恩智浦半導體擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體（Si－LDMOS）蜂窩基礎設施產品組合,，推動創(chuàng)新,，以緊湊的封裝提供行業(yè)領先的性能，助力下一代5G蜂窩網絡發(fā)展,。

5G連接涉及頻譜擴展,、更高階位調制、載波聚合,、全維波束賦形等關鍵技術,，因此需要擴大技術基礎才能支持增強移動寬帶連接。根據頻譜使用情況和網絡占位空間,，實施“多輸入多輸出”（MIMO）技術需采用四根（4TX）發(fā)射天線到64根甚至更多天線,。5G網絡的未來將取決于GaN和Si－LDMOS技術,，而恩智浦一直身處射頻功率放大器開發(fā)的前沿,。

“恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS產品，此后25年一直處于領導地位?，F在，恩智浦依托成功的歷史經驗,，以行業(yè)領先的GaN技術鞏固了自己的射頻領導地位,，為蜂窩移動應用提供出色的線性效率,，”恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經理Paul Hart表示,，“憑借出色的供應鏈,、全球應用支持和行業(yè)內出色的設計專業(yè)知識，恩智浦已成為5G解決方案領先的射頻合作伙伴,。”

在IMS 2018展會上,，恩智浦推出全新射頻GaN寬帶功率晶體管，擴展其適用于宏蜂窩和戶外小型基站解決方案的Airfast第三代Si－LDMOS產品組合,。新產品包括：

A3G22H400－04S：這款GaN產品非常適合40 W基站,，效率高達56．5％，增益為15．4 dB覆蓋從1800 MHz到2200 Mhz的蜂窩頻段,。

A3G35H100－04S：這款GaN產品提供43．8％的效率和14 dB的增益,，可在3．5 GHz下實現16 TX MIMO解決方案,。

A3T18H400W23S：這款Si－LDMOS產品以1．8 GHz的頻率領跑5G時代，Doherty效率高達53．4％,，增益為17．1 dB。

A3T21H456W23S：這款解決方案覆蓋從2．11 GHz到2．2 GHz的全部90 MHz頻帶,，體現了恩智浦Si－LDMOS產品出色的效率、射頻功率和信號帶寬性能,。

A3I20D040WN：在恩智浦集成式超寬帶LDMOS產品系列中，這款解決方案提供46．5 dBm的峰值功率,、365 MHz的帶寬以及32 dB的AB級性能增益，在10 dB OBO時的效率達18％,。

A2I09VD030N：這款產品具有46 dBm的峰值功率，AB級性能增益為34．5 dB,，在10 dB OBO時的效率為20％。這款產品的射頻帶寬為575 MHz至960 MHz。

恩智浦提供豐富多樣的射頻功率技術產品,，涵蓋GaN、硅－LDMOS,、SiGe和GaAs,，支持覆蓋頻率和功率頻譜和多種集成度的5G產品。恩智浦不僅提供廣泛的選擇,、構建數字計算產品，還支持基帶處理應用,，是端到端5G解決方案獨特的供應商。