本月初,,Intel發(fā)布了首款消費(fèi)級QLC固態(tài)硬盤——660p,。
性能上達(dá)到主流M.2 NVMe的水準(zhǔn),最高連續(xù)讀寫速度可達(dá)1800MB/s,。同時(shí),,價(jià)格相當(dāng)給力,512GB賣99.99美元(約合683元),。
不過,,澳媒報(bào)道稱,接近IMFlash閃存工廠(Intel/美光合資)的人士透露,,目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%,,也就是生產(chǎn)出來的成片過半報(bào)廢。對比之下,,64層TLC閃存的良率已經(jīng)達(dá)到了90%以上,。
這意味著,4bit QLC看似容量密度提高了,,但實(shí)際成本是高于3bit TLC的,。
更糟糕的是,消息人士稱,,Intel/美光第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個(gè)生命期,。
對于QLC閃存,,大家普遍關(guān)心的問題其實(shí)就兩個(gè),一個(gè)是價(jià)格,,一個(gè)就是可靠性,,英特爾發(fā)布的首款消費(fèi)級QLC硬盤660P的512GB版只要100美元,1TB版也只要200美元,,折合每GB價(jià)格才1.3元,,是目前最便宜的M.2 SSD,這就是QLC顆粒的最大優(yōu)勢,,通過提升密度來降低成本,,畢竟現(xiàn)在首發(fā)的QLC閃存核心容量就達(dá)到了1024Gb,是TLC閃存的2-4倍,。
可靠性方面,,根據(jù)Intel官方給出的是0.1DWPD,按照Intel自己的PE計(jì)算方式:0.1×365×5=182.5,,再考慮寫入放大的因子2~5,,那么最終PE將會在365~912.5之間,也符合之前說QLC顆粒PE次數(shù)在1000左右的說法,,200TB應(yīng)該是Intel比較保守的數(shù)值,。
英特爾的660P硬盤的性能也沒什么挑剔的,讀寫1800MB/s,,隨機(jī)讀寫220K IOPS,,不算多高,但也不算低,,在低價(jià)M.2硬盤中紙面性能是說得過去的,。
從現(xiàn)在的情況來看,首款上市的消費(fèi)級QLC硬盤不論性能,、可靠性還是售價(jià)都比當(dāng)初三星首發(fā)TLC閃存的硬盤時(shí)好很多,至少沒多少明顯的槽點(diǎn),。
不過在廠商這邊,,QLC閃存的問題還沒有解決,Tweaktown表示他們得到的消息稱英特爾64層堆棧的QLC閃存良率并不好,,目前只有48%,,不到一半的晶圓核心可以用于制造SSD硬盤,一半多的核心都要廢掉,。
這也意味著消費(fèi)者買到的QLC閃存硬盤雖然比TLC閃存硬盤更便宜,,但在廠商這邊QLC閃存現(xiàn)在的成本是比TLC閃存還要高的。
對于以上消息,,尚無其它報(bào)道形成佐證,。這會否造成以660p為代表的初代QLC SSD延遲上市或者漲價(jià)還需要觀察,。