在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行,，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的,。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”

　　SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料,，以其特有的大禁帶寬度,、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng),、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性,， 成為制作高溫,、高頻、大功率,、抗輻照,、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá),、衛(wèi)星通訊,、高壓輸變電、軌道交通,、電動(dòng)汽車,、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料，具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景,。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關(guān)鍵原材料,，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設(shè)備，要想生長出高質(zhì)量的SiC單晶,，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下,，還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化,?！?/p>

　　據(jù)介紹,，單晶生長爐需要達(dá)到高溫、高真空,、高潔凈度的要求,，目前國內(nèi)只有兩家能生產(chǎn)單晶生長爐，中國電科二所是其中之一,。他們突破了大直徑SiC生長的溫場(chǎng)設(shè)計(jì),，實(shí)現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設(shè)計(jì)制造及小批量生產(chǎn),；他們還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù),、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù),，實(shí)現(xiàn)了99．9995％以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn),。