國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示,，目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,，紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng),。
之前紫光國(guó)微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國(guó)微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入,，對(duì)于公司來說,，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn),。
紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM（U－DIMM）和SO－DIMM開發(fā),。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C－21P”、“SCQ04GE03AF1C－21P”,，SO－DIMM的2個(gè)型號(hào)為“SCQ04GS03AF1C－21P”,、“SCQ08GS13AF1C－21P”。
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