全球第二大晶圓代工廠商GlobalFoundries(GF)宣布無限期中斷7納米投資計(jì)劃后,，牽動(dòng)全球晶圓代工版圖變化,。三星電子(Samsung Electronics)傳正加速7納米極紫外光(EUV)制程量產(chǎn),，是否能順利擴(kuò)展晶圓代工事業(yè)版圖值得觀察。

　　綜合多家韓媒的報(bào)導(dǎo),，GF意外宣布退出7納米戰(zhàn)場(chǎng)后,，預(yù)告10納米以下制程將成臺(tái)積電、三星兩強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),。盡管目前臺(tái)積電在7納米制程量產(chǎn)領(lǐng)先,，但晶圓代工排名第四的三星，也計(jì)劃加速轉(zhuǎn)進(jìn)7納米制程,，期望在晶圓代工領(lǐng)域更上層樓,。

　　臺(tái)積電已開始采7納米制程為蘋果(Apple)等廠商進(jìn)行代工，韓國(guó)業(yè)界觀察,，三星正在加速7納米制程量產(chǎn),，華城EUV產(chǎn)線預(yù)計(jì)2018年下半進(jìn)入試產(chǎn)，力拚2019年盡快正式量產(chǎn),。

　　原先三星規(guī)劃華城EUV產(chǎn)線2020年正式量產(chǎn),，但在臺(tái)積電率先宣布挺進(jìn)7納米的壓力下，三星不得不加速華城EUV產(chǎn)線量產(chǎn)時(shí)程,。

　　根據(jù)IHS Markit的資料,，2017年晶圓代工市占第一名為遙遙領(lǐng)先的臺(tái)積電(50.4%),，其余依序是GF(9.9%)、聯(lián)電(8.1%)及三星(6.7%),，但在臺(tái)積電之后的第二名至第四名廠商市占率差距相當(dāng)小,。三星盡管目前排名第四，正計(jì)劃透過強(qiáng)化研發(fā)與投資,，瞄準(zhǔn)全球晶圓代工二哥寶座,。

　　市場(chǎng)目前多以10納米級(jí)產(chǎn)品為主，率先進(jìn)入7納米制程,，雖不代表市占率能夠快速上升,，如從長(zhǎng)遠(yuǎn)技術(shù)發(fā)展層次而言，先進(jìn)制程未來恐怕只剩臺(tái)積電與三星兩強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng),。稍早三星舉行晶圓代工論壇,，表示2019年越過7納米后，2020年之后期望朝3納米左右階段邁進(jìn),。

　　不同于臺(tái)積電7納米分階段導(dǎo)入EUV設(shè)備，三星則是直接采用EUV設(shè)備,，風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)較大,。此外，三星規(guī)劃5納米制程將采Smart Scaling制程,，相較7納米面積與耗電可望進(jìn)一步減少,。三星指出4納米將是采FinFET的最后階段，預(yù)計(jì)到了3納米,，將采次世代晶體管結(jié)構(gòu)多重橋接型通道(Multi-Bridge-Channel FET,；MBCFET)。

　　身為全球存儲(chǔ)器龍頭的三星,，其實(shí)對(duì)晶圓代工深具企圖心,。2017年三星晶圓代工營(yíng)收為46億美元，三星期望2018年能夠翻倍,，達(dá)成營(yíng)收100億美元目標(biāo),，順利坐上晶圓代工二哥王座。因此,，2017年三星先將晶圓代工組升格為事業(yè)部,，之后大舉投資美國(guó)奧斯汀晶圓代工廠，2018年初宣布斥資6.5兆韓元(約58億美元)于韓國(guó)華城建立EUV產(chǎn)線,。

　　韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士指出,，臺(tái)積電、三星及英特爾(Intel)等晶圓代工事業(yè)成敗系于EUV產(chǎn)線,，三星身為整合元件制造商(IDM),，其實(shí)已累積相當(dāng)多EUV產(chǎn)線實(shí)作技術(shù)訣竅,，2019年三星7納米制程一旦確保穩(wěn)定良率之后，勢(shì)將與臺(tái)積電在高附加價(jià)值產(chǎn)品群展開激烈廝殺,。