中芯國際,、華力微、長江存儲今年將紛紛啟動進入1x納米以下制程技術(shù)的深水區(qū),，中芯國際明年上半14納米FinFET將風(fēng)險試產(chǎn),，并推進7納米研發(fā)進程,；上海華力Fab6未來也將成為14納米量產(chǎn)重要基地；長江存儲今年首顆大陸自主研發(fā)快閃存儲器芯片也將邁入量產(chǎn),，未來數(shù)月將進入密集裝機期,。
據(jù)外媒報導(dǎo)，中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設(shè)備,，首臺EUV設(shè)備購自ASML,，價值近1.2億美元。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進也最昂貴的半導(dǎo)體制造設(shè)備,，全球僅荷蘭設(shè)備商ASML供應(yīng),。 EUV是未來1x納米繼續(xù)走向1x納米以下的關(guān)鍵微影機臺，包括英特爾,、三星,、臺積電等大廠都在爭搶購買該設(shè)備。
設(shè)備供應(yīng)商ASML曾表示,，一臺EUV從下單到正式交貨約長達(dá)22個月,，若以中芯目前訂購來看,，按正常交期也要2020年初左右才能到貨。
按照中芯國際的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃,，2019年上半肩負(fù)14納米FinFET將風(fēng)險試產(chǎn)任務(wù),，若2020年順利取得EUV，將可進一步向前推進至7納米,。而目前研發(fā)團隊最高負(fù)責(zé)人、中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松則扮演先進技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃的推手,。 盡管中芯目前在制造制程上仍落后于臺積電等市場領(lǐng)導(dǎo)者2~3代,，但此舉已經(jīng)凸顯了中芯在研發(fā)團隊重整旗鼓之后的雄心，此時下單EUV也屬正當(dāng)其時,。
不過下單歸下單,，未來技術(shù)挑戰(zhàn)仍擁有幾大內(nèi)外變數(shù)考驗，一是先進高階設(shè)備的進口能否順利進入大陸,；二是設(shè)備啟動的上海能否給予充足的電力供給,；三是順利裝機之后設(shè)備的調(diào)試與良率，畢竟從浸潤式微影機,，改成EUV系統(tǒng),，不是一個世代的跨越這么簡單，而對中芯國際研發(fā)先期量產(chǎn)團隊來說全然陌生,，涉及到微影膠,、光罩、pellicle,、檢測等全環(huán)節(jié)的良率提升,，相對來說，更新?lián)Q代的學(xué)習(xí)周期會較長,。 半導(dǎo)體行業(yè)專家莫大康則分析認(rèn)為,，中芯有錢提前布局7nm是件好事，對于中芯來說,，要從人員培訓(xùn)開始,，未來中芯要能做7nm可能至少還需5年以上時間，仍有很多挑戰(zhàn)需要克服,。
日前,，中芯國際財報顯示，今年將全年資本支出從19億美元上調(diào)至23億美元,，用于先進制程的研發(fā),、設(shè)備開支以及擴充產(chǎn)能。顯示未來將加強先進制程技術(shù)的布局,。
值得注意的是,，同樣也在緊追1x納米制程技術(shù)的華力上海Fab6也正式搬入的首臺ASML NXT 1980Di微影機,。這臺微影機是目前大陸積體電路生產(chǎn)線上最先進的浸沒式微影機。
華力表示,，F(xiàn)ab6主廠房完成凈化裝修,，相關(guān)配套機電設(shè)備準(zhǔn)備就緒，具備了制程設(shè)備搬入條件,，較原計劃進度提前1個半月,，僅約16個半月。 根據(jù)華虹集團的規(guī)劃,，F(xiàn)ab6總投資人民幣387億元,，建成后月產(chǎn)能將達(dá)4萬片12吋晶圓，制程涵蓋28~14納米技術(shù)節(jié)點,。項目計劃于2022年底建成投產(chǎn),，主要投入邏輯芯片量產(chǎn)。在接下來的五個月內(nèi),，華虹Fab6制程設(shè)備將搬入并完成安裝調(diào)試,，年底前完成生產(chǎn)線串線并實現(xiàn)試投片。
無獨有偶,，長江存儲的首臺微影機也已運抵武漢天河機場,，這臺微影機為ASML的193nm浸潤式微影機，售價7,200萬美元用于14nm~20nm制程,，陸續(xù)還會有多部機臺運抵,。
長江存儲主要攻關(guān)3D NAND快閃存儲器芯片制程量產(chǎn)，計劃共建三座3D NAND Flash廠房,?？偼顿Y240億美元，其中,，第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè),，計劃2018年投產(chǎn)，2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模,。 回顧長江存儲發(fā)展3D NAND快閃存儲器的歷程：2014年與大陸中科院微電子所啟動雙方3D NAND合作項目,；2015年，完成了9層結(jié)構(gòu)的3D NAND測試芯片,，實現(xiàn)了電學(xué)性能驗證,；2016年，實現(xiàn)了32層測試芯片研發(fā)及驗證,，注資240億美元建設(shè)國家存儲器基地,；2017年，測試芯片良率大幅提升，并實現(xiàn)了首款芯片的投片,；2018年,，即將開始了3D NAND存儲芯片生產(chǎn)線試產(chǎn)。
日前紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是透露,，長江存儲的3D NAND Flash已經(jīng)獲得第一筆訂單,。明年，長江存儲力爭64層堆疊3D快閃存儲器實現(xiàn)量產(chǎn),，單顆容量128Gb(16GB),，與世界領(lǐng)先水準(zhǔn)差距縮短到2年之內(nèi)。