業(yè)界開始重新審視十年前開發(fā)的處理器架構,，看好速度較GPU更快1萬倍的所謂「存儲器式運算」(In-Memory Computing,；IMC),，將有助于新一代AI加速器發(fā)展,。

　　新創(chuàng)公司、企業(yè)巨擘和學術界開始重新審視十年前開發(fā)的處理器架構,，看好它或許剛好就是機器學習(machine learning)的理想選擇,。他們認為，「存儲器式運算」(In-Memory Computing,；IMC)架構可望推動新型的人工智能(AI)加速器進展,，使其速度較現(xiàn)行的GPU更快1萬倍。

　　這些處理器承諾可在CMOS微縮速度放緩之際擴展芯片性能,，而要求密集乘法累積陣列的深度學習演算法也正逐漸獲得動能,。這些芯片雖然距離商用化上市還有一年多的時間，但也可能成為推動新興非揮發(fā)性存儲器成長的引擎,。

　　例如,，新創(chuàng)公司Mythic瞄準在快閃存儲器(flash)陣列內(nèi)部進行神經(jīng)網(wǎng)路運算任務，致力于從類比領域降低功耗,。該公司的目標是在2019年底量產(chǎn)芯片,，成為率先推出這一類新芯片的公司之一。

　　美國圣母大學(Notre Dame)電子工程系系主任Suman Datta說：「在我們學術界大多數(shù)的人認為,，新興存儲器將成為實現(xiàn)存儲器處理器(processor-in-memory,；PIM)的技術之一。采用新的非揮發(fā)性存儲器將意味著創(chuàng)造新的使用模式,，而存儲器式運算架構將是關鍵之一,。」

　　Datta指出,，在1990年代,，有幾位學者試圖打造這樣的處理器。諸如EXECUBE,、IRAM和FlexRAM之類的設計都「失敗了,，而今，隨著相變存儲器(PCM),、電阻式RAM (RRAM)和STT MRAM等新興存儲器出現(xiàn),，以及業(yè)界對于機器學習硬體加速器的興趣濃厚，開始振興這個領域的研究,。不過,，據(jù)我所知，大部份的展示都還是在元件或元件陣列層級進行,，而不是一個完整的加速器,。」

　　其中一家競爭對手來自IBM于2016年首次披露的「電阻處理器」(Resistive Processing Unit,；RPU),。這是一款4,096 x 4,096交叉陣列的類比元件,。

　　IBM研究員Vijay Narayanan認為，「其挑戰(zhàn)在于找出正確的類比存儲器元素是什么——我們正在評估相變,、RRAM和鐵電,。」Vijay Narayanan同時也是一位材料科學家,，他主要的研究領域是在高K金屬閘極,。

　　在2015年，美國史丹佛大學(Stanford University)也曾經(jīng)發(fā)布在這一領域的研究,。中國和韓國的研究人員也在追求這一理念,。

　　為了實現(xiàn)成功，研究人員需要找到相容于CMOS晶圓廠的存儲器元件所需材料,。此外,，Narayanan說，「真正的挑戰(zhàn)」就在于必須在施加電壓時展現(xiàn)對稱的電導或電阻,。

　　20180502_IMC_NT01P1IBM Research的材料科學家Vijay Narayanan表示,，大多數(shù)用于AI的存儲器處理器仍處于研究階段，距離可上市的時間約三至五年（來源：IBM）

　　關于未來電晶體的幾點思考

　　IBM至今已經(jīng)制造出一些離散式元件和陣列,，但并不是一款具有4Kx4K陣列的完整測試芯片,，也尚未采用目前所認為的理想材料,。Narayanan表示,，IBM的Geoff Burr在500 x 661陣列上采用相變材料進行深度神經(jīng)網(wǎng)路(DNN)訓練，而其結(jié)果顯示「合理的精確度和加速度」,。

　　「我們正穩(wěn)步前進,，但了解還必須改善現(xiàn)有的材料，而且也在評估新材料,?！?/p>

　　IBM希望使用類比元件，以便能夠定義多個電導狀態(tài),，從而較數(shù)位元件更有助于為低功耗操作開啟大門,。該公司還看好大型陣列可望成為平行執(zhí)行多項AI操作的大好機會。

　　Narayanan樂觀地認為,，IBM可以利用其于高k金屬閘極方面累積的多年經(jīng)驗,，找到調(diào)整AI加速器電阻的材料。他花了十幾年的時間,，才將IBM在該領域的專業(yè)知識從研究轉(zhuǎn)向商業(yè)產(chǎn)品,，并與格芯(Globalfoundries)和三星(Samsung)等業(yè)界伙伴合作。

　　展望未來,，IBM將致力于開發(fā)閘極全環(huán)(GAA)電晶體,，將奈米片用于7nm節(jié)點以外的應用,。他認為這一類的設計并不存在根本的障礙，而只是實施的問題,。

　　除了奈米片之外,，研究人員正在探索負電容場效電晶體(FET)，這些FET可在電壓變化很小的情況下提供較大的電流變化,。從研究人員發(fā)現(xiàn)這種摻雜氧化鉿是鐵電材料,，而且可能相容于CMOS后，過去這五年來,，這種想法越來越受到關注,。

　　但Narayanan也說，「目前還有很多反對者以及同時支持二者的人,?！?/p>

　　「我們的研究顯示，負電容是一種短暫的效應,，」Notre Dame的Datta說,，「因此，當極化開關切換時,，通道電荷得以暫時啟動,，而一旦暫態(tài)穩(wěn)定后就不會再取得任何結(jié)果?！?/p>

　　美國加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)的研究人員則「相信這是一種重要的『新狀態(tài)』,。因此，故事仍在繼續(xù)發(fā)展中,，可以說大部份的公司都在內(nèi)部進行評估中,。 」