn)。這亦為武漢市以及東湖高新區(qū)打造以芯片-顯示-智能終端為核心的萬億級高端消費電子產(chǎn)業(yè)集群目標邁出的關鍵性一步,。

  據(jù)悉,,國家存儲器基地于去年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片,,并榮獲中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎,。這顆耗資10億美元,、由1000人團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,,將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊,,有力提升“中國芯”在國際市場的地位,。

  為填補國內主流存儲器領域空白,保障國家信息安全,,國家存儲器基地項目于2016年12月30日在武漢未來科技城正式開工建設,。

  該項目一期規(guī)劃投資240億美元,占地面積1968畝,,將建設3座全球單座潔凈面積最大的三維NAND Flash生產(chǎn)廠房,,其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。其中一號生產(chǎn)及動力廠房已于去年9月提前封頂,,年內即將投入使用,。項目(一期)達產(chǎn)后,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,,年產(chǎn)值將超過100億美元,有望解決我國受制于他人的“工業(yè)糧食”痛點問題,,并帶動國產(chǎn)設備等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)迅猛發(fā)展,。

  據(jù)了解,目前東湖高新區(qū)已聚集以長江存儲,、武漢新芯為龍頭的集成電路企業(yè)百余家,,2017年實現(xiàn)主營業(yè)務收入135億元,專業(yè)從業(yè)人員近萬人,。未來,,在加快實現(xiàn)存儲器芯片量產(chǎn)的同時,東湖高新區(qū)還將加大設計,、設備,、材料、封測,、存儲控制等企業(yè)的招引力度,,打造存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈。

  在發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的同時,,武漢東湖高新區(qū)還以武漢天馬,、武漢華星光電為龍頭,推動新型顯示領域發(fā)展,,以華為,、聯(lián)想 MOTO、小米為龍頭,,推動智能終端領域發(fā)展,,目標是在“芯片-顯示-終端”核心領域,聚集一批龍頭企業(yè)和優(yōu)質中小企業(yè),,形成產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展策源地,,打造完整產(chǎn)業(yè)生態(tài),,形成萬億產(chǎn)業(yè)集群。


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