最近三星公布了關于生產7nm,、5nm、4nm和3nm的路線圖,，三星的新路線圖重點為其客戶提供更多針對各行業(yè)的系統設備的節(jié)能系統,。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售與營銷主管Charlie Bae表示：“趨向于更智能,，互聯的世界,，業(yè)界對芯片供應商的要求越來越高。

　　三星表示目前基于EUV光刻技術的下一代工藝技術是7nm Low Power Plus,，三星的7LPP解決方案將在今年下半年投入生產,，并將在2019年上半年擴大規(guī)模。

　　同時關于5nm,、4nm,、包括3nm的技術目前也正在開展，按照三星的預想,，三星路線圖的最后一步是3nm Gate-All-Around Early / Plus。使用更新型的晶體管可以解決FinFET的物理縮放問題,。

　　相較于三星的激進,，臺積電一直采用穩(wěn)扎穩(wěn)打的方式似乎更為穩(wěn)妥，當年在20nm工藝上的不良表現導致了高通驍龍810出現了嚴重的發(fā)熱問題,，后來在16nm上面選擇了更加沉穩(wěn)的方式,，而激進的三星則是全力研發(fā)14nmFinFET工藝，最終使得2015年初成功投產并領先臺積電半年左右,。

　　在10nm工藝上,，臺積電于2017年初投產，而三星則趕在2016年10月投產,，再次取得領先優(yōu)勢,。同樣的在當前的7nm工藝上三星再次采取了激進策略，引入先進的EUV技術預計在今年下半年投產,，而臺積電繼續(xù)采取穩(wěn)健策略先研發(fā)7nm工藝在今年初投產然后到明年引入EUV技術,，這再次讓三星取得領先的制程工藝優(yōu)勢。

　　不可否認的是,，臺積電在每個階段的深耕更能使自己的產品有更好的良品率,，特別是在功耗的控制上，臺積電相對于三星做的更加的好,。但很明顯的是隨著三星越來越多的動作,，臺積電的訂單正在變少，市場上對于芯片的需求量越來越大,，對于芯片的質量要求也越來越高,，無論是三星還是臺積電，只有不斷的保持自己在這個領域的制造優(yōu)勢,，才能不被競爭對手淘汰,。