4月15日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng),、睿力集成電路有限公司CEO王寧國(guó)高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)表示,，合肥長(zhǎng)鑫作為國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,，近日12吋基地約300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,，裝機(jī)后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
王寧國(guó)透露,，合肥DRAM一期已于2018年1月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝,；2018年底將啟動(dòng)生產(chǎn)8GB DDR4工程樣品,；2019年底實(shí)現(xiàn)單月產(chǎn)能2萬(wàn)片；2020年開始規(guī)劃二廠建設(shè),；2021年完成17納米技術(shù)研發(fā),。
未來(lái)，長(zhǎng)鑫睿力 DRAM IDM 平臺(tái)還將主要采購(gòu)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料,。
資料顯示,，長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目正加快建設(shè)，項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)計(jì)將占據(jù)世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額,，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)DRAM市場(chǎng)的空白,，合肥也因此將跨入世界級(jí)存儲(chǔ)器制造重鎮(zhèn)之列。
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