存儲(chǔ)器毫無(wú)疑問(wèn)是現(xiàn)在集成電路市場(chǎng)上的明星,。

拋開(kāi)過(guò)去一年飛漲的價(jià)格不提,，未來(lái)幾年巨大的銷(xiāo)量預(yù)期也讓它成為各大廠商眼中的香餑餑,，這也是吸引國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ),、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華等企業(yè)大舉進(jìn)軍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的原因之一,。但是隨著產(chǎn)品和應(yīng)用的發(fā)展，傳統(tǒng)的電荷型存儲(chǔ)器性能已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足需求：

一方面在于Flash與DRAM速度差距大,，導(dǎo)致“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻”等問(wèn)題的產(chǎn)生,；另一方面信息存儲(chǔ)與計(jì)算分離，成為大數(shù)據(jù)處理實(shí)時(shí)性的瓶頸,。于是業(yè)界開(kāi)始探索新型存儲(chǔ)器,，阻變存儲(chǔ)器（RRAM）就成為廠商們的一個(gè)選擇。由于擁有速度快,、可靠性高,、非揮發(fā)、多值存儲(chǔ)和高密度的特性,，這種存儲(chǔ)能給滿(mǎn)足現(xiàn)在新興的人工智能等新興應(yīng)用領(lǐng)域的需求,。

雖然優(yōu)點(diǎn)不少，但我們同時(shí)也應(yīng)該看到,，RRAM面臨著機(jī)理不清,、漲落大,、可靠性不足、工藝集成問(wèn)題和模擬阻變特性?xún)?yōu)化等問(wèn)題,。在RRAM可靠性與表征的研究中,，也同時(shí)還存在諸多挑戰(zhàn)：如在RRAM器件，需要考慮瞬態(tài)測(cè)量,、循環(huán)次數(shù)測(cè)試,、微觀原位表征；而在RRAM陣列,，則有自動(dòng)測(cè)試方法和讀取速度的困擾,。