廣立微（Semitronix）推出最精確的前端電容測試方案——Addressable QVCM電容測試技術,，其測量前端電容的精度可以達到1fF，同時能夠精確測試并繪制多個電容測試項的C-V曲線,。該技術完善了廣立微集成電路工藝成套監(jiān)測方案的生態(tài)布局,，使廣立微Addressable技術能夠滿足IC工藝制造中的全部監(jiān)控需求,，是廣立微創(chuàng)新發(fā)展歷程中的一個重要里程碑,。

據(jù)悉,，電容是集成電路中的關鍵器件，同時寄生電容對芯片性能(功耗與速度)具有決定性的影響,，特別是當集成電路進入先進FinFET工藝后,，寄生電容的精確測試已經(jīng)成為了困擾業(yè)界的難題與巨大挑戰(zhàn)之一。目前行業(yè)內(nèi)通常采用的LCR meter電容測試方法,，其精度在幾十飛法（fF）以上,，無法滿足晶體管級的電容測試；CBCM方法雖然可以精確地測量后端電容,，但是因為前端存在各種leakage（如gate leakage…）而使CBCM方法無法精確測量前端電容,。

廣立微針對前端電容的精確測試這一難點和痛點，投入大量的時間與資源,，首次將QVCM電容測試方法與可尋址測試芯片技術有機結合,，所研發(fā)出的Addressable QVCM電容測試技術克服了傳統(tǒng)CBCM不能消除電荷注入和前端漏電效應的影響，解決了當前電容測試芯片占用面積過大,、電容測試技術精度不足,、寄生電容大、不同偏置電壓下前端電容不能測試,、一個DUT僅能測試一個電容項等技術瓶頸,，尤其適用于55nm、40nm,、28nm,、14nm及更先進工藝的FEOL電容測試，其測試精度能夠達到1fF,，同時能夠測量多個電容測試項的C-V曲線,。

目前Addressable QVCM電容測試解決方案已經(jīng)在多個國內(nèi)外知名半導體企業(yè)成功實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應用?？蛻艨梢赃x擇性地結合廣立微的其他電性測試方案,，使測試出的測試結果能夠有針對性地反映芯片存在的各方面問題，依據(jù)這些問題,，工程師可以對設計或工藝環(huán)境做出相應的改進,，對于芯片良品率和性能提升具有非常重要的現(xiàn)實意義。

技術指標

對于＜100fF的電容實現(xiàn)電容測試精度達到1fF/＜1%,；

精確繪制出不同偏置電壓下的C-V曲線,；

實現(xiàn)Cgg/Cgb/Cgsd@VB三個測試項在同一測試電路中覆蓋；

平均每個DUT僅占用0.25個Pad,。

關于廣立微 

杭州廣立微電子有限公司（Semitronix）是一家專為半導體業(yè)界提供性能分析和良率提升方案的領先供應商,，其成品率解決方案已成功應用于180nm~7nm工藝技術節(jié)點。Semitronix提供基于測試芯片的軟,、硬件系統(tǒng)產(chǎn)品以及整體解決方案,，一方面為晶圓代工廠的新工藝制程研發(fā)提供整合性的技術服務，包括從早期設計、中后期量產(chǎn)時的可尋址測試結構,，直到 yield ramp階段基于產(chǎn)品版圖的測試芯片,；另一方面為設計公司提供定制化的測試芯片工具和服務，幫助提高IC設計的可制造性,、性能,、成品率并縮短產(chǎn)品上市時間。