在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行,，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長,。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產的。我們很自豪,，正好咱們自己能生產了,。”

　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度,、高臨界擊穿場強,、高電子遷移率、高熱導率等特性,， 成為制作高溫,、高頻、大功率,、抗輻照,、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達,、衛(wèi)星通訊,、高壓輸變電、軌道交通,、電動汽車,、通訊基站等重要領域的核心材料，具有重要的應用價值和廣闊的應用前景,。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料,，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備，要想生長出高質量的SiC單晶,，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,，還需要對生產工藝進行設計、調試和優(yōu)化,?！?/p>

　　據(jù)介紹，單晶生長爐需要達到高溫,、高真空,、高潔凈度的要求，目前國內只有兩家能生產單晶生長爐,，中國電科二所是其中之一,。他們突破了大直徑SiC生長的溫場設計，實現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空,、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產,；他們還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術、粒度控制技術,、晶型控制技術等關鍵技術,，實現(xiàn)了99．9995％以上純度的SiC粉料的批量生產。